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不用EUV光刻机也能造5nm芯片?铠侠携手NDP与佳能力推NIL技术

2021-10-25 10:48| 查看: 165| 评论: 0|原作者: |来自: 芯智讯

摘要: 10月22日消息,在半导体制程技术进入5nm节点之后,EUV光刻机已经成为了不可或缺的关键设备。但是,因为EUV光刻机造价高昂,每台价格超过1亿美元,而且EUV光刻机仅荷兰ASML一家产生能够供应,且产能有限,这使得芯片 ...

10月22日消息,在半导体制程技术进入5nm节点之后,EUV光刻机已经成为了不可或缺的关键设备。但是,因为EUV光刻机造价高昂,每台价格超过1亿美元,而且EUV光刻机仅荷兰ASML一家产生能够供应,且产能有限,这使得芯片的生产成本大幅升高。为解决这样的问题,日本存储大厂铠侠(Kioxia) 现在联合了合作伙伴开发了一种新的NIL制程技术,可以不使用EUV光刻机,就能使制程技术推进到5nm。
根据日本媒体的报导,铠侠从2017 年开始与半导体设备厂佳能,以及光罩等半导体零组件制造商大日本印刷株式会社(DNP)合作,在日本三重县四日市的铠侠工厂内研发纳米压印微影(NIL) 的量产技术。当前铠侠已掌握15nm的制程量产技术,目前正在进行15nm以下技术的研发,预计2025 年将进一步达成。
相较于目前已商用化的EUV光刻技术,铠侠表示,NIL 技术可大幅减少耗能,并降低设备成本。原因在于NIL 技术的微影制程较为单纯,耗电量可压低至EUV 技术的10%,并让设备投资降低至仅有EUV 设备的40%。目前,EUV光刻机只有荷兰ASML一家能够生产供应,其不但价格高,而且需要许多检测设备的配合。
不过,虽然NIL 技术有许多的优点,但现阶段在导入量产上仍有不少问题有待解决,其中包括更容易因空气中的细微尘埃的影响而形成瑕疵。
报导指出,对铠侠来说,NAND 零组件因为采取3D 立体堆叠结构,更容易适应NIL技术制程。而铠侠也表示,当前已解决NIL 的基本技术问题,正在进行量产技术的推进工作,希望能较其他竞争对手率先引入到NAND 生产当中。而一旦铠侠能成功率先引入NIL 技术并实现量产,有望弥补在设备投资竞赛中的不利局面,又能符合减少碳排放的需求。
根据DNP 的说法,NIL 量产技术电路微缩程度可达5nm节点,而DNP 从2021 年春天开始,就已经在根据设备的规格值进行内部的模拟仿真当中。而对于这样的技术进步,DNP 也透露,从半导体制造商对NIL 量产技术询问度的增加,显示不少厂商对NIL 技术寄予厚望。
另一个合作伙伴佳能,也致力于将NIL 量产技术广泛的应用于制作DRAM 及PC 用的CPU 等逻辑芯片的设备上,以在未来供应多的半导体制造商,将来也希望能应用于手机应用处理器等最先进制程上。

『本文转载自网络,版权归原作者所有,如有侵权请联系删除』
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