徐老师，请教您关于您书上混频器的讲解

煮酒fu

1 n. v- `# i( S' Y
图上是您设计的镜像抑制混频器，讲解的十分的通俗易懂，我想着仿照书上所讲的制作一个混频器。
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7 x  J2 ^5 W- K- X& b. [9 i- `! x我想制作的这个混频器主要是把2.4G左右的信号奖品到中频，首先对2.4G的射频信号存在疑惑，
问题一，常见的2.4G信号，它的中频频率是多少？ 我在网上搜索了一下，并没有搜索到。
问题二，我打算制作的混频器射频信号的频率2.45G，本振频率2.4，这样我便能用示波器观测到中频带宽50M的信号。
4 `/ X0 T4 [! K+ Y但是，如果我用该混频器射频信号接入2.48G或者2.43G，该变频器是否还能有效的将2.48G或者2.43G变频到中频，据我猜测是可以的，但是会影响该变频器的增益，是这样么？

8 k3 n3 l& n! B1 ^# ?问题三，  ROGERS的板材是比较贵的，所以我想用fr-4的板材来设计混频器。但是对下图中的MUSB中的参数不是很清楚。

2 K  l' ^5 P4 Y: R$ C  V2 k' k
. f6 [8 e7 }& c& C0 W: O
H = 板材的厚度                这个我打算换成fr-4   1mm
Er  = 板材的介电常数       这个我打算换成4.2
/ U, L& R6 W" @8 n  v; C* GMur = 1                            这个参数不清楚什么意思？
cond=1.0E+50                这个参数不清楚什么意思？
Hu = 1.0e+0.33              这个参数不清楚什么意思？
- I, z& @3 @/ [1 NT                                     铜厚度，这个清楚
3 w; C+ w1 T  g& o0 n7 G( H4 X/ HTanD= 0.0037                这个是铜箔上下厚度不一形成的的角度么？
) O3 A! M+ A2 H- Y- q! A. l以上是我的问题，麻烦看到后给解答下，非常感谢。

Xuxingfu

1.目前很多2.4G都是零中频方案，本振=外来频率
2.对的
4 a/ q# n+ ?0 R  f! g& {  Y3.频率很近，影响不大
4.可以
5.书的前面章节有对这个几个参数介绍，MUR磁导率=1 cond电导率 TanD=0.02是FR4损耗正切

煮酒fu

Xuxingfu 发表于 2015-6-3 14:31
1.目前很多2.4G都是零中频方案，本振=外来频率
2 c: O2 l9 r9 I% F( u/ `. G, ~% m2 G2.对的
' {/ u4 x1 p- Z& D, v4 X$ x* w3.频率很近，影响不大

& S1 N# N# O8 q  }谢谢，徐老师。对于书籍我暂时没有完全读一遍，后面会补上。
在用fr-4的设计中，mur cond hu这三个参数是否不变，但是需要将Tand改为0.02？

煮酒fu

Xuxingfu 发表于 2015-6-3 14:31
1.目前很多2.4G都是零中频方案，本振=外来频率
7 _, G6 {+ P4 k0 U! e! C2.对的
8 S$ i$ G! s; W3.频率很近，影响不大

1 p2 T+ \, @# Z: e' B7 U已经在书中找到了这些参数，我想这些参数我应该和PCB厂家沟通下，向他们索要这些参数吧。？

煮酒fu

Xuxingfu 发表于 2015-6-3 14:31
0 @- G8 r" J" j! Y1.目前很多2.4G都是零中频方案，本振=外来频率
2.对的
3.频率很近，影响不大

3 E9 x/ @! }8 s2 A7 k  \对于基板高度H，我很疑惑的是，双层版与多层板对混频器有影响么，徐老师？