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DRAMDRAM(Dynamic Random-Access Memory),即动态随机存储器最为常见的系统内存。DRAM 只能将数据保持很短的时间。为了保持数据,DRAM使用电容存储,所以 必须隔一段时间刷新(refresh)一次,如果存储单元没有被刷新,存储的信息就会丢失。 (关机就是一种阻止,那么有没有其他的方法?); s+ L% r9 E3 h+ X
动态RAM的工作原理 动态RAM也是由许多基本存储元按照行和列来组成的。$ w7 x! g( } r" t$ O
3管动态RAM的工作原理
/ ?2 F+ s; m( q- c9 K 3管动态RAM的基本存储电路如右图所示。在这个电路中,读选择线和写选择线是分开的,读数据线和写数据线也是分开的。
; l+ ~$ J2 B. H7 J& P 写操作时,写选择线为"1",所以Q1导通,要写入的数据通过Q1送到Q2的栅极,并通过栅极电容在一定时间内保持信息。让我们看一下动态效果 4 h( E0 i( X. B+ S3 s: [* g) K
读操作时,先通过公用的预充电管Q4使读数据线上的分布电容CD充电,当读选择线为高电平有效时,Q3处于可导通的状态。若原来存有"1",则Q2导通,读数据线的分布电容CD通过Q3、Q2放电,此时读得的信息为"0",正好和原存信息相反;若原存信息为"0",则Q3尽管具备导通条件,但因为Q2截止,所以,CD上的电压保持不变,因而,读得的信息为"1"。可见,对这样的存储电路,读得的信息和原来存入的信息正好相反,所以要通过读出放大器进行反相在送往 数据总线。
p6 ], a% X3 s6 h) ^9 asramSRAM是英文Static RAM的缩写,它是一种具有静止存取功能的内存,不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。不像DRAM内存那样需要刷新电路,每隔一段时间,固定要对DRAM刷新充电一次,否则内部的数据即会消失,因此SRAM具有较高的性能,但是SRAM也有它的缺点,即它的集成度较低,相同容量的DRAM内存可以设计为较小的体积,但是SRAM却需要很大的体积,所以在主板上SRAM存储器要占用一部分面积,在主板上哪些是SRAM呢?
! t3 A, F9 x7 ]8 ^# p" | 一种是置于CPU与主存间的高速缓存,它有两种规格:一种是固定在主板上的高速缓存(Cache Memory );另一种是插在卡槽上的COAST(Cache On A Stick)扩充用的高速缓存,另外在CMOS芯片1468l8的电路里,它的内部也有较小容量的128字节SRAM,存储我们所设置的配置数据。还有为了加速CPU内部数据的传送,自80486CPU起,在CPU的内部也设计有高速缓存,故在Pentium CPU就有所谓的L1 Cache(一级高速缓存)和L2Cache(二级高速缓存)的名词,一般L1 Cache是内建在CPU的内部,L2 Cache是设计在CPU的外部,但是Pentium Pro把L1和L2 Cache同时设计在CPU的内部,故Pentium Pro的体积较大。最新的Pentium II又把L2 Cache移至CPU内核之外的黑盒子里。SRAM显然速度快,不需要刷新的*作,但是也有另外的缺点,就是价格高,体积大,所以在主板上还不能作为用量较大的主存。现将它的特点归纳如下:
; S) X# d4 v0 d& n6 q- w ◎优点,速度快,不必配合内存刷新电路,可提高整体的工作效率。 * P+ ~, p& y0 [) Z6 F* `& N! }
◎缺点,集成度低,功耗较大,相同的容量体积较大,而且价格较高,少量用于关键性系统以提高效率。 . N& o8 M1 Z$ j# ]- a* o8 [) i
◎SRAM使用的系统: # C L+ w2 v f) A# i" b+ Z. W) J
○CPU与主存之间的高速缓存。 3 l! f$ J2 F: W* i
○CPU内部的L1/L2或外部的L2高速缓存。 : G" m( A& t" A2 \4 ?( [
○CPU外部扩充用的COAST高速缓存。
* T# e* q5 W- Y l2 |+ m ○CMOS 146818芯片(RT&CMOS SRAM)。 : ~1 H. `8 P5 c. N0 q: N
SRAM(速联):自行车零件的一个品牌,该品牌于shimano组成了2大阵营(主流阵营,其他还有SR、Micor Shift等),区别是,shimano的零件包括了制动、传动、变速等部件,而SRAM,常见的还是在变速套件方面,其推出的X.0、X.5、X.7等系列,深受自行车爱好者推崇。5 w" u' H5 x) l8 I. D; D
SDRAM:Synchronous Dynamic Random Access Memory,同步动态随机存取存储器,同步是指Memory工作需要同步时钟,内部的命令的发送与数据的传输都以它为基准;动态是指存储阵列需要不断的刷新来保证数据不丢失;随机是指数据不是线性依次存储,而是由指定地址进行数据读写。1 J* Y; }% M0 C6 m8 z
SDRAM从发展到现在已经经历了四代,分别是:第一代SDR SDRAM,第二代DDR SDRAM,第三代DDR2 SDRAM,第四代DDR3 SDRAM.% B# p6 v# K! m( p: R& _$ a
第一代与第二代SDRAM均采用单端(Single-Ended)时钟信号,第三代与第四代由于工作频率比较快,所以采用可降低干扰的差分时钟信号作为同步时钟。
6 E( y9 L' x6 `9 k$ Z SDR SDRAM的时钟频率就是数据存储的频率,第一代内存用时钟频率命名,如pc100,pc133则表明时钟信号为100或133MHz,数据读写速率也为100或133MHz。
/ a: j" T; t+ c& C7 Q* l 之后的第二,三,四代DDR(Double Data Rate)内存则采用数据读写速率作为命名标准,并且在前面加上表示其DDR代数的符号,PC-即DDR,PC2=DDR2,PC3=DDR3。如PC2700是DDR333,其工作频率是333/2=166MHz,2700表示带宽为2.7G。
4 o) R2 ]' a4 ~# ] DDR的读写频率从DDR200到DDR400,DDR2从DDR2-400到DDR2-800,DDR3从DDR3-800到DDR3-1666。/ S: M$ m( }$ Y% d0 Q
很多人将SDRAM错误的理解为第一代也就是 SDR SDRAM,并且作为名词解释,皆属误导。
$ f$ U3 c) c9 w5 @ { y SDR不等于SDRAM。8 }2 M! u; k; ]" s4 ~9 ?+ c
Pin:模组或芯片与外部电路电路连接用的金属引脚,而模组的pin就是常说的“金手指”。
1 c& q/ _5 J- Z1 d SIMM:Single In-line Memory Module,单列内存模组。内存模组就是我们常说的内存条,所谓单列是指模组电路板与主板插槽的接口只有一列引脚(虽然两侧都有金手指)。
$ z) Y% v6 N h! y- a+ V) Z0 M DIMM:Double In-line Memory Module,双列内存模组。是我们常见的模组类型,所谓双列是指模组电路板与主板插槽的接口有两列引脚,模组电路板两侧的金手指对应一列引脚。3 E4 A' F/ r- V8 Q- ~5 D
RIMM:registered DIMM,带寄存器的双线内存模块,这种内存槽只能插DDR或Rambus内存。
& t5 d1 X$ {& v5 a" L# o SO-DIMM:笔记本常用的内存模组。& R5 E9 x9 s8 L4 S# N: c
工作电压:
5 [) A. A9 u6 v6 o SDR:3.3V
4 l0 m! I! Q# ?7 l% h DDR:2.5V" a& y1 t, m, z
DDR2:1.8V5 ~* b8 {3 o0 M3 N1 m2 m2 H0 ^
DDR3:1.5V3 y+ D! m+ A& u7 z, E9 p
SDRAM内存条的金手指通常是168线,而DDR SDRAM内存条的金手指通常是184线的。+ H0 l3 L$ H# A
几代产品金手指的缺口数及缺口位置也不同有效防止反插与错插,SDRAM有两个缺口,DDR只有一个缺口。 |
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