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SK海力士开发出HBM3 DRAM内存, 较上一代整体带宽提高78%

2021-10-25 10:46| 查看: 79| 评论: 0|原作者: |来自: 芯智讯

摘要: 10月22日消息,据韩国存储大厂SK 海力士宣布,其已成功开发出HBM3 DRAM 内存,是全球首家开发出新一代高带宽内存(HBM),也是HBM 系列内存第四代产品。新一代HBM3 DRAM不仅提供更高带宽,还堆叠更多层数DRAM 以增加容 ...

10月22日消息,据韩国存储大厂SK 海力士宣布,其已成功开发出HBM3 DRAM 内存,是全球首家开发出新一代高带宽内存(HBM),也是HBM 系列内存第四代产品。新一代HBM3 DRAM不仅提供更高带宽,还堆叠更多层数DRAM 以增加容量,提供更广泛应用解决方案。
SK 海力士2020 年7 月才量产HBM2E,现在就推出HBM3,研发进度算相当快,也将巩固SK 海力士在全球存储市场的竞争力。SK 海力士HBM3 可提供两种容量,一种是12 层硅通孔技术垂直堆叠的24GB 容量,另一个是8 层堆叠的16GB 容量,24GB 容量芯片本身高度不超过30 微米。
性能方面,SK 海力士HBM3 DRAM 记忆体提供819GB/s 带宽,上一代HBM2E带宽为460GB/s,整体带宽提高78%。辉达A100 运算卡目前使用6 颗HBM2E 为显存,提供2TB/s 带宽。一旦换成HBM3 规格,带宽最高可提高到4.9TB/s,显存容量也提升至最高144GB。
进一步拿HBM2E 与HBM3 DRAM 比较,HBM3 DRAM 内建纠错技术,明显提高产品可靠性。据SK 海力士说法,预计HBM3 DRAM 将主要用在数据中心高效能运算服务器及机器学习平台,提高人工智能运算速度和超级电脑性能,以帮助气候变化分析和药物开发等应用项目。


『本文转载自网络,版权归原作者所有,如有侵权请联系删除』
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