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MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金属氧化物半导体场效应晶体管）的工作原理主要涉及到栅极电压、沟道导电性以及源极/漏极电压等因素的相互作用。具体来说： 当栅极电压为低电平（通常为0V）时，绝缘层（如氧化硅SiO2）将栅极与沟道隔离，沟道内没有自由电子或空穴，因此处于截止状态，不导电。当栅极电压为高电平（通常为正电压）时，绝缘层被击穿，栅极与沟道之间形成电场。如果栅极电压足够高，电场强度将使沟道中的半导体材料被注入自由电子或空穴，形成导电通道。此时，沟道内的自由电子或空穴可以由源极/漏极引线提供或排除，从而实现电流的流动。 MOS管中的沟槽工艺（Trench MOSFET）和SGT工艺（Shielded Gate Transistor，屏蔽栅沟槽MOSFET）的区别： 结构与设计：沟槽型MOSFET的结构较为简单，而SGT MOSFET具有更深的沟槽深度，这使其可以利用更多的硅体积来吸收EAS能量。SGT MOSFET的沟槽填充能力更强，可以缩小单位元胞尺寸，降低器件Rsp3。 性能与特性：SGT MOSFET通过减小场效应晶体管的寄生电容及导通电阻，提升了芯片性能，减小了芯片面积。与传统沟槽型场效应管相比，在同一功耗下可将芯片面积减少40%或更多。SGT MOSFET还具有低导通损耗和更低的开关损耗。 MOS管应用：加湿器、雾化器、香薰机、美容仪、榨汁机、暖奶器、脱毛仪、车灯、舞台灯、灯带调光、蓝牙音箱、太阳能电源、电弧打火机、手机无线充等领域。 & e0 z: { r9 ]+ G( K3 T; B
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