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本帖最后由 超級狗 于 2019-3-8 21:39 编辑 ' V) j* `. L) A8 a3 O' @
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MOSFET 電晶體閘極電阻(Gate Resistance)的功用8 z: a1 a* R. |+ Z: o. t$ H
MOSFET 電晶體會在閘極(Gate)管腳串接一顆電阻,這顆電阻被稱為閘極電阻(GateResistor),通常被標記為 Rg 或 rg。+ Z* k0 s/ |2 @
. w) I; v/ T* Y: ?閘極電阻(GateResistor)的功用於防止 MOSFET 開關時產生振鈴(Ringing)現象,閘極(Gate)本身有寄生電容(Parasitic Capacitance),若閘極(Gate)的控制走線帶有過大的電感,LC 會產生振盪。
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振鈴(Ringing)現象會讓 MOSFET 電晶體,處於要開不開、要關不關的異常狀態,電晶體會因此消耗不必要的功率而發燙,嚴重時可能導致電晶體過熱而燒毀。閘極電阻(GateResistor)有點類似數字電路中的阻尼電阻(Damping Resistor),能衰減振鈴(Ringing)的強度,而這種設計常見於的電源供應器上的 Power MOSFET 或 IGBT 電晶體的控制電路。
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