PMOS几个参数有点不理解

zhanweiming2014

zhanweiming2014 发表于 2015-12-5 09:29
' a* p$ h6 |2 v( q& ]6，Ciss ：输入电容
7 N7 l8 p7 k% k0 M% r将漏源短接，用交流信号测得的栅极和源极之间的电容就是输入电容。Ciss是由栅漏电容C ...

场效应管的源极、漏极和栅极之间都存在寄生电容，分别用CDS、CGS和CGD，这三个电容影响场效应管的开关频率。
这三个电容与输入电容Ciss、输出电容器Coss以及反馈电容Crss有如下的关系。
Ciss=CGS+CGD
; ~7 _- g2 |- G% S7 oCoss=CDS+CGD
* ^9 Y6 |5 }+ b' D1 p Crss=CGD
2 T% c$ g4 |* L! b5 g

超人会1飞

fallen 发表于 2015-12-2 17:21
Rgen是串联在GATE的那个电阻。
65A如果是平均值，那么是按照热阻计算出来的。
( |, d' ?  U) |% ~; r4 R6 RVDD通常代表器件的对GND的 ...

恕我不理解你说的RGEN,你说的Rgen是串联在G的电阻，但是据我所知，G的输入电阻应该在兆欧级别
, z& N" Q, S' Q" L$ n2 V

fallen

超人会1飞 发表于 2015-12-10 15:01
& e: W% w* L3 ^+ c& a恕我不理解你说的RGEN,你说的Rgen是串联在G的电阻，但是据我所知，G的输入电阻应该在兆欧级别

+ w0 j. z. `5 ]3 M那是测试的时候外加在G上面的串联电阻。
你所说的是G的输入电阻。
两者概念不一样。
3 C/ r1 A% F8 t' @( m