开关电源EMI整改频段干扰原因及抑制办法

Diabloa

开关电源EMI整改频段干扰原因及抑制办法

       开关电源EMI整改中，关于不同频段干扰原因及抑制办法：
) y: U- h# r- ~( j% Y/ t2 @
7 ?( v7 P* d" R$ a$ D. D& N6 h0 f　　1MHZ以内以差模干扰为主

) a5 C/ A5 i" t& w7 x6 K2 Z　　1.增大X电容量；

　　2.添加差模电感；

; A% T# M/ m, C7 l1 e. _　　3.小功率电源可采用PI型滤波器处理(建议靠近变压器的电解电容可选用较大些)。

　　1MHZ5MHZ差模共模混合
! @' q. a- v: z. G" w
　　采用输入端并联一系列X电容来滤除差摸干扰并分析出是哪种干扰超标并以解决，

　　1.对于差模干扰超标可调整X电容量,添加差模电感器，调差模电感量;
1 r$ Y# l4 P1 a- q+ v: `
1 b9 e9 e& u2 y. H% o' F9 R0 N　　2.对于共模干扰超标可添加共模电感,选用合理的电感量来抑制；
2 W" e7 `" ~: O4 S( i: T$ x  ]4 [
　　3.也可改变整流二极管特性来处理一对快速二极管如FR107一对普通整流二极管1N4007。

　　5M以上以共摸干扰为主，采用抑制共摸的方法。

8 J, y& }# k4 z& J　　对于外壳接地的，在地线上用一个磁环串绕2-3圈会对10MHZ以上干扰有较大的衰减作用;

　　可选择紧贴变压器的铁芯粘铜箔,铜箔闭环.

　　处理后端输出整流管的吸收电路和初级大电路并联电容的大小。
0 p( m% ^7 \, u* T& H. J
　　对于2030MHZ，
/ |- k* b! P. ^1 K
　　1.对于一类产品可以采用调整对地Y2电容量或改变Y2电容位置；

　　2.调整一二次侧间的Y1电容位置及参数值；

　　3.在变压器外面包铜箔；变压器最里层加屏蔽层；调整变压器的各绕组的排布。
/ a$ k* b9 `( a2 s" [
& E6 k4 j  Y! b& l　　4.改变PCBLAYOUT；
$ d0 M1 B+ {  X# @
　　5.输出线前面接一个双线并绕的小共模电感；
' _! O- j( ]8 V8 E# z5 |; H, r
　　6.在输出整流管两端并联RC滤波器且调整合理的参数；

. B# J, d! m* }$ W5 c　　7.在变压器与MOSFET之间加BEADCORE；

* J* U6 E9 J0 |7 G, v　　8.在变压器的输入电压脚加一个小电容。

　　9.可以用增大MOS驱动电阻.
$ i9 k: G( r& e0 ]4 U- l4 |8 X
　　3050MHZ 普遍是MOS管高速开通关断引起
! c- L6 m9 r* H" _1 x7 b4 v
+ Z5 Z2 p6 T1 ]! J　　1.可以用增大MOS驱动电阻；
( ?2 h' s- A% E% B5 @2 {( C
6 C& F8 e! _4 ]. b  f　　2.RCD缓冲电路采用1N4007慢管；
2 M) q1 S! R( C; C' G1 U9 L
　　3.VCC供电电压用1N4007慢管来解决；

　　4.或者输出线前端串接一个双线并绕的小共模电感；

" s# p" H& d: M' G! a* N( K& x8 ?! D4 b　　5.在MOSFET的D-S脚并联一个小吸收电路；

: U7 g5 ?9 J& k9 M0 y4 E+ a　　6.在变压器与MOSFET之间加BEADCORE；
# g  O- s% O3 `! o
9 z# c# O' C7 U! Z' ]　　7.在变压器的输入电压脚加一个小电容；

　　8.PCB心LAYOUT时大电解电容，变压器，MOS构成的电路环尽可能的小；

4 f( l$ F) R+ B  k$ U) |6 C; y　　9.变压器，输出二极管，输出平波电解电容构成的电路环尽可能的小。

50100MHZ普遍是输出整流管反向恢复电流引起

  V' J" y- _, `* e* o6 T  F7 v: }　　1.可以在整流管上串磁珠；

　　2.调整输出整流管的吸收电路参数；
. ~: @! T1 {; P( k
　　3.可改变一二次侧跨接Y电容支路的阻抗,如PIN脚处加BEADCORE或串接适当的电阻；

# {9 s/ W$ x0 B- _. p, @' O, M　　4.也可改变MOSFET，输出整流二极管的本体向空间的辐射（如铁夹卡MOSFET;铁夹卡DIODE，改变散热器的接地点）。
: X* x. L  b9 S) r3 I
  N. b' U- B2 K$ V! E( N　　5.增加屏蔽铜箔抑制向空间辐射.

8 ^/ S% k" p' U6 v　　200MHZ以上开关电源已基本辐射量很小，一般可过EMI标准
9 Q, k, C  @$ _1 {4 \
) u0 V4 J$ b* u* _　　补充说明:

  M, t5 H: V; E$ _　　开关电源高频变压器初次间一般是屏蔽层的,以上未加缀述.

　　开关电源是高频产品,PCB的元器件布局对EMI.,请密切注意此点.

　　开关电源若有机械外壳,外壳的结构对辐射有很大的影响.请密切注意此点.
9 z2 E+ j7 J7 g1 e% Z
( i7 {: g. q3 Q0 r( a. R, n2 Z. ?　　主开关管,主二极管不同的生产厂家参数有一定的差异,对EMC有一定的影响.

Demyar

感谢楼主分享

wu68aq

谢谢分享

haiyun0921

看看，学习了！