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Intel EUV极紫外光刻设备进厂:冲刺“4nm”工艺

2022-1-21 10:10| 查看: 79| 评论: 0|来自: 芯智讯

摘要: 摘要:1月20日消息,位于爱尔兰莱克斯利普(Leixlip)、投资70亿美元的Intel Fab 34晶圆厂迎来重要时刻:一台光刻胶显影设备(lithography resist track)缓缓进入工厂,这也是该厂的第一台巨型芯片制造工具。该设备来自 ...
1月20日消息,位于爱尔兰莱克斯利普(Leixlip)、投资70亿美元的Intel Fab 34晶圆厂迎来重要时刻:一台光刻胶显影设备(lithography resist track)缓缓进入工厂,这也是该厂的第一台巨型芯片制造工具。该设备来自Intel美国俄勒冈州工厂,搭乘飞机越过大西洋,来到了爱尔兰。
这台设备将与EUV极紫外扫描仪搭档,首先为硅晶圆覆上精密的涂层,然后进入EUV扫描仪,进行曝光,接着晶圆回到光刻设备,再进行一系列的高精密光显影、清理操作。
一座典型的晶圆厂包含大约1200台先进制造设备,大部分价值都在百元美元级别。
Intel Fab 34晶圆厂2019年动工建设,计划2023年正式投产,将会把Intel在爱尔兰的产能翻一番,并为未来生产Intel 4工艺铺平道路——严格来说是Intel 7nm,但是官方重新命名,认为它可以媲美行业4nm水平。
Alder Lake 12代酷睿、Raptor Lake 13代酷睿都是Intel 7工艺(10nm ESF),Meteor Lake 14代酷睿和代号Granite Rapids的下下代至强都将用上Intel 4工艺。
官方透露,新工艺研发进展顺利,芯片测试已经完美通过,SRAM、逻辑单元、模拟单元都符合规范,去年第二季度还早早完成了Meteor Lake计算单元模块的流片。
Intel现阶段正在全球建设、升级晶圆厂,除了爱尔兰还有美国本土的亚利桑那州、新墨西哥州、俄勒冈州,以及马来西亚,投资上百亿美元,很快还会宣布在欧洲、美国的更多晶圆厂建设计划。


『本文转载自网络,版权归原作者所有,如有侵权请联系删除』
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