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[技术讨论] 关于 LVDS 传输线上串联磁珠的问题?

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  • TA的每日心情
    开心
    2022-1-21 15:21
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    [LV.1]初来乍到

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    1#
    发表于 2022-11-30 13:54 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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    x
    最近做产品,需要用到LVDS,看到以前一块友商的板子上LVDS 驱动板上数据线上靠近连接器的地方串联了磁珠,按理说LVDS信号有200多M,串联磁珠不是直接增加了其传输线阻,会使信号衰减吗,希望各位大神帮忙解答下?
    # L5 o/ [0 h/ K7 d4 \- l大概是这样

    4 g  w7 v- F2 |, }7 B
    6 T- N/ L9 ~; _, F( P3 |* V0 t/ D1 xLVDS发射端用的芯片是SN75LVDS83B+ x4 Q, Q" q: O( W5 l

      S4 ?5 a2 d- K5 Y) |

    该用户从未签到

    推荐
    发表于 2022-12-1 08:34 | 只看该作者
    磁珠可以串,但要正负都串。0 l8 v8 s7 o  V
    会影响上升沿,即最高速率,
    % l  t7 M1 e6 H/ c0 B  l* ^. N至于衰减,LVDS是电流信号还好。
  • TA的每日心情
    奋斗
    2022-1-21 15:15
  • 签到天数: 1 天

    [LV.1]初来乍到

    2#
    发表于 2022-11-30 15:09 | 只看该作者
    因为离连接器较近,是不是为了阻抗匹配,减少信号反射,- N6 G9 x& x& w) a7 q5 `
  • TA的每日心情
    开心
    2022-1-29 15:04
  • 签到天数: 1 天

    [LV.1]初来乍到

    3#
    发表于 2022-11-30 15:13 | 只看该作者
    应该要用共模电感的,但是也有看到用磁珠的。

    该用户从未签到

    4#
    发表于 2022-11-30 15:21 | 只看该作者
    从图上已经放了共模电感,圈起来的部分楼主可以再确认一下,有可能是0欧电阻;如果确定是磁珠,那可能是为了抑制高次谐波EMI

    该用户从未签到

    5#
    发表于 2022-11-30 18:59 | 只看该作者
    磁珠的主要参数分析,阻抗频率曲线是显示在不同频段磁珠的抑制作用,整个过程不是线性的。
    7 Z+ w1 i' g* J+ K, T! t& L% J当频率超出抑制最高点,磁珠的特性就会产生变化,R减小。

    该用户从未签到

    6#
    发表于 2022-12-1 08:32 | 只看该作者
    前面的LVDS共模看着不太对,是不是选型不对?
    * v& B2 Z$ q4 ]. y' g" E. D一般会用LVDS的速率不低,一般高速的共模都比较小。5 {( C+ G  l! ?, T" |- C% x$ h
    看那体积有点像CAN之类低速的。
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