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Quantum_ 发表于 2015-10-23 21:07
2 @# N3 s, @7 ]3 C5 S5 RThanks Supper.
, |$ D# w* m1 a. ^1. A definitive explanation in last floor. % a6 ^4 [6 E% i
2. But, when will the EN gate open? ...
' n- {# U$ k+ ^6 _哈!哈!墮落(Fallen)版大感覺有點上火了。, d; y! M- m/ _2 x) _$ \8 v) z
8 X2 ^ U: A* `' }# z樓主︰0 |* O W8 q) @2 g" \1 v
' W6 U. m" y4 @6 p, \. H |$ z您的問題我再多解釋一下好了。" ]8 z" F2 o% P( F: o
3 v6 d1 q) d4 F) I4 q: r- 如墮落(Fallen)版大所言,Gate 和 Source 間的 Zener Diode 是為了保護,VGS 的壓差不要過大。的確小封裝的 MOS(如 SOT-23 之類的)其 VGS 多數只能耐 +/-12V 左右,差一點的還只有 +/-10V。若是開關瞬間的突波電壓(Surge Voltage)超過這個值,有可能會將 MOS 管打壞掉。
- 樓主一直認為 Zener Diode 的一端必須接地,方能將突波電壓(Surge Voltage)導引至地、減輕其衝擊。事實上,接 12V 或其他電源還是能消除其衝擊,對暫態(Transient)訊號而言,電源和地是等同的電位,請參考模電課程中的基爾霍夫電路定律(Kirchhoff Circuit Laws)。
- Gate 和 Source 間的 Zener Diode,應是為了消除 MOS 管開關瞬間的突波電壓(Surge Voltage),尤其是 MOS 管後面有電感性負載(Inductive Load)的時候
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僅為個人淺見,若有訛誤就當是酒後胡言亂語好了!
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