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70N06雾化器美容仪N-MOS HG008N08L 60V70A 沟槽型 低RDS 皮实耐抗

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 楼主| 发表于 2024-7-4 09:29 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金属氧化物半导体场效应晶体管)的工作原理主要涉及到栅极电压、沟道导电性以及源极/漏极电压等因素的相互作用。具体来说:
当栅极电压为低电平(通常为0V)时,绝缘层(如氧化硅SiO2)将栅极与沟道隔离,沟道内没有自由电子或空穴,因此处于截止状态,不导电。当栅极电压为高电平(通常为正电压)时,绝缘层被击穿,栅极与沟道之间形成电场。如果栅极电压足够高,电场强度将使沟道中的半导体材料被注入自由电子或空穴,形成导电通道。此时,沟道内的自由电子或空穴可以由源极/漏极引线提供或排除,从而实现电流的流动。
MOS管中的沟槽工艺(Trench MOSFET)和SGT工艺(Shielded Gate Transistor,屏蔽栅沟槽MOSFET)的区别:
结构与设计:沟槽型MOSFET的结构较为简单,而SGT MOSFET具有更深的沟槽深度,这使其可以利用更多的硅体积来吸收EAS能量。SGT MOSFET的沟槽填充能力更强,可以缩小单位元胞尺寸,降低器件Rsp3。
性能与特性:SGT MOSFET通过减小场效应晶体管的寄生电容及导通电阻,提升了芯片性能,减小了芯片面积。与传统沟槽型场效应管相比,在同一功耗下可将芯片面积减少40%或更多。SGT MOSFET还具有低导通损耗和更低的开关损耗。
MOS管应用:加湿器、雾化器、香薰机、美容仪、榨汁机、暖奶器、脱毛仪、车灯、舞台灯、灯带调光、蓝牙音箱、太阳能电源、电弧打火机、手机无线充等领域。
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