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分感性和容性
' A: e" l* [% TCm/Cg+Cm
7 F- b9 V8 y/ S! u; ~Lm/Lg
! E5 M" I# `' W6 x$ N8 aCm,Lm 为互容互感
]- G( g3 n0 b7 {3 x2 q$ c+ H% e, ^. uLg,Cg为自感自容
7 w6 @$ ~$ o' ]# K' I
0 b+ w" X8 A7 T& M' P- n9 uLm=v*dt/di7 B$ Z, `, }( b }% ^
Cm=i*dt/dv2 u$ B2 C3 }: Y7 J0 U4 _
, a6 C% T, i7 K! U
你这里给出的条件不充分，还要介质厚度。
- N- V0 m3 E% o* o+ bX与介质厚度决定Lg,Cg9 P+ t+ V) L! Z
Y决定Lm,Cm4 z$ V! e' P* P1 k, t6 w
其中Lm=miu*线积分(dL1*dL2/R)/4*pi
; o, z7 c; J) Y1 LR为磁回路半径，这里近似为介质厚度。L1,L2为两个回路的长度。
2 W4 z& |% z9 `0 F) v5 C2 q) PCm的话，很好求,Cm=effective epsilon*A/d
7 O4 g1 M! y6 W' uA为耦合面积，d为距离。+ g0 [) [" h: C- P
还有，端口不同，体现出来的奇偶模特性不同，因此Lm,Cm将对不同端口，不同形式电压造成不同的耦合影响。
+ n r( j% u0 C- ~2 r. I/ k% u |
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发表于 2015-4-19 19:56
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发表于 2015-4-20 09:03
