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充放电IC芯片内部靠近输出端VHP_PWR端(system_out 系统供电端)的MOSFET对地短路，又遇到类似的现象吗，PMU内部MOSFET失效模型大概有哪些？* S) G4 f& {) v" w% S' Q9 h
目前考虑的可能疑点和解决的办法：
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* D; t1 Q' ? A- r' L7 ^ 1.负载过大，热累计，瞬间大电流的长期累计和瞬间的峰值电压的长期累计导致的损坏；
' B& H& ]! K( k, o 2.PCB设计，旁路电容， 布局走线引起开关脉冲端形成的最大、最严重过应力脉冲导致的EOS；
. ~3 j9 S% X9 z; R" U) x* Z 3. 可以在输出VHP_PWR端加TVS管进行防护，但是芯片内部的顺坏还是偶尔会发生，此时不排除生产制程过程ESD导致的问题。9 @/ A! J; w. i, U0 P( K/ k V
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不知道哪位大侠有更高的解决办法，不胜感激' C* J0 {6 q2 @; f% x# a
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发表于 2017-2-7 00:05
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