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标题: 整流二极管发烫 [打印本页]
作者: fffshao    时间: 2013-7-26 15:25
标题: 整流二极管发烫
我用的2A的SMA贴片式的整流二极管，发现很烫手不能放在上面，但是我测试了下通过的电流也不过在400ma左右离最大的2A电流相差甚远，这个是什么原因呢
作者: kobeismygod    时间: 2013-7-26 15:46
建议你看下整流二极管的“反向恢复时间”这个参数，因为一般整流二极管应用频率较低，"反向恢复时间"较长，如果和你的Fsw不匹配的话，可能会引起二极管的功耗增加，管子发热。楼主最好还是把图贴上，便于分析。
作者: 超級狗    时间: 2013-7-26 15:52
本帖最后由 超級狗 于 2013-7-26 22:53 编辑 6 P% g: Y2 C$ `4 Q! y' y; Z
& M1 K! C) Y9 ~4 Y
如果是一般二極體，假設 V[sub]F[/sub] = 0.6V，0.6V x 400mA = 2.4W。" M3 Z; G" v5 u0 T
2 ^5 A  k9 L# A+ F1 d
SMA 封裝的逸散功率（Power Dissipation）約 1.5W 左右，早超過其散熱能力了！
; @0 O9 n$ O" T4 |6 q8 q$ {" ]0 b' _1 W$ V& x( C& l# Z- q9 x
有三個方法︰
( j; F& p$ Y. }5 r/ q& Q( J8 v' K" n0 D% }7 i
/ T: j0 }' s/ {1 Z- I, L* S) a4 V
{:soso_e101:}
作者: kobeismygod    时间: 2013-7-26 16:55
超級狗 发表于 2013-7-26 15:52 ! `5 ]' h4 |% m' J% e  N* |
如果是一般二極體，假設 V[sub]F[/sub] = 0.6V，0.6V x 400mA = 2.4W。3 }5 O' d3 h( [/ y# [1 e5 \

  D5 |- o8 J, K7 @* M* ]SMA 封裝的逸散功率（Power Diss ...
' Z; b. r: g$ P3 w8 I( c" x) z+ D9 }
看来大神也有打盹的时候啊，呵呵！
作者: kobeismygod    时间: 2013-7-26 17:15
“吃芝麻沒有不掉燒餅的”，精辟！！
作者: jacklee_47pn    时间: 2013-7-26 17:40
超級狗  吃芝麻沒有不掉燒餅的！>_<|||  发表于 2013-7-26 17:01

" G$ m8 U$ F! l  y% {$ X' Y0 s3 G+ e「仙人打鼓有時錯，腳步踏差誰人無」
作者: liangjiatian    时间: 2013-7-26 17:45
楼主 会不会是假货呢 才一点点电流 怎么可能会那么烫呢
作者: fffshao    时间: 2013-7-26 17:46
超級狗 发表于 2013-7-26 15:52
0 N4 D- o9 J! h+ `; A' i如果是一般二極體，假設 V[sub]F[/sub] = 0.6V，0.6V x 400mA = 2.4W。
, x2 ^. A( _8 M! y1 y+ c
7 a; n: z7 z+ CSMA 封裝的逸散功率（Power Diss ...
# g* }, v% v4 U
既然SMA功率这么小为什么还要做成最大电流为2A的呢，那样即使焊盘加大，也起不了多大作用么
作者: fffshao    时间: 2013-7-26 17:48
我是使用了三个管子串联的用于降压后输入LDO的，谁知道会这么烫
作者: fffshao    时间: 2013-7-26 17:51
我选用的是S2M 型号的二极管，理论上应该没那么烫吧
  H- R8 s# f2 o! ~, x
作者: kobeismygod    时间: 2013-7-26 23:06
本帖最后由 kobeismygod 于 2013-7-26 23:07 编辑 1 r* o2 ^* ]# O7 X7 O
% D) Y+ V( B9 N
以前看到TI有个文档是关于提高LDO输入电压范围的，楼主可以参考下，感觉比串那么多二极管可能会更好些
0 T( }0 J1 d. r: a3 |1 `http://www.ti.com.cn/general/cn/docs/gencontent.tsp?contentId=53426
作者: fffshao    时间: 2013-7-27 13:33
kobeismygod 发表于 2013-7-26 23:06 * X0 v4 k" {- E) I  n$ X+ c8 V  d
以前看到TI有个文档是关于提高LDO输入电压范围的，楼主可以参考下，感觉比串那么多二极管可能会更好些8 D" Q! k  {- a
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4 W$ N+ v9 w4 _0 J' R
仔细看了下，可以实现，但是有个问题，输出的电压随电流变化大不大，电源稳压器输入在6V左右但是电流可能随着负载的变化而变化，这个还能够适用么
作者: kobeismygod    时间: 2013-7-27 20:46
“为了确定 MOSFET 栅极的最小偏置电压，就需要 MOSFET 漏极电流 (ID) 与栅—源电压 (VGS) 数据表曲线图表。就 IRF7601 而言，这些曲线表明该器件要实现 100-mA 的输出电流所需的 VGS 应略低于 1.5 V。由于在 100 mA 情况下，稳压器的最大压降为 100mV，因此稳压器的输入电压必须保持高于 2.9V。从而，MOSFET 栅极偏置至少为 1.5 V + 2.9 V = 4.4 V，这样的话，当 MOSFET 提供 100mA 电流时，其源电压不会降至 2.9V 以下。最大栅极偏置电压一般为稳压器所推荐的工作电压，或为 5.5V。该电压提供超出所需的栅极驱动，以为稳压器在断电模式下提供 1μA 的静态电流。尽管栅极可以在 4.4V 至 5.5V 之间进行偏置，但是应选择一个 5.0V 的偏置电压，以解决阈值电压下的各种变化情况”7 t( i0 X; i5 a/ ]; u; X( z! @
这上面对偏置电压的设置已经做了比较详细的说明，MOS的偏置电压设置要根据LDO负载情况来调整，满足LDO输入电压需求。



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