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楼主: Quantum_
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如图, 二极管的作用?目的?

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16#
发表于 2015-10-26 17:53 | 只看该作者
Quantum_ 发表于 2015-10-23 21:07
2 @# N3 s, @7 ]3 C5 S5 RThanks Supper.
, |$ D# w* m1 a. ^1. A definitive explanation in last floor. % a6 ^4 [6 E% i
2. But, when will the EN gate open?  ...

' n- {# U$ k+ ^6 _哈!哈!墮落(Fallen)版大感覺有點上火了。, d; y! M- m/ _2 x) _$ \8 v) z

8 X2 ^  U: A* `' }# z樓主︰0 |* O  W8 q) @2 g" \1 v

' W6 U. m" y4 @6 p, \. H  |$ z您的問題我再多解釋一下好了。" ]8 z" F2 o% P( F: o

3 v6 d1 q) d4 F) I4 q: r
  • 如墮落(Fallen)版大所言,Gate 和 Source 間的 Zener Diode 是為了保護,VGS 的壓差不要過大。的確小封裝的 MOS(如 SOT-23 之類的)其 VGS 多數只能耐 +/-12V 左右,差一點的還只有 +/-10V。若是開關瞬間的突波電壓Surge Voltage)超過這個值,有可能會將 MOS 管打壞掉。
  • 樓主一直認為 Zener Diode 的一端必須接地,方能將突波電壓Surge Voltage)導引至地、減輕其衝擊。事實上,接 12V 或其他電源還是能消除其衝擊,對暫態Transient)訊號而言,電源和地是等同的電位,請參考模電課程中的基爾霍夫電路定律Kirchhoff Circuit Laws)。
  • Gate 和 Source 間的 Zener Diode,應是為了消除 MOS 管開關瞬間的突波電壓Surge Voltage),尤其是 MOS 管後面有電感性負載Inductive Load)的時候
    ( B- |8 N, J& l
7 p. n4 ~, ^5 t; J5 s& W
僅為個人淺見,若有訛誤就當是酒後胡言亂語好了!
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点评

[*]如墮落(Fallen)版大所言,Gate 和 Source 間的 Zener Diode 是為了保護,VGS 的壓差不要過大。的確小封裝的 MOS(如 SOT-23 之類的)其 VGS 多數只能耐 +/-12V 左右,差一點的還只有 +/-10V。若是開關瞬間的  详情 回复 发表于 2015-10-27 00:10
還沒六點第一輪已經開始喝了。今天不知道要喝到甚麼時候? ^_^  发表于 2015-10-26 23:15

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17#
 楼主| 发表于 2015-10-26 23:50 | 只看该作者
超級狗 发表于 2015-10-25 21:256 M+ H  O7 C- N- v' m
好吧!菜英文趕鴨子上架。4 N1 b7 J3 z2 C$ f* m8 s

) ^# l9 T1 l" v0 X" H% v  ~https://www.youtube.com/watch?v=IrB-FPcv1Dc
$ z4 E. v! z- d& W& Q  S& _4 ?
Thanks Supper.
& E0 p/ p3 _1 D1 _1 I  W1. Thank you for being patient. , N0 z6 }9 H( A9 r
2. I watched the video for many times. $ n6 D. J" {0 B
3. I could undertand the circuit well, which was illustrated in the video as shown in the snapshot below.
. ]1 G  k* \" k' z0 ~4. As I pointed early, the Diode should be connected to GND and without surprice, it does in the video.   e% ]$ ^3 ?( u/ }/ q. `
5. That is all I am confusing.
5 N+ w9 K: L7 V$ ^
/ ?( G1 @+ M; g! {6 I

Zener_Diode.PNG (39.65 KB, 下载次数: 2)

Zener_Diode.PNG

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18#
 楼主| 发表于 2015-10-27 00:10 | 只看该作者
超級狗 发表于 2015-10-26 17:535 E! t; [% b+ D- c2 S  Q
哈!哈!墮落(Fallen)版大感覺有點上火了。# X& _0 J- I9 V# I
+ ?( P' g& O3 U$ F
樓主︰

$ C& v" T5 n5 a0 f6 [
  • 如墮落(Fallen)版大所言,Gate 和 Source 間的 Zener Diode 是為了保護,VGS 的壓差不要過大。的確小封裝的 MOS(如 SOT-23 之類的)其 VGS 多數只能耐 +/-12V 左右,差一點的還只有 +/-10V。若是開關瞬間的突波電壓Surge Voltage)超過這個值,有可能會將 MOS 管打壞掉。----Have no doubt
  • 樓主一直認為 Zener Diode 的一端必須接地,方能將突波電壓Surge Voltage)導引至地、減輕其衝擊。事實上,接 12V 或其他電源還是能消除其衝擊,對暫態Transient)訊號而言,電源和地是等同的電位,請參考模電課程中的基爾霍夫電路定律Kirchhoff Circuit Laws)。Kirchhoff ? KVL or KCL? I probably missed something when I was learning the lectures.
  • Gate 和 Source 間的 Zener Diode,應是為了消除 MOS 管開關瞬間的突波電壓Surge Voltage),尤其是 MOS 管後面有電感性負載Inductive Load)的時候; w0 W8 ?$ h" G
    ! i0 m2 _7 ?) g5 W
2 w) c$ R+ U5 z3 ~/ x' w. b5 x$ K8 l7 Y" h5 w
僅為個人淺見,若有訛誤就當是酒後胡言亂語好了!Good advice is beyond all price. This conversation's how I got the bullet hole in my head. 2 G; F# r( Q9 n
Thanks so much. 3 I$ ?$ M' d0 ?0 Q$ h4 y

! A- X+ E* E) l, i" w6 T) G 7& x1 I# H( G, ~( x! D
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19#
发表于 2015-10-27 10:14 | 只看该作者
有一整倉庫狗糧真好!1 K+ `7 d* z/ M3 G
5 E( `+ }3 n; d1 Y; z

Zener Diode between Source and Gate of MOSFET Transistor.jpg (195.06 KB, 下载次数: 2)

Zener Diode between Source and Gate of MOSFET Transistor.jpg

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20#
发表于 2015-10-27 10:31 | 只看该作者
本帖最后由 超級狗 于 2015-10-27 23:12 编辑 1 E& l: C0 Y3 w4 R) f/ x; ]
As I pointed early, the Diode should be connected to GND and without surprice, it does in the video.
2 Z/ y- c( |  n( N1 C# `5 v
樓主太糾結在 Zener Diode 接地這件事!
1 K, f2 M9 V1 |( ^7 s& V/ u5 {
0 y8 y4 U1 @7 K: _( `
  • MOS  管導通的條件之一是 VGS > VTH,當你控制通過的電壓很高時,VGS 可能過大會擊穿 MOS 管,Gate 不能直接接地,這個時候 Zener Diode 就無地可接了。但即便 Gate 接一個低於 Scurce VTH 的電源,突波電壓Surge Voltage)還是能透過這個電源釋放。
  • 大多數的的應用是控制正電源,所以 Gate 可能接地;但如果是控制負電源時該怎麼辦?GND 會在什麼地方哩?
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; h/ c) g4 M6 @3 C& c7 F
7 I2 h7 Q9 o% l" P9 r1 K

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21#
发表于 2015-10-27 14:49 | 只看该作者
听说回复给威望的,我试试

评分

参与人数 1威望 -1 收起 理由
超級狗 -1 你已經試完了!^_^

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22#
发表于 2015-10-30 17:25 | 只看该作者
貌似看不懂
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