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DRAMDRAM（Dynamic Random-Access Memory），即动态随机存储器最为常见的系统内存。DRAM 只能将数据保持很短的时间。为了保持数据，DRAM使用电容存储，所以 必须隔一段时间刷新（refresh）一次，如果存储单元没有被刷新，存储的信息就会丢失。 （关机就是一种阻止，那么有没有其他的方法？）; s+ L% r9 E3 h+ X
动态RAM的工作原理 动态RAM也是由许多基本存储元按照行和列来组成的。$ w7 x! g( } r" t$ O
3管动态RAM的工作原理
/ ?2 F+ s; m( q- c9 K 3管动态RAM的基本存储电路如右图所示。在这个电路中，读选择线和写选择线是分开的，读数据线和写数据线也是分开的。
; l+ ~$ J2 B. H7 J& P 写操作时，写选择线为"1"，所以Q1导通，要写入的数据通过Q1送到Q2的栅极，并通过栅极电容在一定时间内保持信息。让我们看一下动态效果 4 h( E0 i( X. B+ S3 s: [* g) K
读操作时，先通过公用的预充电管Q4使读数据线上的分布电容CD充电，当读选择线为高电平有效时,Q3处于可导通的状态。若原来存有"1",则Q2导通，读数据线的分布电容CD通过Q3、Q2放电,此时读得的信息为"0"，正好和原存信息相反；若原存信息为"0",则Q3尽管具备导通条件，但因为Q2截止，所以，CD上的电压保持不变，因而，读得的信息为"1"。可见，对这样的存储电路，读得的信息和原来存入的信息正好相反,所以要通过读出放大器进行反相在送往 数据总线。
p6 ], a% X3 s6 h) ^9 asramSRAM是英文Static RAM的缩写，它是一种具有静止存取功能的内存，不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。不像DRAM内存那样需要刷新电路，每隔一段时间，固定要对DRAM刷新充电一次，否则内部的数据即会消失，因此SRAM具有较高的性能，但是SRAM也有它的缺点，即它的集成度较低，相同容量的DRAM内存可以设计为较小的体积，但是SRAM却需要很大的体积，所以在主板上SRAM存储器要占用一部分面积，在主板上哪些是SRAM呢？
! t3 A, F9 x7 ]8 ^# p" | 一种是置于CPU与主存间的高速缓存，它有两种规格：一种是固定在主板上的高速缓存（Cache Memory ）；另一种是插在卡槽上的COAST（Cache On A Stick）扩充用的高速缓存，另外在CMOS芯片1468l8的电路里，它的内部也有较小容量的128字节SRAM，存储我们所设置的配置数据。还有为了加速CPU内部数据的传送，自80486CPU起，在CPU的内部也设计有高速缓存，故在Pentium CPU就有所谓的L1 Cache（一级高速缓存）和L2Cache（二级高速缓存）的名词，一般L1 Cache是内建在CPU的内部，L2 Cache是设计在CPU的外部，但是Pentium Pro把L1和L2 Cache同时设计在CPU的内部，故Pentium Pro的体积较大。最新的Pentium II又把L2 Cache移至CPU内核之外的黑盒子里。SRAM显然速度快，不需要刷新的*作，但是也有另外的缺点，就是价格高，体积大，所以在主板上还不能作为用量较大的主存。现将它的特点归纳如下：
; S) X# d4 v0 d& n6 q- w ◎优点，速度快，不必配合内存刷新电路，可提高整体的工作效率。 * P+ ~, p& y0 [) Z6 F* `& N! }
◎缺点，集成度低，功耗较大，相同的容量体积较大，而且价格较高，少量用于关键性系统以提高效率。 . N& o8 M1 Z$ j# ]- a* o8 [) i
◎SRAM使用的系统： # C L+ w2 v f) A# i" b+ Z. W) J
○CPU与主存之间的高速缓存。 3 l! f$ J2 F: W* i
○CPU内部的L1／L2或外部的L2高速缓存。 : G" m( A& t" A2 \4 ?( [
○CPU外部扩充用的COAST高速缓存。
* T# e* q5 W- Y l2 |+ m ○CMOS 146818芯片（RT＆CMOS SRAM）。 : ~1 H. `8 P5 c. N0 q: N
SRAM（速联）：自行车零件的一个品牌，该品牌于shimano组成了2大阵营（主流阵营，其他还有SR、Micor Shift等），区别是，shimano的零件包括了制动、传动、变速等部件，而SRAM，常见的还是在变速套件方面，其推出的X.0、X.5、X.7等系列，深受自行车爱好者推崇。5 w" u' H5 x) l8 I. D; D
SDRAM:Synchronous Dynamic Random Access Memory,同步动态随机存取存储器，同步是指Memory工作需要同步时钟，内部的命令的发送与数据的传输都以它为基准；动态是指存储阵列需要不断的刷新来保证数据不丢失；随机是指数据不是线性依次存储，而是由指定地址进行数据读写。1 J* Y; }% M0 C6 m8 z
SDRAM从发展到现在已经经历了四代，分别是：第一代SDR SDRAM，第二代DDR SDRAM，第三代DDR2 SDRAM，第四代DDR3 SDRAM.% B# p6 v# K! m( p: R& _$ a
第一代与第二代SDRAM均采用单端（Single-Ended）时钟信号,第三代与第四代由于工作频率比较快，所以采用可降低干扰的差分时钟信号作为同步时钟。
6 E( y9 L' x6 `9 k$ Z SDR SDRAM的时钟频率就是数据存储的频率，第一代内存用时钟频率命名，如pc100，pc133则表明时钟信号为100或133MHz，数据读写速率也为100或133MHz。
/ a: j" T; t+ c& C7 Q* l 之后的第二，三，四代DDR（Double Data Rate）内存则采用数据读写速率作为命名标准，并且在前面加上表示其DDR代数的符号，PC-即DDR，PC2=DDR2，PC3=DDR3。如PC2700是DDR333，其工作频率是333/2=166MHz，2700表示带宽为2.7G。
4 o) R2 ]' a4 ~# ] DDR的读写频率从DDR200到DDR400，DDR2从DDR2-400到DDR2-800，DDR3从DDR3-800到DDR3-1666。/ S: M$ m( }$ Y% d0 Q
很多人将SDRAM错误的理解为第一代也就是 SDR SDRAM，并且作为名词解释，皆属误导。
$ f$ U3 c) c9 w5 @ { y SDR不等于SDRAM。8 }2 M! u; k; ]" s4 ~9 ?+ c
Pin:模组或芯片与外部电路电路连接用的金属引脚，而模组的pin就是常说的“金手指”。
1 c& q/ _5 J- Z1 d SIMM：Single In-line Memory Module,单列内存模组。内存模组就是我们常说的内存条，所谓单列是指模组电路板与主板插槽的接口只有一列引脚（虽然两侧都有金手指）。
$ z) Y% v6 N h! y- a+ V) Z0 M DIMM：Double In-line Memory Module，双列内存模组。是我们常见的模组类型，所谓双列是指模组电路板与主板插槽的接口有两列引脚，模组电路板两侧的金手指对应一列引脚。3 E4 A' F/ r- V8 Q- ~5 D
RIMM：registered DIMM，带寄存器的双线内存模块，这种内存槽只能插DDR或Rambus内存。
& t5 d1 X$ {& v5 a" L# o SO-DIMM:笔记本常用的内存模组。& R5 E9 x9 s8 L4 S# N: c
工作电压：
5 [) A. A9 u6 v6 o SDR：3.3V
4 l0 m! I! Q# ?7 l% h DDR：2.5V" a& y1 t, m, z
DDR2：1.8V5 ~* b8 {3 o0 M3 N1 m2 m2 H0 ^
DDR3：1.5V3 y+ D! m+ A& u7 z, E9 p
SDRAM内存条的金手指通常是168线，而DDR SDRAM内存条的金手指通常是184线的。+ H0 l3 L$ H# A
几代产品金手指的缺口数及缺口位置也不同有效防止反插与错插，SDRAM有两个缺口，DDR只有一个缺口。 |
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发表于 2009-2-22 23:48
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