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标题: 三极管和MOS管抗静电？|深圳比创达EMC [打印本页]
作者: 深圳比创达EMC 时间: 2023-9-25 11:38
标题: 三极管和MOS管抗静电？|深圳比创达EMC
本帖最后由 Heaven_1 于 2023-9-25 15:44 编辑 : ]" C# i% }. a' [
9 d3 J7 c8 n' [抗静电为什么是三极管优于MOS？那么三极管和MOS管抗静电？接下来就跟着深圳比创达EMC小编一起来看下吧！
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首先要了解电子元件的特性，三极管是电流驱动元件，MOS管是电压驱动元件，为什么说MOS管用手触摸容易坏，为什么MOS管书名叫场效应管呢？
场是电场的场，效应就不用了吧！很多ESD都是呈峰值短暂的尖峰浪涌电压，但能量维持时间短。
MOSFET的栅极源极之间是绝缘的，其GS之间有一个电容。根据U=Q/C, 结电容很小，一般PF级，只要GS之间感应了极小的电量，那么这个电压将是惊人的。而这个电压不能泄放（因为GS电阻极大）一般的击坏都是GS之间损坏。
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作者: Dc2023082110h 时间: 2023-9-25 13:18
好好学习
作者: yjtj30xe 时间: 2023-9-25 15:43
IGBT也用的多，而且开关频率高
作者: DDCCC6 时间: 2023-10-18 14:50
#在这里快速回复#EMC先规划好几个点，应该比较好处理
作者: 17605038929 时间: 2023-10-18 17:53
好好好& M4 n$ m- ~6 P/ [7 p
感觉在电源线上增加磁环也不错
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