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楼主: tanghao113

[Ansys仿真] Q3D仿真验证L、G分布参数差距巨大

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 楼主| 发表于 2015-12-2 14:12 | 显示全部楼层
本帖最后由 tanghao113 于 2015-12-2 18:57 编辑 / }- X9 h5 z8 K9 W: Z& O
. H/ u* L2 U, @$ k
无标题.png
2 }  W4 {% c& m
. X  p! O* a# I. N0 T

% @" n9 |$ o+ y& [0 R5 ?有关多根走线共用返回路径的环路电感的计算,我的理解如下(电流流向如上图所示):
9 \% z3 B4 F6 F0 `" K: B9 ^, D' K
2 `% b2 W( a% J3 I, I* `6 Z
$ ]5 `; W# H# m9 g% }% M& r
环路1(红圈)的环路电感为:(L11 + L12 + L13 - L1-return) + (Lreturn - L1-return - L2-return - L3-return , [3 h! l5 _$ ~, D$ d3 l* P

3 j) x# z9 A5 ^' I4 c& h" P
5 z' s$ U' f2 b6 w% Q) Z, Y+ j
其中,% U1 l0 G+ @+ _
L11为导线1局部自感(Partial self-inductance; }! t% K0 p. Q8 i$ a( H
L
return为导线return的局部自感(Partial self-inductance! G% c& i* L- j) }/ L, \1 J0 r
! e) `% `) Z% h& u- v

, F1 S1 ~- X  f4 N! m% }' h: ?L12、L13、L1-return为导线1与导线2、3、return之间的局部互感(Partial mutual inductance); y: I) y$ K1 z' |4 u. X
L
1-return、L2-return、L3-return为导线return与导线1、2、3之间的局部互感(Partial mutual inductance)
# G: D# M6 {$ T$ U5 G8 a; L+ G0 S2 W# Y: [7 t8 g3 I

+ t. ?1 m4 G% i$ Z7 y第一个括号内(L11 + L12 + L13 - L1-return)表示导线1的净电感(Effective Inductance)
' G- M" ~9 R2 ^8 ^% V% v" [第二个括号内(Lreturn - L1-return - L2-return - L3-return 表示导线return的净电感 Effective Inductance7 Y& T% O- k" o1 T4 A: M' A! P! B" p
4 e- f$ L+ j2 k# m/ o1 x3 }- d1 w5 [

. E- I, P2 Q  B" C' c不知道我的理解是否正确,谢谢!
* S, c( d+ P- v) h

三级会员(30)

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发表于 2015-12-7 11:32 | 显示全部楼层
我的看法如下,請參考。
* u7 f7 B* z8 B6 a) S5 {就同相的 Sourece - Sink 整體而言,L11, L22, L33 應該是並聯的結構,等效電感 (Lpp) 計算參考 Eric Bogatin 書中的 6.14 節。1 ^# q5 F' }1 u0 L6 c& c: g# g
而 Return 就是 Lrr ,總 Loop 電感為 Lpp + Lrr - 2 Lrp 。
' J# i; q/ n' ^- G+ a: y+ X' W但是單獨看 Loop 1,2, 3  的 Loop inductance,則分別是 L11 + Lrr - 2*L1r,L22 + Lrr - 2*L2r  及 L33 + Lrr - 2*L3r。0 m! T  G3 {, M; Z4 X8 ^
只不過 L1r , L2r, L3r 的量不同。另外,這結構還會有 L12, L23, L13 的互感參數。手算已經很複雜,就靠 Tool 幫忙了。
4 R$ l) {* z- h3 l1 ?& d) u: D2 M只要你正確的設定 Q3D 的 reduce return path,不管 Single return net 或是 multiple return nets 都可以。. A" B7 x. f0 _. S

二级会员(20)

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发表于 2017-3-4 12:10 | 显示全部楼层
学习了

二级会员(20)

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发表于 2017-3-6 20:22 | 显示全部楼层
cousins 发表于 2015-11-12 15:36: i4 F' n  ~* u+ U# r. ?/ r
事实上,Q3D算的就是loop inductance。; |# X* I, c& s/ j0 ]
SI9000算的才是self inductance。
; W8 I/ m* C2 s$ _" aRLGC构成的电路L11,而Q3D里 ...

8 e8 K9 |4 r' c' _请教版主一个问题么?我在SIWAVE设置好PCB的相关叠层参数,导出到Q3D的时候PCB介质显示一整块的,不是我想要的结果,这种情况该怎么办呢?( h# x9 b. T$ A+ t1 u5 i
发表于 2017-4-1 16:05 | 显示全部楼层
做过Q2D的阻抗仿真和SI9000的差别在2%以内,但是频率在2Ghz以上,2Ghz以下则差别很大。
- @8 \+ @' r8 q. b6 @1 }  T- d7 G, m* z
新建位图图像.png ) i% o' b# e8 j$ m" a  m# T
IC封装设计
发表于 2017-4-11 18:00 | 显示全部楼层
我计算的跟SI9000差别不大,除了L值外。
6 |2 `6 U; p; H; a( p# Y$ zQ3D还是需要理解
3 s1 E% t# \1 K% s Project7.rar (27.61 KB, 下载次数: 9)
IC封装设计

二级会员(20)

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发表于 2018-2-5 09:46 | 显示全部楼层
楼主能够分享一下最新的模型,让小弟们查看学习一下呢?

二级会员(20)

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发表于 2018-6-13 10:32 | 显示全部楼层
学习了,新手入门,还请多多指教

四级会员(40)

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发表于 2018-6-19 17:57 | 显示全部楼层
高手啊,学习了。呵呵~

二级会员(20)

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发表于 2018-7-31 17:01 | 显示全部楼层
tanghao113 发表于 2015-11-18 11:456 s, V4 e' K0 d0 D5 I) v: o" t
光是这个电感就够我回去在研究一遍电磁场了,先传个附件,学习学习

; {  U4 v9 B: O/ b/ }学习了,好东西收藏下

二级会员(20)

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发表于 2018-8-2 23:04 | 显示全部楼层
为什么要加地平面,有什么目的啊?
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