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EDA365元器件代购服务公告
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楼主: tanghao113

[Ansys仿真] Q3D仿真验证L、G分布参数差距巨大

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 楼主| 发表于 2015-12-2 14:12 | 显示全部楼层
本帖最后由 tanghao113 于 2015-12-2 18:57 编辑
( X* V% \' u- k4 M9 S; A; N0 z) o& ?. E8 B3 {$ o# T: F; T
无标题.png
0 E% Q4 J9 [* E! M7 H, }
/ I* |# S1 [" |8 f! W
  i" V& O3 b! J& F6 M( H
有关多根走线共用返回路径的环路电感的计算,我的理解如下(电流流向如上图所示):
) h- k0 G$ D4 o
$ l: q- L% \( D2 p: n1 \6 u: B

. I$ }5 Q! d, [$ a' X# l3 k环路1(红圈)的环路电感为:(L11 + L12 + L13 - L1-return) + (Lreturn - L1-return - L2-return - L3-return ' q% F  ^7 K9 I$ M; j* c" B- H
: [' r4 i; y! k5 W- j
) }; X! L/ A( y9 k+ |  [7 h/ f
其中,# ?1 r5 t) Z4 J# ]# }* E1 v
L11为导线1局部自感(Partial self-inductance
7 B: P9 w5 }; l4 T3 tL
return为导线return的局部自感(Partial self-inductance
' f7 C" L  \- U* G* c; d  O, G
* b& A0 f" r) Q0 j

6 W9 k+ Y; ?' u1 h5 L- aL12、L13、L1-return为导线1与导线2、3、return之间的局部互感(Partial mutual inductance)3 P# ?  G7 A* c# K
L
1-return、L2-return、L3-return为导线return与导线1、2、3之间的局部互感(Partial mutual inductance): j. Z' h1 K- B3 l
9 [, ~: G3 u3 D) b
) T& T8 P0 O+ @
第一个括号内(L11 + L12 + L13 - L1-return)表示导线1的净电感(Effective Inductance)
' F& \& n4 X3 Y! L5 m第二个括号内(Lreturn - L1-return - L2-return - L3-return 表示导线return的净电感 Effective Inductance' r$ i2 m4 {8 M

. ~" m9 Z* [* C! k1 F

$ L8 [# K* `' y0 }! }不知道我的理解是否正确,谢谢!/ A8 T, x8 S+ u) w0 ]& {

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发表于 2015-12-7 11:32 | 显示全部楼层
我的看法如下,請參考。, M& m. q, Q3 x7 i- L
就同相的 Sourece - Sink 整體而言,L11, L22, L33 應該是並聯的結構,等效電感 (Lpp) 計算參考 Eric Bogatin 書中的 6.14 節。( p# F$ N/ w; Q* v2 l7 O5 V
而 Return 就是 Lrr ,總 Loop 電感為 Lpp + Lrr - 2 Lrp 。- v' r3 {3 S4 w  O) S* x: m; n
但是單獨看 Loop 1,2, 3  的 Loop inductance,則分別是 L11 + Lrr - 2*L1r,L22 + Lrr - 2*L2r  及 L33 + Lrr - 2*L3r。) t% r' R, k/ ?: q/ a- T; H
只不過 L1r , L2r, L3r 的量不同。另外,這結構還會有 L12, L23, L13 的互感參數。手算已經很複雜,就靠 Tool 幫忙了。
# h1 Z5 U% U* Y只要你正確的設定 Q3D 的 reduce return path,不管 Single return net 或是 multiple return nets 都可以。
7 T: @8 e, t: ?; H0 G

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发表于 2017-3-4 12:10 | 显示全部楼层
学习了

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发表于 2017-3-6 20:22 | 显示全部楼层
cousins 发表于 2015-11-12 15:36
% o8 C! @, K8 r- x; W, @4 F* ^1 L8 P事实上,Q3D算的就是loop inductance。( g( M$ {! I5 }- o- h
SI9000算的才是self inductance。' W! m/ i0 s4 _/ l, A& I& w
RLGC构成的电路L11,而Q3D里 ...
% F/ P0 b' {. }: [9 L! z
请教版主一个问题么?我在SIWAVE设置好PCB的相关叠层参数,导出到Q3D的时候PCB介质显示一整块的,不是我想要的结果,这种情况该怎么办呢?/ R; ^+ M9 `4 L$ R6 K" c! \

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发表于 2017-4-1 16:05 | 显示全部楼层
做过Q2D的阻抗仿真和SI9000的差别在2%以内,但是频率在2Ghz以上,2Ghz以下则差别很大。/ J9 \5 u5 \, ^" s& |6 q
0 Z1 O/ ]' f" ~, Z4 S# O6 v1 Z2 E
新建位图图像.png
) S% z, h7 D! T% P; w; c% t9 n
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发表于 2017-4-11 18:00 | 显示全部楼层
我计算的跟SI9000差别不大,除了L值外。
; I) [+ j- v: C4 Y, }1 |* LQ3D还是需要理解
- {/ n+ G) M+ X Project7.rar (27.61 KB, 下载次数: 7)
IC封装设计

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发表于 2018-2-5 09:46 | 显示全部楼层
楼主能够分享一下最新的模型,让小弟们查看学习一下呢?

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发表于 2018-6-13 10:32 | 显示全部楼层
学习了,新手入门,还请多多指教

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发表于 2018-6-19 17:57 | 显示全部楼层
高手啊,学习了。呵呵~

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发表于 2018-7-31 17:01 | 显示全部楼层
tanghao113 发表于 2015-11-18 11:45
8 t& Y! G! n7 c光是这个电感就够我回去在研究一遍电磁场了,先传个附件,学习学习

: F$ Q( G- r; F& u) w1 V6 j学习了,好东西收藏下

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发表于 2018-8-2 23:04 | 显示全部楼层
为什么要加地平面,有什么目的啊?
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