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楼主: shark4685
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[仿真讨论] DDR4详解....各种技术参数

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16#
发表于 2015-4-15 09:51 | 只看该作者
刚学完DDR3,现在来学DDR4啦,楼主加油。

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17#
发表于 2015-4-15 14:25 | 只看该作者
楼主真是个好淫

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18#
 楼主| 发表于 2015-4-16 14:04 | 只看该作者
NO 4 DDR4 封装
; F* P1 t% u) B* |# F- Z3 L
! ~/ ]  M+ v" G" P& V( l1 G8 p
% T& k- J1 t7 p8 a2 R% G* q5 ?
DDR4在使用了3DS堆叠封装技术后,单条内存的容量最大可以达到目前产品的8倍之多。
/ Q( j6 W" `- J1 p+ W3 P举例来说,目前常见的大容量内存单条容量为8GB(单颗芯片512MB,共16颗),而DDR4则完全可以达到64GB,甚至128GB。
$ z# A% F) `$ ^: a# Z
7 c8 c/ S5 N4 [7 A9 k5 M

$ B, S( p7 Z* C( G* b# I. l
& Y( |4 k3 z! O               3DS堆叠封装技术; k- Z& Z. B0 a  o3 g2 m" E: G' K

" {! Z2 }& ?; v4 o# u
4 d! y0 l6 H9 Q1 f" \

' E! ]  Z& a% t

  h* E. [$ W! P  Q, V2 M1 ]/ b: f! S/ }: {* P$ n# V
% ]5 I8 B  x8 {9 s
' M' g  L1 }* [6 L* _' I

+ J- x+ A( ~: ?. |+ M4 {4 s

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支持!: 5.0
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太高大上了  发表于 2015-10-21 17:34

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19#
 楼主| 发表于 2015-4-16 14:11 | 只看该作者
本帖最后由 shark4685 于 2015-4-16 14:14 编辑
% e/ _  V1 ^' g/ b! x( ]. L: b2 T# r& a# B: z
NO5 DDR4 内存条分类及外形; r/ a; {. _8 K0 \

: G( Q+ m6 w# r$ u6 p6 v9 o2 n! i3 x& W& ^% f/ M' O% |" f4 f
! ?  F; U% U6 @1 F0 w& Q$ I+ ^4 J( G. X; @
5 j  g" X- w: t) Z
DDR4内存金手指变的弯曲了,并没有沿着直线设计,这究竟是为什么呢?

3 n4 O( [- Y) P! u8 }7 J
一直一来,平直的内存金手指插入内存插槽后,受到的摩擦力较大,因此内存存在难以拔出和难以插入的情况,为了解决这个问题,DDR4将内存下部设计为中间稍突出、边缘收矮的形状。在中央的高点和两端的低点以平滑曲线过渡。这样的设计既可以保证DDR4内存的金手指和内存插槽触点有足够的接触面,信号传输确保信号稳定的同时,让中间凸起的部分和内存插槽产生足够的摩擦力稳定内存。
- @/ e7 E+ A) U; ?1 X0 \4 \4 D: {
但本版主认为:其实是为了更好的信号完整性

3 C  n' c2 s$ D$ D2 D- r
  接口位置同时也发生了改变,金手指中间的“缺口”位置相比DDR3更为靠近中央。在金手指触点数量方面,普通DDR4内存有284个,而DDR3则是240个,每一个触点的间距从1mm缩减到0.85mm。

5 X+ T* G! q5 n$ Z  l
                        流线型金手指
  g2 Z+ b& }5 n$ D
                           DDR3 & 4

7 F! b8 o# `6 x3 Y1 X  G& R0 i

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给楼主加油,膜拜楼主。。。  详情 回复 发表于 2015-4-16 14:34

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20#
发表于 2015-4-16 14:34 | 只看该作者

3 k, X% T) Y$ O. ~7 |, ~给楼主加油,膜拜楼主。。。
  ^( [! q) A3 b: p/ V8 f" q

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22#
发表于 2015-4-16 14:52 | 只看该作者
楼主坚持、坚持、再坚持啊

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23#
 楼主| 发表于 2015-4-17 10:23 | 只看该作者
本帖最后由 shark4685 于 2015-4-17 10:27 编辑
' h8 S% M% q# l; y# d# w* Q' m! A
NO 6 关于DDR4的电压" j  ]% Q3 v. t

$ I. j7 v- V# f8 x, k1 q  \5 i0 ADDR4 不仅采用3DS的封装形式,而且都是采用的20nm以下的工艺来制造的。
* S( Z2 U! ?  l; I3 D% s7 |- m- g# Q% R0 ?( l0 [7 g& B6 P
电压从DDR3的1.5V降低至DDR4的1.2V,动态范围是1.05--1.2V.' n; h, r  @5 M9 P1 K% [1 W! @
, N' v8 O! X3 L' t# r5 w
移动版本的SO-DIMM DDR4的电压还会更低。3 a4 [% Z$ f7 y0 i

2 k3 O! @( n+ h. o" A
7 T' _- u! t" a/ S, `: E( B
8 E' o9 G+ [5 b- G* W1 t) A$ t8 T

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24#
 楼主| 发表于 2015-4-17 10:31 | 只看该作者
但是由于DDR4的最大电流值仅和DDR3相当。
& E+ Y$ l7 Y% y1 w6 r8 ]6 V: K
; w# B; o4 B# q( ]5 f对于服务器市场,还需要提供Banks切换特性,所以使得服务器用DDR4存储器; j* d1 H/ W: j+ ^6 p8 I
8 M: E, r9 Z/ ]( C7 L# i
与桌面版本的DDR4存储器从物理层面上就无法互用。
& l0 x' m0 `% ^7 `# P
1 k' Q1 K, L6 U! R对与服务器供应商来说,有可能是一个巨大的市场哦。

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26#
发表于 2015-4-20 11:18 | 只看该作者
数据信号线单端的还是差分的?

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并行总线,必须单端的。。  详情 回复 发表于 2015-4-20 11:24

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27#
 楼主| 发表于 2015-4-20 11:24 | 只看该作者
wdc 发表于 2015-4-20 11:18
! J  z) k7 \! q8 F数据信号线单端的还是差分的?
  J. f7 g, {9 B2 E
并行总线,必须单端的。。- `2 t8 d  X1 p. v) `9 B2 @

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28#
 楼主| 发表于 2015-4-21 22:24 | 只看该作者
请假2天再接着写。。。

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30#
发表于 2015-4-28 15:41 | 只看该作者
楼主最近好像比较忙。。
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