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本帖最后由 jimmy 于 2010-5-7 12:11 编辑 + M" [5 h i ` ^1 O. A- b
1 } {4 c. {( d9 j; A0 G0 R+ y
layout DDR2 Dram 需要注意那些地方 那些線需要等長
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9 Q' O7 }. L1 `1 y不知那邊可以找到相關資料. o3 O; C9 Z' e D
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& Q+ s( c6 q: @$ K
jimmy:
0 d; R) `( A$ M9 B4 f. J# _
- ]0 [; E/ h4 ?" p; \: @) M, P1,等长
, D9 e) |. N3 x+ ^/ o, a
1 x7 Q9 k& \! s2 m需要等长的信号线有:* m4 S6 C. k! L$ H" `$ h* l! B
a,数据总线' t% r% o+ {( {! e
b,地址总线
; Q/ y& J1 g6 V* [- T9 Z% `c,控制线
% V1 A5 X5 B) C+ a- C" ~$ [! cd,差分时钟
* i8 x2 Q/ C) \& B; m$ i# Z
3 f7 U# k* q0 l' r: v" n# U# J* S2,完整的参考平面,包括电源平面和地平面,千万别跨区$ A* V# h& U% \& w _' ]; E
8 G8 A: O9 G/ q" y1 I3,特性阻抗连续
9 ?' c$ l+ O7 ]( L7 n5 @, x
# u# ^ j8 Z2 e- ]. q; X. L3 c3 J. T通常单端50欧,差分100欧3 c7 f6 F2 b& n3 C9 o
% G! T9 |6 G+ @% q5 p; l; Y4,3W原则; V) S1 M, k( ~ h$ ^8 ~
! ~: O% ? X( F& Z3 S/ m; m
5,蛇形线原则+ N6 ?- m" n2 C0 D
* {* }1 r# h& Y( b- } k# F尽量加大平行线段之间的距离6 l3 g: `6 W0 j- J
) Z G1 O0 M! B4 U尽量减小耦合长度
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1 @9 p1 Z% q, w$ w+ d7 @% B& o! {" v! d$ ? v# _1 Q
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6,参考电压DREF布线要足够粗,推荐>40mil |
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