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楼主: tanghao113

Q3D仿真验证L、G分布参数差距巨大

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 楼主| 发表于 2015-12-2 14:12 | 显示全部楼层
本帖最后由 tanghao113 于 2015-12-2 18:57 编辑 7 y- I1 f- c$ X- i8 R1 p4 k8 p9 B! R

  Y( N5 b5 q& I6 n( |: B 无标题.png 1 V0 d( s: Y+ ]8 y/ ^
, }+ U, N  e, Q

- w, C: N) g( p5 I+ {6 `有关多根走线共用返回路径的环路电感的计算,我的理解如下(电流流向如上图所示):
2 @- w4 H3 T7 \8 z/ K
' U1 B4 o2 K% ]  s# K; b5 H
; K& |1 L0 ?( |  q
环路1(红圈)的环路电感为:(L11 + L12 + L13 - L1-return) + (Lreturn - L1-return - L2-return - L3-return
( T8 W  Y. F3 F$ u# {* z. l* T3 K; x! P9 C+ }1 w' N+ b
0 e/ A% l! x! k
其中,
4 j; _" n% m8 l/ |+ q3 CL11为导线1局部自感(Partial self-inductance: |. ?4 l* _* ~4 o! Q) q: s
L
return为导线return的局部自感(Partial self-inductance& g9 C% G- L9 A  N! W
. K( x) Y0 E" @, r1 h" J; P3 @
% L9 H6 M. [& r1 f4 f) W8 |; h! ~
L12、L13、L1-return为导线1与导线2、3、return之间的局部互感(Partial mutual inductance)
3 G; E- ]% t8 \8 k' }( gL
1-return、L2-return、L3-return为导线return与导线1、2、3之间的局部互感(Partial mutual inductance)
8 o7 G6 W7 P- N5 S, m# D3 S. O- S  C/ @( W* z# h  w

% _* ^* F9 u. b/ }4 V第一个括号内(L11 + L12 + L13 - L1-return)表示导线1的净电感(Effective Inductance)) \; K. V# A0 u: ~" P( ?9 E
第二个括号内(Lreturn - L1-return - L2-return - L3-return 表示导线return的净电感 Effective Inductance
  k; L4 u: p7 t# _2 [! ^  n" a# u

0 k- R( m3 G% G) h/ y- v/ u不知道我的理解是否正确,谢谢!
4 X, s- \+ ^3 C  z/ s- ^

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发表于 2015-12-7 11:32 | 显示全部楼层
我的看法如下,請參考。2 q8 s. X7 u+ x( L" y0 ~, L
就同相的 Sourece - Sink 整體而言,L11, L22, L33 應該是並聯的結構,等效電感 (Lpp) 計算參考 Eric Bogatin 書中的 6.14 節。0 S% I1 h" W; Q
而 Return 就是 Lrr ,總 Loop 電感為 Lpp + Lrr - 2 Lrp 。
$ l" u, V1 O7 b' e+ a. Q3 I6 y; s但是單獨看 Loop 1,2, 3  的 Loop inductance,則分別是 L11 + Lrr - 2*L1r,L22 + Lrr - 2*L2r  及 L33 + Lrr - 2*L3r。
9 z4 v; P" a* e7 y7 x% U& D只不過 L1r , L2r, L3r 的量不同。另外,這結構還會有 L12, L23, L13 的互感參數。手算已經很複雜,就靠 Tool 幫忙了。0 c, h' u: C& u4 \  y; X" [- |+ |7 D
只要你正確的設定 Q3D 的 reduce return path,不管 Single return net 或是 multiple return nets 都可以。: x) G8 A8 @7 h/ M4 @

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发表于 2017-3-4 12:10 | 显示全部楼层
学习了

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发表于 2017-3-6 20:22 | 显示全部楼层
cousins 发表于 2015-11-12 15:36
  M: U9 w+ E+ s1 ?% B4 h事实上,Q3D算的就是loop inductance。
/ A7 ?* X. j$ W' S/ SSI9000算的才是self inductance。9 V  R5 m+ S% e
RLGC构成的电路L11,而Q3D里 ...
$ H. Q( x7 C/ x
请教版主一个问题么?我在SIWAVE设置好PCB的相关叠层参数,导出到Q3D的时候PCB介质显示一整块的,不是我想要的结果,这种情况该怎么办呢?
/ W6 b) R5 }" |1 U, x

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发表于 2017-4-1 16:05 | 显示全部楼层
做过Q2D的阻抗仿真和SI9000的差别在2%以内,但是频率在2Ghz以上,2Ghz以下则差别很大。
2 `' R) m! I$ O5 Y& W! L. g5 Y( e
" V1 \# l. V7 k 新建位图图像.png
* `4 e8 x" p- L$ y3 h+ H3 I# R2 N6 \
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发表于 2017-4-11 18:00 | 显示全部楼层
我计算的跟SI9000差别不大,除了L值外。
3 e. Q  q4 v7 B& S6 w* eQ3D还是需要理解# Z4 W2 @$ V2 W; z6 g+ x( ?& ^$ r
Project7.rar (27.61 KB, 下载次数: 6)
IC封装设计

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发表于 2018-2-5 09:46 | 显示全部楼层
楼主能够分享一下最新的模型,让小弟们查看学习一下呢?
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