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华中科技大学成功研制全球最低功耗相变存储器:比主流产品低了1000倍

2022-1-21 10:11| 查看: 95| 评论: 0|来自: 芯智讯

摘要: 摘要:1月20日,从华中科技大学集成电路学院获悉,该学院团队研制出全世界功耗最低的相变存储器,比主流产品功耗低了1000倍。 1月20日,从华中科技大学集成电路学院获悉 ...
 
1月20日,从华中科技大学集成电路学院获悉,该学院团队研制出全世界功耗最低的相变存储器,比主流产品功耗低了1000倍。
据了解,在新型存储器中,相变存储器(PCM)是与CMOS工艺最兼容,技术最成熟的存储技术。
2015年,Intel和Micron推出了傲腾三维相变存储芯片,速度和寿命比固态闪存硬盘要快一千倍,其三维堆叠技术也使容量高出了十倍。
然而,由于在相变过程中需要将存储介质熔化冷却,导致相变存储器的功耗极高且发热严重,限制了存储容量的进一步提高,也大大增加了其制造成本。
因此,降低相变存储器的功耗将便于进一步提升存储器数据密度,提高其在半导体存储市场核心竞争力,此外降低功耗可以改善存储器散热问题,减少相邻单元间的热串扰,从而提高器件稳定性和整体性能。
目前最先进的几十纳米制程的单个相变存储单元擦写功耗达到了40pJ左右,而实验室制备的百纳米大小的器件功耗达到1000pJ以上。
为了解决相变存储器中高功耗的瓶颈问题,华中科技大学集成电路学院信息存储材料及器件研究所(ISMD)联合西安交通大学材料创新设计中心(CAID)研发了一种网状非晶结构的相变存储器,功耗达到了0.05pJ以下,比主流产品功耗低了一千倍。
除了低功耗以外,该相变存储器拥有一致性好且寿命长的优点。


『本文转载自网络,版权归原作者所有,如有侵权请联系删除』
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