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求助大佬,mos管容易坏,是什么原因

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发表于 2019-9-11 15:28 | 显示全部楼层 |阅读模式

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本帖最后由 超級狗 于 2019-9-13 11:19 编辑 # l7 l4 Z1 o4 C  x

+ r9 S0 R5 a8 K" b% }6 e28V分压后得到3.65V作为栅极导通的电压,现在发现这个MOS管特别容易坏掉,DS无法导通,正常测量+12V_SSD应该是12V,坏掉的测试未1V左右。是原理图设计的原因么?还是忽略了什么地方,求大神指点。
2 n: r4 P# U6 Z  o
111.png

Infineon IPL60R365P7.pdf

1.3 MB, 下载次数: 1, 下载积分: 威望 -5

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发表于 2019-9-11 16:49 | 显示全部楼层
1.做开关管使用时应该选用P-MOS管;

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2.若用PMOS管输入应该接到S集; 3.PMOS管G极为低时导通; 如果使用NMOS管: 1.导通电流比较小; 2.D极应该串一个电阻; 你这个电路原理上就错误了。  详情 回复 发表于 2019-9-11 16:51

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发表于 2019-9-11 16:51 | 显示全部楼层
gaoqianbo 发表于 2019-9-11 16:49& @, s) p) R- g" h
1.做开关管使用时应该选用P-MOS管;
& R5 U1 S6 ]8 M! o
2.若用PMOS管输入应该接到S集;5 b9 w/ [7 g7 L1 m5 B  b
3.PMOS管G极为低时导通;  P" M3 o* @/ l
如果使用NMOS管:2 \. _9 ~6 t( V5 B
1.导通电流比较小;
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你这个电路原理上就错误了。& s# h6 X1 T" {2 N. f, v

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是N MOS管,但是看参数应该不存在什么问题  详情 回复 发表于 2019-9-11 17:41

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 楼主| 发表于 2019-9-11 17:41 | 显示全部楼层
gaoqianbo 发表于 2019-9-11 16:51
( }0 n/ d4 ]1 S2.若用PMOS管输入应该接到S集;
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如果使用NMOS管:
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是N MOS管,但是看参数应该不存在什么问题
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N MMOS 管導通後,+12V_SSD 就會出現,這時候 Vgs = Vg - Vs = 3.65V - 12V = -8.35V Vgs < 0V !!!  详情 回复 发表于 2019-9-11 18:05

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发表于 2019-9-11 17:45 | 显示全部楼层
有可能是没导通  你把R95阻值改大一点,是栅极电压高于4V。并且源极输出+12V_SSD不要悬空  后级一定要接电容

点评

这个还真有可能,之前试过把R95增大,栅极电压4V左右,+12V_SSD电压变成了2V左右,我把后级加个电容试试。+12V_SSD单板是悬空的  详情 回复 发表于 2019-9-11 17:52

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 楼主| 发表于 2019-9-11 17:52 | 显示全部楼层
449786840 发表于 2019-9-11 17:45& N6 p7 Z0 ^4 `) M0 }# q
有可能是没导通  你把R95阻值改大一点,是栅极电压高于4V。并且源极输出+12V_SSD不要悬空  后级一定要接电 ...
+ z: V, t( Y$ u3 l* A' f; c
这个还真有可能,之前试过把R95增大,栅极电压4V左右,+12V_SSD电压变成了2V左右,我把后级加个电容试试。+12V_SSD单板是悬空的: H& S! j* T' l2 E$ T3 U! T

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这个有道理  详情 回复 发表于 2019-9-14 18:03
源极输出悬空肯定不行啊 NMOS导通条件Vgs>=Vgs(th)都不成立了。如果你是悬空的那之前你说的管子坏了的应该都没坏。  详情 回复 发表于 2019-9-11 22:35
发表于 2019-9-11 18:05 | 显示全部楼层
本帖最后由 超級狗 于 2019-9-13 13:25 编辑 & |& X) k! b# x9 L" L5 D! `% R. q
w_wengang 发表于 2019-9-11 17:41
% Z0 t4 M+ z0 w4 Q- f% V是N MOS管,但是看参数应该不存在什么问题

0 H/ J' w: h0 V- F" [( mN MOS 管導通後,+12V_SSD 就會出現,這時候 Vgs = Vg - Vs = 3.65V - 12V = -8.35V/ z" s, Q% _4 d" v  D6 ^$ P

, @0 C2 O" a' d. UVgs < 0V !!!
- t1 I- _! j$ i" N
1 Q1 {* o1 S% q/ Q0 _9 w9 C! Z; {& C9 \! ^( a( `) `

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灰常感谢,确实是这个原因  详情 回复 发表于 2019-9-12 10:07
哈士奇是一種連主人都咬的爛狗!

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发表于 2019-9-11 18:42 | 显示全部楼层
本帖最后由 飞熊在天0311 于 2019-9-11 18:45 编辑 4 q7 x# W9 `8 ~

: V8 M1 D! ?. F! k1 [这个电路就是一个有问题的电路,而且不可能一直导通,狗版主已经给了你逻辑上的反证。烧是因为后级接地后触发导通,结果12V和GND干一起了,结果完球了。: ]5 J0 t5 O$ e+ X& W0 I; y1 R0 L1 d
常规用Pmos;如果用NMOS,需要再加一级电路。
1 d$ }6 z: C# O) A2 V3 k# L

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解决了,灰常感谢~~~~  详情 回复 发表于 2019-9-12 10:07

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发表于 2019-9-11 22:35 | 显示全部楼层
本帖最后由 449786840 于 2019-9-11 22:57 编辑
7 J$ c+ S  l1 I+ ?+ _3 Z+ P
w_wengang 发表于 2019-9-11 17:52
( J" Y: s" }+ G; N& A7 m这个还真有可能,之前试过把R95增大,栅极电压4V左右,+12V_SSD电压变成了2V左右,我把后级加个电容试试 ...
9 Q/ z  y* i  @
源极输出悬空肯定不行啊  NMOS导通条件Vgs>=Vgs(th)都不成立了。如果你是悬空的那之前你说的管子坏了的应该都没坏。但这个电路肯定是不能一直实现导通的,还是因为导通条件Vgs的问题,源极输出如果有电容接地,初始源极电压为0,栅极通过前面的电阻分压得到4V左右的导通电压使NMOS导通;一旦导通源极电压就是12V了,这时Vgs为负MOS管截止,就这样反复的导通截止。/ d2 o* v" I: U$ A) J3 a' F
如果想一直导通就直接把前面的电阻分压调至16V左右(IPL60R365P7的Vgs可以承受+-20V的直流电压)就绝对没问题。
$ h0 k; Z6 z- p  z7 @) O
9 C! m" E6 s! ]  C# O4 L1 Q) j

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搞定了,感谢感谢~~~~  详情 回复 发表于 2019-9-12 10:06

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 楼主| 发表于 2019-9-12 10:06 | 显示全部楼层
449786840 发表于 2019-9-11 22:35
& y: o9 W, S  a0 X* g0 Z1 g源极输出悬空肯定不行啊  NMOS导通条件Vgs>=Vgs(th)都不成立了。如果你是悬空的那之前你说的管子坏了的应 ...

1 W: }; Q' d* e+ S  ]* |搞定了,感谢感谢~~~~8 l* i6 h2 X& _* C

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 楼主| 发表于 2019-9-12 10:07 | 显示全部楼层
飞熊在天0311 发表于 2019-9-11 18:42
7 g' M2 e* o! z2 v; d这个电路就是一个有问题的电路,而且不可能一直导通,狗版主已经给了你逻辑上的反证。烧是因为后级接地后触 ...
- R6 ?' F9 Y4 V3 r+ E" J
解决了,灰常感谢~~~~
6 a" \) I& H6 c, f/ K, Y

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 楼主| 发表于 2019-9-12 10:07 | 显示全部楼层
本帖最后由 超級狗 于 2019-9-13 13:25 编辑
' A, i+ l% \6 I1 L& l$ d, }
超級狗 发表于 2019-9-11 18:054 R( |/ s4 s  D1 n* b) u" ?5 g
N MOS 管導通後,+12V_SSD 就會出現,這時候 Vgs = Vg - Vs = 3.65V - 12V = -8.35V
5 M" m  h, t/ r: t" e0 Y  a  d8 P# M: o
Vgs < 0V !!!
& G& c9 E2 _. [4 H& u$ E- z
灰常感谢,确实是这个原因
* _# g$ K& ~: @- L

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发表于 2019-9-14 18:03 | 显示全部楼层
w_wengang 发表于 2019-9-11 17:52
  D% R! h! t* S; ^) \这个还真有可能,之前试过把R95增大,栅极电压4V左右,+12V_SSD电压变成了2V左右,我把后级加个电容试试 ...
1 R) O  x% J8 n4 X9 q: I# s! E! h+ _/ W
这个有道理" R. [. |- h: O

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发表于 2019-9-16 09:44 | 显示全部楼层
VGS操作有正確嗎??可關注是否在開關不完全下,導致熱堆積讓ic毀損

三级会员(30)

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发表于 2019-9-16 10:55 | 显示全部楼层
讲的都很有道理,学习了
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