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标题: ADS2012 [打印本页]
作者: daverong    时间: 2012-11-22 12:03
标题: ADS2012
主要特性与技术指标 先进设计系统（ADS）2012 包含以下最新的增强功能：
# O! {- C& \# x# Z
5 _& V/ {0 A- {' p: [•针对射频功率放大器设计的技术突破和创新 —— 包括多芯片模块电磁场 FEM 仿真、为新的 Agilent NeuroFET 模型提供支持、新型电热仿真器、ADS 负载牵引和放大器设计指南的多项更新。0 N/ @  c% R7 A& g' R
•可用性改进 —— 包括轻松共享工作区（归档/解档）、停靠窗口、高效的搜索和导航功能、三维电磁场元器件集成。: W8 I/ O9 X2 G
•提高与 EMPro 的整合程度 —— EMPro 2012 包括与 ADS 2012 的进一步整合，以及对仿真器的多项增强，以便改善产品性能和加快产品开发。
0 I% ~5 P: s0 z, C
( D& x: H, a/ g# R/ F描述
/ Y8 H9 s! Y  [安捷伦先进设计系统（ADS）2012 具备新的功能，可改善所支持应用的工作效率，并为 GaAs、GaN 和硅质射频功率放大器多芯片模块设计提供突破性技术。4 V* X& r. [# c8 `0 \% h

# q7 n% G, ^9 ~- P& A技术突破和创新
3 Q7 X% Q1 i# [% _# X( r- d% j& B
针对射频功率放大器设计的技术突破和创新包括：
- u0 T* ~9 P+ a, l9 z* D2 ]5 m$ I, u* H% x
•多芯片模块有限元方法（FEM）电磁场仿真可以分析 IC 和互连之间的电磁场交互，典型多芯片功率放大器模块中的导线焊接和倒装芯片焊接凸点。
8 g9 s6 {- S* W" F; [* n•针对新型人造神经网络的 Agilent NeuroFET 模型（通过 Agilent EEsof IC-CAP 器件建模软件提取）提供模型支持，获得更精确的 FET 建模和仿真结果（例如大功率 GaN FET 放大器）。4 G' g  z( C* M3 N$ P' d/ O! I* g
•提高与 Electromagnetic Professional（EMPro）软件的整合程度。EMPro 中的三维电磁元器件现在可以另存为数据库单元，直接在 ADS 中使用。8 y) r0 k  L; n- f% t$ O5 Y* P& u
•新型 ADS 电热仿真器。它以整合到 ADS 的全三维热求解程序为基础，结合了动态温度效应，以提高“热感知”电路仿真结果的精度。
3 _% E& C: o/ S1 G2 z, M, W$ n•ADS 负载牵引设计指南增添了多项更新，包括失配仿真，用于表示器件或放大器对负载 VSWR 或相位角的灵敏度。& `1 M7 @9 k) P, @* u% R
•放大器设计指南增添了多项更新，可轻松查看在特定输出功率或增益压缩上的放大器性能。
5 _% K- F4 |# |. ]0 A& I更多新的功能
3 Q2 ]. {* d9 Z$ z  S+ K2 K, E- o- ^
用户界面和设计管理& R% P0 L0 O. J) n% d( i

2 c! ]2 H" P1 q1 h6 x! ~/ M4 a•停靠窗口和选项卡式窗口以及对话框0 d1 A' C; W! l, E" D& y: W
•元器件搜索——快速查找设计层中的对象
* g" b2 G) d9 c& d; g•网络领航员——确认节点连通性/ j4 T% f: E# p
•灵活的归档和解档——实现工作区的资源共享# i8 ]2 y. V: i# x! R
•增添了数十种原理图和版图用户界面改进
: ?* M7 }: X3 v& S" o•支持第三方设计管理/版本控制工具（Cliosoft）
! m4 g. O: s; }$ P' E版图
/ U; P, D+ m( \5 x5 @& Y- p
, j4 F9 [# T. {8 D7 F•创建多层互连——复制和扩大简单与复杂的结构% T' T5 _( U/ @  p1 Q8 c/ U; b' [
•把元器件锁定在固定位置. E* f; ~' e( d# f
•标尺和尺寸线的改进
1 C$ M5 H; B" M) L+ O. U' m•ADS 台式 LVS 的改进
6 T+ ]: W& c) ^4 ^$ {  W•版图命令行编辑器——启用 cookie 剪切器，能够移除版图中的全部导线7 @/ u$ ^! b: w5 @+ M' H: K
仿真6 Q" }% l6 [( q6 J9 c" }

& e4 G7 Z3 k7 B7 V1 J•更快的线性速度——自动启用线性控制器中的线性网络人字板（Linear Network Collapser）3 @) j5 H  X0 v
•改善聚合/扫描特性——如果遇到聚合问题，忽视并继续操作
! @* E2 }' r' c3 G! f! i•并行计算——更快速的瞬态 GPU、仿真管理器使用瞬态/聚合 8 个一组许可证对并行仿真器进行设置和控制9 C8 |/ ^$ z8 |% ?* g0 U) U3 s
提高与 EMPro 的整合程度
4 ?9 W, V$ ?8 T% \  k5 `
! s, a- U3 r8 R+ s# k4 Y•与 ADS 进一步整合—— 通用数据库允许您将三维元器件内置 EMPro 直接放置到 ADS 原理图和版图中。EMPro 与 ADS 共享数据库，为两者的更紧密整合奠定了基础。EMPro 中的三维对象可以另存为 ADS 设计数据库中的“元件（cell）”，直接在 ADS 中使用。例如在 EMPro 中创建的 3-D SMA 连接器元件，其“元件视图”现在可以直接放置到 ADS 原理图中进行电路/电磁协同仿真，或放置到 ADS 版图（例如用于射频印刷电路板）中，在 ADS 中进行全面的三维电磁仿真。直接集成可优化设计流程，使电路设计人员能够更早地使用全面的三维电磁场建模能力。只有 ADS 2012 才能提供三维电磁场分析和射频/高速产品设计之间的这种互操作性。
0 C! h6 T0 l" F•全新低频分析算法——改善 <100 MHz 的仿真精度（包括直流 DC）。高频电路仿真需要在直流和低频范围内生成精确、稳定的结果。EMPro 2012 还将在电磁仿真技术方面引入多项改进。全新低频分析算法可改善有限元法仿真在 100 MHz 以下（包括直流）的仿真精度。以前的 FEM 求解程序很难在直流和低频范围内生成精确、稳定的结果，无法满足后续的电路仿真甚至更高频率应用的需求。
: }) l* S7 i: I•FEM 网格技术使速度提升 50%——安捷伦还提供增强的 EMPro FEM 网格技术，以便提高速度（通常加快 50％）和稳定性。; T9 E' `- {8 v  P) c; ]
ADS 2012 即将上市！
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# \/ }! _* W' q/ s8 W5 A* PADS 2012 预计在 2012 年 10 月开始发运。点击试用和许可证选项卡，下载软件和/或申请免费试用。如欲了解该版本增添或改进的特性与功能，请参见先进设计系统 2012 更新。" b# U  v. V/ n2 q- g, _

0 S/ v% r# q% u3 B' K- C如果您已经准备使用 ADS，请填写并提交演示软件申请表。/ ?9 s/ q) L9 {  {# D  E

* }" h' g& T# m2 |. u查看其它的 ADS 产品版本。
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