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楼主: shark4685
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DDR3详解....各种技术参数

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16#
发表于 2015-3-13 11:20 | 只看该作者
david.dan 发表于 2015-3-12 14:567 M' J% ^# l* u; _
昨天在科学园的课程很精彩,顶一个

$ J2 @0 T+ B  ~) T+ k# u影响力  超级大 + C6 S, p( C7 k( D9 T; R# ]0 D: M1 ^

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17#
发表于 2015-3-13 11:28 | 只看该作者
周三的讲座不错。期待中

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18#
 楼主| 发表于 2015-3-13 14:30 | 只看该作者
Fly-by的时钟拓扑结构+ d* S2 d' [) Z! B9 \2 v) X0 W6 t  q
DDR3采用菊花链式的结构,能支持更快的速率。
2 P% l$ V1 }" I1 e1 E$ y2 A& w8 R' X; S

5 K8 o$ x; C7 i& t, W0 S9 w8 U4 i8 S
DDR2经典结构的T型的拓扑4 }2 |5 o9 c6 j' W; n
9 l3 a4 Z9 m7 b% F. b
; H& {4 y- t6 U" F( R, m+ c& {
' L8 w& ~7 W! [% {" M' x+ k% I

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19#
 楼主| 发表于 2015-3-13 14:40 | 只看该作者
Write Leveling 机制, b2 @$ N: H. ~! q( l+ r3 n
* ~( _* {0 k5 q
因为DDR3为了更好的信号质量,达到更高的速率,采用了fly-by的拓扑结构,时钟到各片的物理距离变的不一样了,所以一般DDR3内存控制器设计了一种叫做Write Leveling的机制,其作用就是在芯片内部进行时钟和数据/Strobe间的延时。5 c6 O+ E/ U" t, a' Q

) k) E* s1 w3 U+ j0 X8 U7 n在系统初始化的过程中,控制芯片与SDRAM通过数据信号进行通信(training),控制芯片根据收到的反馈信号进行内部延时调节,很显然,控制芯片到每一个SDRAM的延时都会不一样。
" }. R% }; z6 K) Q0 x/ B9 b. z6 R( ^' Z2 k7 H" t) t
通过这种机制,使得每个SDRAM看到的时钟,数据和STROBE信号,就跟在DDR2看到的一样。

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20#
 楼主| 发表于 2015-3-13 14:52 | 只看该作者
TVAC的要求:
0 @- p# f0 j6 V% ~" M5 `; R/ J
- ^' d9 ~/ h/ M$ d$ N; q* ?' aDDR3信号必须在VIH(ac)以上,VIL(ac)以下保持一定的时间# m  |. ~7 f1 h9 f6 g  n( O
这段时间叫做TVAC,它是跟信号的速率相关的- D( I* {! _/ d7 p& B! O
即使时序裕量是不满足,TVAC的要求也必须满足。7 _; [; s* Z- W
6 Z% S8 ?3 h5 Y9 w9 W1 x# ]

0 d9 d! ], c& l7 S! I1 Q

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21#
发表于 2015-3-13 14:53 | 只看该作者
加油,楼住,好像理解起来越来越难了。基础不好啊。

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22#
发表于 2015-3-13 21:35 | 只看该作者
顶贴啊,如果把图贴出来,最好把图中的东西都解释一下,比如nominal line等等

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23#
发表于 2015-3-14 14:22 | 只看该作者
ccnow 发表于 2015-3-13 21:35
: X% b& E2 m/ U% x0 Z9 N$ ?$ j顶贴啊,如果把图贴出来,最好把图中的东西都解释一下,比如nominal line等等

( _# ]$ _" C4 T" {% ]6 ?; W5 zsorry,这位兄弟,JEDEC规范截图只截了一半,如下位NOMINAL LINE 的定义0 O1 e& M* a, n. M! G- j) W% k

' C5 ^: o6 Y/ v4 ?2 R# o* s* E& Y3 x
" f& H, w. O5 {, w( c2 Z8 y8 j3 E1 h) J/ x) U7 S
NOMINAL LINE 翻译成中文是标称线,标称趋势的(两点直连)
; T1 p* r2 P8 C; t" GTANGENT LINE 是切线& X; E$ l4 T( m! Y! E) c

3 I6 i5 f6 B' R( d7 v" a上面这两个公式是用来计算建立时间(setup time)的上升/下降时间的斜率。
9 N( T' y) T5 K7 n$ h  [% Y
. h4 u1 `( ]  w! v+ y: |5 d# Q1 s! m% {
/ I( W0 X: K& Z1 Y

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24#
发表于 2015-3-14 14:26 | 只看该作者
不懂,顶版主。。

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25#
 楼主| 发表于 2015-3-14 14:33 | 只看该作者
sorry,这位兄弟,JEDEC规范截图只截了一半,如下位NOMINAL LINE 的定义
9 o" C/ y& e5 ^/ |1 N
% [5 F! Z" K; W9 r, p& Q1 QNOMINAL LINE 翻译成中文是标称线,标称趋势的(两点直连)* S5 D- h5 e5 _$ Y
TANGENT LINE 是切线
5 u8 b" }0 O$ E6 O7 K % e4 Z) z/ j5 Q
上面这两个公式是用来计算建立时间(setup time)的上升/下降时间的斜率。
9 E/ ]4 M3 z& z! v* M2 k
0 n9 J! o  T" R6 v

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26#
 楼主| 发表于 2015-3-14 15:49 | 只看该作者
本帖最后由 shark4685 于 2015-3-16 14:40 编辑
6 I! F1 C8 k- L- P  ]# b$ M8 S
/ j  W$ W0 s( |DDR3的突发长度(Burst Length,BL)
* I# L0 I* ]5 {$ c
' [1 p! I/ e" V- P  ^( y1 F& N" m$ s
由于DDR3的预取为8bit,所以突发传输周期(Burst Length,BL)也固定为8,
! U/ r. g6 }3 \6 r- n( Q- H而对于DDR2和早期的DDR架构系统,BL=4也是常用的,0 c5 u3 q7 z7 @/ v) h( {9 [6 J4 v
DDR3为此增加了一个4bit Burst Chop(突发突变)模式,
! M4 l+ v  L/ _. X2 \即由一个BL=4的读取操作加上一个BL=4的写入操作来合成一个BL=8的数据突发传输,
% P2 L9 ^+ K4 _! l% |届时可通过A12地址线来控制这一突发模式。而且需要指出的是,
3 x2 N7 ?/ M+ s  W任何突发中断操作都将在DDR3内存中予以禁止,% Z6 R) y2 y3 \
且不予支持,取而代之的是更灵活的突发传输控制(如4bit顺序突发)。& I& B$ t# ~( F2 x' ~3 V- z+ o1 r

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27#
发表于 2015-3-14 17:28 | 只看该作者
必须仔细听课。

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29#
发表于 2015-3-15 12:45 来自手机 | 只看该作者
感谢楼主分享~~~~~

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30#
发表于 2015-3-15 18:06 | 只看该作者
能解释一下DDR4就好
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