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楼主: shark4685
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DDR3详解....各种技术参数

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16#
发表于 2015-3-13 11:20 | 只看该作者
david.dan 发表于 2015-3-12 14:56
' C$ M) u! Q* Q) p- u/ ~昨天在科学园的课程很精彩,顶一个
! U- G) N4 {$ E  ?% X6 h9 X  \
影响力  超级大 : }8 y1 _# Y! H9 H9 N0 _# x# [

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17#
发表于 2015-3-13 11:28 | 只看该作者
周三的讲座不错。期待中

点评

!!!  发表于 2015-3-13 14:31

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18#
 楼主| 发表于 2015-3-13 14:30 | 只看该作者
Fly-by的时钟拓扑结构% ~6 K1 K+ l. g# Z9 K3 n% @/ e5 s# X
DDR3采用菊花链式的结构,能支持更快的速率。7 m7 o' Q# D7 B1 V2 y7 [- u

0 ^! y8 V, K6 `6 ~7 _: X, G! K; e- x * n& r3 e; H8 i& U# Y. j3 E

' @' U# W+ W: bDDR2经典结构的T型的拓扑
& Z4 e* E" R9 `! n/ c) s! h) c; _( s+ L2 `# L) h* @4 O6 H! c$ g, A7 N

4 I, h: s' l( Q* D6 X3 u6 l
! t' \" f( K0 z+ s$ q4 v

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19#
 楼主| 发表于 2015-3-13 14:40 | 只看该作者
Write Leveling 机制5 A5 h/ q. A, p" o/ m' t4 C3 s

. N5 @# I- s8 s/ R1 B/ E因为DDR3为了更好的信号质量,达到更高的速率,采用了fly-by的拓扑结构,时钟到各片的物理距离变的不一样了,所以一般DDR3内存控制器设计了一种叫做Write Leveling的机制,其作用就是在芯片内部进行时钟和数据/Strobe间的延时。
3 |' s& g* t" Y' L5 R( _5 U% l. {) [
6 D7 F) L1 F9 Z( ]( T在系统初始化的过程中,控制芯片与SDRAM通过数据信号进行通信(training),控制芯片根据收到的反馈信号进行内部延时调节,很显然,控制芯片到每一个SDRAM的延时都会不一样。
. ^2 w: P! B8 d1 t' Z- U, [- L' W
通过这种机制,使得每个SDRAM看到的时钟,数据和STROBE信号,就跟在DDR2看到的一样。

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20#
 楼主| 发表于 2015-3-13 14:52 | 只看该作者
TVAC的要求:
( c% y: p5 H( c# R. w$ _# {$ i) h; t, a1 G, ~
DDR3信号必须在VIH(ac)以上,VIL(ac)以下保持一定的时间* q" q* h2 h1 c0 b: t, ~: u/ ~2 ]; u
这段时间叫做TVAC,它是跟信号的速率相关的- q; \9 C+ M/ Z7 B" X/ I
即使时序裕量是不满足,TVAC的要求也必须满足。
& _/ n: A6 Y* s1 K  I
9 N( i. `, v* Z$ H0 u8 h
. Q- ]9 P7 B" Z8 t- _

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21#
发表于 2015-3-13 14:53 | 只看该作者
加油,楼住,好像理解起来越来越难了。基础不好啊。

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22#
发表于 2015-3-13 21:35 | 只看该作者
顶贴啊,如果把图贴出来,最好把图中的东西都解释一下,比如nominal line等等

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23#
发表于 2015-3-14 14:22 | 只看该作者
ccnow 发表于 2015-3-13 21:35
  g: z2 Z3 }( q; h顶贴啊,如果把图贴出来,最好把图中的东西都解释一下,比如nominal line等等

6 q  {" U% \1 K: Ssorry,这位兄弟,JEDEC规范截图只截了一半,如下位NOMINAL LINE 的定义
! F& o- Q+ k* I6 [
. w4 O# l1 L- x
. q% R  [' `4 C$ ~3 z
+ a) J+ b8 D; x$ u: U4 INOMINAL LINE 翻译成中文是标称线,标称趋势的(两点直连)
# e/ t* |8 {6 x% |  HTANGENT LINE 是切线& O# q" w, ^; d3 D' A
+ L( O1 y( J* u. t$ \
上面这两个公式是用来计算建立时间(setup time)的上升/下降时间的斜率。( w# p( f+ f( }, |0 N  j4 h+ t0 j
/ k1 g8 q) b; u8 @% E
  f) H. }0 d3 }, M" e
/ B* R3 T  ]+ A! ~  C2 S+ \

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24#
发表于 2015-3-14 14:26 | 只看该作者
不懂,顶版主。。

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25#
 楼主| 发表于 2015-3-14 14:33 | 只看该作者
sorry,这位兄弟,JEDEC规范截图只截了一半,如下位NOMINAL LINE 的定义
0 Q% T- a5 o$ i, o, r6 C! M" w" c. k( A+ i& X' D7 {
NOMINAL LINE 翻译成中文是标称线,标称趋势的(两点直连)
* D; r! U$ U; Y2 o) }6 PTANGENT LINE 是切线" ]  h3 \  }" C, V
# J4 y0 q5 t' G  T; I6 \
上面这两个公式是用来计算建立时间(setup time)的上升/下降时间的斜率。' j6 ^# S1 b0 U4 [. V1 h" |8 p) Z" A

  e% s% M6 Y  `2 Z% `* c) t

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26#
 楼主| 发表于 2015-3-14 15:49 | 只看该作者
本帖最后由 shark4685 于 2015-3-16 14:40 编辑 ) s) L. H& L' D  w

& I7 ]& P: z. T" s9 V( @DDR3的突发长度(Burst Length,BL)
( M, T6 D* q! {- k

( S3 w/ P( p' f% A. T6 o) d3 @由于DDR3的预取为8bit,所以突发传输周期(Burst Length,BL)也固定为8,
. u0 ?- U+ ]9 m' ]; c8 Y2 _- k) h$ N而对于DDR2和早期的DDR架构系统,BL=4也是常用的,% y' ^; D4 q: L6 w7 O- L
DDR3为此增加了一个4bit Burst Chop(突发突变)模式,9 A$ ~7 l+ y' }7 V+ m' B
即由一个BL=4的读取操作加上一个BL=4的写入操作来合成一个BL=8的数据突发传输,
5 u4 i  @$ G  G; O+ }5 Q届时可通过A12地址线来控制这一突发模式。而且需要指出的是,
5 ~# r& Z3 ?8 M2 a" Z任何突发中断操作都将在DDR3内存中予以禁止,
9 Y* W  P1 R1 Z5 [- r. D$ z且不予支持,取而代之的是更灵活的突发传输控制(如4bit顺序突发)。
7 w$ n% L6 x  ~( g( D0 [0 B2 Z

点评

请教版主,突发长度是什么作用呢? 能否讲解一下DDR上电初始化的过程  详情 回复 发表于 2015-3-19 13:29

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27#
发表于 2015-3-14 17:28 | 只看该作者
必须仔细听课。

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29#
发表于 2015-3-15 12:45 来自手机 | 只看该作者
感谢楼主分享~~~~~

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30#
发表于 2015-3-15 18:06 | 只看该作者
能解释一下DDR4就好
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