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100V25A 25N10 N沟道场效应管 打火机MOS管 TO-252开关损耗小低开启电压1.4VHG021N10L

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    [LV.1]初来乍到

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    发表于 2021-2-24 10:01 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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    场效应管广泛使用在模拟电路中与数字电路中,和我们的生活密不可分。场效应管的优势在于:首先驱动电路比较简单。场效应管需要的驱动电流比BJT则小得多,而且通常可以直接由CMOS或者集电极开路TTL驱动电路;某次场效应管的开关速度比较迅速,能够以较高的速度工作,因为没有电荷存储效应;另外场效应管没有二次击穿失效机理,它在温度越高时往往耐力越强,而且发生热击穿的可能性越低,还可以在较宽的温度范围内提供较好的性能。场效应管已经得到了大量应用,在消费电子、工业产品、机电设备、智能手机以及其他便携式数码电子产品中随处可见。7 {/ [  \6 z! o; [5 Z& ?' Q
    , a2 z9 b# X7 u  m! g
    惠海半导体MOS管采用SGT工艺,性能优越,品质好,具有高频率、大电流、低开启电压、低内阻、结电容小、低消耗、低温升、高转换效率、过电流大、抗冲击能力强、开关损耗小等的优点。: g. `$ m( r% i  s; R! T" I( S
    【免费提供方案及技术支持,免费提供样品测试~】+ F" s: W  Q$ V# h

    ) {. p+ H  S  G5 [MOS管型号:HG021N10L-A
    3 @* W, U$ Y, b) O参数:100V25A(25N10)
    , [) N8 V4 b1 y* j8 A0 F4 N% c内阻:25mR(VGS=10V)2 u* _4 }) k; T. y3 L+ P
    结电容:839pF' A' x7 n1 C& [+ W3 o
    类型:SGT工艺NMOS1 b# M/ e  r* R& L' C
    开启电压:1.4V% t9 k) }3 O2 B% `. \% o
    封装:TO-252; f! }* e2 O- v5 I

    , F0 S  y% L2 c0 D9 S/ P
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    [LV.1]初来乍到

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     楼主| 发表于 2021-2-24 15:55 | 只看该作者
    可免费申请样品和DEMO测试,免费技术支持,庞工:15323519289 (微信同号)企业qq/QQ:3007461762
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    [LV.1]初来乍到

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     楼主| 发表于 2021-2-25 09:51 | 只看该作者
    【东莞市惠海半导体有限公司】8 B2 [; Y0 E: @" R  B* ~- q
    ①12V 24V 36V 42V 48V 60V 72V 80V 85V 90V 95V 100V 105V 110V 120V 150V降压恒压芯片IC$ ^! \  K, W! y. p5 p
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    发表于 2021-4-21 19:02 | 只看该作者
    看看           + }, V' O, \* C$ B
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