电源完整性之阻抗问题

ares0260

请问各位大神，在做电源完整性是，别人提供给我一份由siwave导出的snp文件。
我把文件导入了ansoft designer，想问一下，如何看它的电源阻抗？
是看两个port之间即Z21还是Z11。
" e0 U& @% Q4 K$ G: {谢谢各位！

  g, g% L: M3 d" d; X: s0 n( o" s* _

cousins

PDN可以只有一个端口，单端口就只关心1MHz以上的回路阻抗。是不上电状态PDN。
/ A) y4 X4 P6 X% s2 C$ F! ~两个或者两个以上端口，有两种处理方式：
1.电压源处加VRM，简单的模型就是0.01ohms以下电阻或者直接短路。这是模拟系统上电状态的PDN
2.加归一化的端口，这是模拟系统不上电状态PDN
( B( t" {5 Y3 @' @
$ P3 w* t1 U  m! S3 N% c2 X

cousins

Z11

菩提老树

从一个port看过去就可以啦，所以看Z11即可

qingdalj

回去看看理论吧

ares0260

菩提老树 发表于 2015-7-13 23:42
, F$ [# k$ c. c. d从一个port看过去就可以啦，所以看Z11即可

Z11是在其他端口open的情况下看去的输入阻抗，也就是自身的自阻抗。
在port1上加去耦电容是可以的，Z11会减小。这是没有问题的。
; k5 z: P, g8 S" a* F9 c那我在另一个端口（如port2）加一个接地电容，但Z11却不变。
我觉得根据输入阻抗计算公式，在第二种情况下，z11应该是有所变化的？
能劳驾解释一下吗？但实际却不是。

ares0260

qingdalj 发表于 2015-7-14 08:39
& g, s8 y. @& v( H& a! ]1 S回去看看理论吧

8 C; S4 @/ ^7 e: r能推荐一下资料吗？
; O; ]  k( ]) t6 \6 R5 D这些对于你们来说确实简单了些！

cousins

ares0260 发表于 2015-7-14 11:12
# U  C+ K' Y* L能推荐一下资料吗？
这些对于你们来说确实简单了些！

! s  i- C6 T# r% X% m& f<Power Integrity Modeling and Design for Semiconductors and Systems  >
written by Madhavan Swaminathan   A.Ege Engin
1 _4 M9 H4 h  Y- I4 n; U* g

ares0260

cousins 发表于 2015-7-13 16:42
  N: I8 Q# m& pZ11

. d% A2 S/ E; G* O! E& F0 w请问为什么是Z11，默认的PDN至少有两个端口，在对SNP格式的文件进行仿真时，对另外一个端口怎么处理？
谢谢！

ares0260

cousins 发表于 2015-7-13 16:10
+ W% ]; e- x5 x8 Z4 LPDN可以只有一个端口，单端口就只关心1MHz以上的回路阻抗。是不上电状态PDN。
* R! u0 v* f" ^! o0 f7 Z两个或者两个以上端口，有两 ...

5 d! U& [- i, ?# l我尝试了这两种方法：
' o- H. i  h4 n; D( u9 z7 d1 Q$ l1）只用一个端口PORT1，另外的VRM端接地
% q3 B$ ?* m6 i& @" }; U  s  i2）用两个端口PORT1和port2，另外的VRM对应的port2的归一化阻抗为0.
  X# m! b, [% a0 Y# B得到的结果是一样的。其实不都相当于模拟电源内阻的情况吗？

cousins

ares0260 发表于 2015-7-16 09:05
$ P0 a2 Q  C' w( c2 N, Q, X我尝试了这两种方法：
1）只用一个端口PORT1，另外的VRM端接地
( M9 i4 N% D3 p2 n! c2）用两个端口PORT1和port2，另外的VRM ...

* p! M1 Q5 n& |! k7 R+ g" P归一化阻抗应该设置为50ohms或者0.1ohms以下，不能设为0.
, _$ [3 \' w/ D( h5 L0ohms怎么归一？  

归一是要用Z/Zref的...
结果是不会完全一样的，在1MHz以上的结果是基本一致的。
有vrm的在1MHz以下的Z11扫频对数结果为接近于一条直线，值很小。
无vrm的在1MHz以下的Z11扫频对数结果为从无穷大线性减小到一个很小的值，这个很小的值是靠近第一次出现电容谐振的位置。
; q- E; a, y$ l  l6 A记住以对数（log scale）的方式查看Z11。
- f" M9 Q$ k8 [8 _- j

ares0260

cousins 发表于 2015-7-16 09:31
" Q4 D! Z2 @: f1 ]5 z4 S2 D8 b归一化阻抗应该设置为50ohms或者0.1ohms以下，不能设为0.
0ohms怎么归一？  

) [3 c; G7 d5 x( g5 q! LHi Conusins，
请教您一个问题。
枣做电源完整性的时候，会生成一个SNP文件。
6 {4 z3 ~2 \0 h; |) H9 f放到ansoft designer中去，做它的时域瞬态响应分析。
因为以前没有接触过PI，真的不知该如何下手。
望您能指点一二。
% ^9 }" \' F6 g一般情况下，会给它一个阶跃信号（0 to 1.2v）测得芯片输入端的电压即可。
* l6 k+ s* w9 K4 D9 Z但是参考的图中却没有看到对应的芯片（dut），这样对吗？
0 S8 D) O* m) [8 U& T; B

cousins

你要给的不是阶跃信号，是带交流分量的直流，交流分量为纹波。
这个架构是对的，如果要仿真芯片接受的信号，就要加入封装参数。但如果对比板级测试的话，你测试点是加不到封装内的。只要加到pin上就可以了。
1 K$ y+ d* y) u  W

ares0260

$ S0 E% H9 s- ^; J2 K0 X6 \

cousins 发表于 2015-7-22 17:23
你要给的不是阶跃信号，是带交流分量的直流，交流分量为纹波。
这个架构是对的，如果要仿真芯片接受的信号 ...

如何体现纹波的频率呢？
能劳驾你给一个电路模型参考一下吗？或者一个小例子。
/ l$ u% U; `! k% u1 q; z拜谢！！！
) n3 x$ U! _6 Y+ i3 v1 U) w" t" T下图是从别人哪里看到的结果，纹波应该是0.04V，可是我总是做不出来。
可能是我了解的信息不全。我也把电路模型发给你了，你帮忙看看。
4 p0 ~+ A1 ?; F- s6 d5 A: |$ Q8 d非常感谢！！！

! u( d# |3 Q: K' z1 G9 |9 S

. f. ^! ?& }3 R$ J8 ?/ B

shark4685

提取平面的s参数即可。