寻找发热小的LDO

zhanglaoye · 发表于 2014-8-26 23:12

北漂的木木发表于 2014-8-26 09:44
/ k) T" D6 }2 ]根据困难一起抗的原则，LDO前降低输入电压或串二极管，具体多少要自己实验，不能低于3.5V，否则可能不能 ...

有很长时间没用LDO,数据有失误，是的它们最小压差0.2V左右即可，谢谢指正！

bingshuihuo · 发表于 2014-8-27 10:28

seawolf1939 发表于 2014-8-26 10:04
9 K X& z) j7 c7 T不同的封装，有一个对应的热阻

上面的封装热阻在那里可以查的到啊，谢谢！！！

风吹摇摆 · 发表于 2014-8-27 11:40

ME6211系列的PD最大为500mW（sot89）,你需要的LDO功耗为（5-1.8）*0.18=0.576W，你需要换更大功耗的LDO

rroyye · 发表于 2014-8-28 13:45

风吹摇摆发表于 2014-8-27 11:40
# R: B# @ K3 v0 \2 j' z/ g" s# wME6211系列的PD最大为500mW（sot89）,你需要的LDO功耗为（5-1.8）*0.18=0.576W，你需要换更大功耗的LDO

谢谢，提示。

kaichen · 发表于 2014-8-28 21:59

你在LDO输入端之前串个功率电阻，保证输出正常，分担部分功耗在电阻上

rroyye · 发表于 2014-8-31 12:52

zhanglaoye 发表于 2014-8-25 19:18
+ G* A' [* E: y根据困难一起抗的原则，LDO前降低输入电压或串二极管，具体多少要自己实验，不能低于3.5V，否则可能不能正 ...

串两三个二极管降了1点多伏的电源，电源稳定性可靠吗？还需要考虑些什么不稳定性的因素。有没有一个肖特基二级管降一点多伏的

zhanglaoye · 发表于 2014-9-1 00:30

有啊，碳化硅二极管。你可以从5降到3.3再降到1.8加个LDO.你是嫌多个二极管占地方？那没办法。要解决过热都要增加地方。

ych634227759 · 发表于 2014-9-26 20:51

压降太大啦！

rroyye · 发表于 2014-9-27 12:37

zhanglaoye 发表于 2014-9-1 00:30
$ R; w% K6 D& H' f4 s4 J/ L4 d有啊，碳化硅二极管。你可以从5降到3.3再降到1.8加个LDO.你是嫌多个二极管占地方？那没办法。要解决过热都 ...

碳化硅二极管没用过，体积很大吧。压降可以到多少？

zhanglaoye · 发表于 2014-9-28 17:35

rroyye 发表于 2014-9-27 12:37
% ?4 m; p( Q0 U6 H! Z' b. E9 a# s碳化硅二极管没用过，体积很大吧。压降可以到多少？

开玩笑呢，贵又大。压降1V多

gaochengmcu · 发表于 2014-10-10 08:31

换封装，输入端加个功率电阻

rroyye · 发表于 2014-10-10 12:37

gaochengmcu 发表于 2014-10-10 08:31
% ?6 V8 s5 e- M( d( w换封装，输入端加个功率电阻

是的，要换封装

rroyye · 发表于 2014-10-10 12:39

风吹摇摆发表于 2014-8-27 11:40
# o- G1 O: m& l h" }ME6211系列的PD最大为500mW（sot89）,你需要的LDO功耗为（5-1.8）*0.18=0.576W，你需要换更大功耗的LDO

是的，封装和压降限制了

rroyye · 发表于 2016-4-10 16:42

fallen 发表于 2014-8-24 12:10
9 t4 q& ]/ s+ ?伪命题，（5-1.8）×0.18×热阻（140度/W）=80度

谢谢版主指导。

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