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阻抗计算时的H和H1的值是多少啊?怎么来的?

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1#
发表于 2011-5-3 14:49 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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请教高手,在用CITS25计算阻抗的时候,表层线有一个H值,内层走线有一个H和H1值,请问这两个值分别填多少啊?这些值是怎么得来的呢,谢谢
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    [LV.2]偶尔看看I

    2#
    发表于 2011-5-3 15:54 | 只看该作者
    叠层设置……

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    3#
     楼主| 发表于 2011-5-4 14:36 | 只看该作者
    叠层设置是这样的TOP/GND02/INNER03/POWER04/GND05/INNER06/POWER07/BOTTOM,顺便问一下上面的叠层设置如果改为TOP/GND02/INNER03/POWER04/POWER05/INNER06/GND07/BOTTOM哪种比较好呢

    该用户从未签到

    4#
     楼主| 发表于 2011-5-4 14:40 | 只看该作者
    我自己计算的结果如下,不知道对不对,计算单端阻抗的时候我选H为4MIL,差分计算的时候我选H1=4MIL,H=14MIL,就是走线层绝缘材料的厚度和层压厚度,但是这两个值不知道应该参考哪里来的) f. S$ W% w! u" S  T) |* u
    USB:
    ; D" Z0 p5 `2 `6 ^5 bIMPEDANCE:90 OHM . A* p3 g( `! N8 Z' s
    L1/L8:6/5.5 MIL   89.06               L3/L6:5.5/8 MIL   90.73* |  b7 d0 q6 G& ^' @
    HDMI:$ H" m# x0 ]* E2 v4 J  r
    IMPEDANCE:95 OHM " }. ~# N1 o- q
    L1/L8:5.1/5.5 MIL   94.32               L3/L6:5.1/9 MIL  95.23
    + n! e. Z2 `% XLVDS:# Y9 ?$ x" k: e2 T& D6 ?% i3 t
    IMPEDANCE:100 OHM 8 m+ A& x: M' }) F- b+ t7 ?( a1 \
    L1/L8:5.1/7 MIL    99.95         L3/L6:5.1/10 MIL     96.314 Z+ @: o- t' l
    + h+ |1 z/ U+ [
    DDR:
    $ B3 u" ?% p# y: I6 H! e2 [4 `CLK:
    " y5 t/ R% R# G! _IMPEDANCE:65 OHM   ]' n" s0 q% ?: l& p4 [) B
    L1/L8:10.5/5  MIL    67.57         L3/L6:8.5/5 MIL     68.53
    & C9 ]. r; D' E
    . b. H' T8 d1 d, _( ]DATA STROBE:
    0 }0 S6 R$ |- \4 V/ T4 @& a9 FIMPEDANCE:85 OHM
    - r1 q3 ~# Y& j+ kL1/L8:6.5/5  MIL  84.41         L3/L6:5.5/5.5 MIL     85.62; P9 x6 f4 s) X
    . `1 z! U1 Z% z$ b( W4 @$ k. n, s% b
    DATA CONTROL COMMAND:' X+ Y+ O. _' Q% W# g
    IMPEDANCE:37 OHM
    % q# e+ x- ~9 ~6 a6 LL1/L8:11.5 MIL  40.68       L3/L6:7.9 MIL     40.153 k8 ?- h5 V( d! k* C

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    5#
     楼主| 发表于 2011-5-4 14:43 | 只看该作者
    最后一个值都是实际计算出来的结果,与要求值比较接近,但是有一个问题,最后一个要求37OHM的阻抗,表层要走11.5MIL的线宽,这样在DDR的颗粒是比较宽的线,如果空间有限,很难做到的啊

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    6#
     楼主| 发表于 2011-5-4 14:44 | 只看该作者
    所以怀疑计算结果不对

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    7#
     楼主| 发表于 2011-5-4 14:46 | 只看该作者
    当计算的时候,是不是所有的计算中的H和H1都是固定了的,还是不同层可以填不同的值呢

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    8#
     楼主| 发表于 2011-5-9 17:53 | 只看该作者
    没人回答,自己顶
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