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我们习惯上将无穷远处作为电势零点，由于电场的存在空间中的某点我们可以用电场势能（简称电势能）加以讨论（正如由于地球引力场的存在我们定义了重力势能），但单纯讨论某点的电势能是没有多大意义的（参考点为无穷远处，本来就是个理想化的定义），我们所关心的是电场中两点的电势差，因为这直接关系到了究竟电荷在电场作用下从一点运动到另一点做了多少功，也就是谈到能量的概念（能量守恒定律是我们研究能量转换的基本定律）。
( T* K0 h9 i! f6 w1 |电势差Vab=Ua-Ub，这个Ub便是我们的参考电势
# ^! Q1 ^' F1 Q' w+ p回到正题，我们会这么讲，这款芯片的CLK信号是3.3V的LVCOMS电平标准，那么这个3.3V哪里来的？（总不能相对于无穷远处的零电势点吧）。细心看下芯片手册，这个3.3V是VDD relative to VSS的电压。
9 J' W9 E1 a- b9 h5 @ }' D) GLZ的题目在问，这个参考电源平面在哪里，电源平面连接的就是VDD和VSS。当然参考的就是这些网络
# ~, t$ [' }9 N: ^' h' ^只不过在高频和低频情况下回流路径会有不同。
) g. K5 Y. ?6 O9 Q, |& ~9 y高频情况下会在信号正下方的电源平面镜像出一个参考回流路径（当然这个参考面可以是VSS也可以是VDD），因为正下方的回流路径最短，回路阻抗小（要考虑电阻和电抗的成分）。" }; d, G+ _0 q- ^1 e& g( t
低频情况下，回流路径是Rdc最小的路径（只需要考虑电阻的成分）) |9 @, X$ @; D5 l+ L/ v, v* X: d
. {( S/ A. a. d, L/ ~
PS:我说的不一定对，请批评指正 |
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发表于 2008-10-20 11:35
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楼主
发表于 2008-10-21 20:11
，我们好好理解一下为什么高频和低频情况下回流路径会有不同。