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DDR3相关处理

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1#
发表于 2019-4-15 09:07 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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求DDR3的电源处理及信号处理

该用户从未签到

推荐
发表于 2019-4-15 17:49 | 只看该作者
1.地址控制与时钟等长;2 G9 f$ t' J) o- m9 y0 {) m. l
2,数据与DQS登场;
- _$ S! T" S% }2 Z$ s因为等长的严格程度并不会造成太大的额外工作量,建议按严格来控制。比如10Mil等长
  c' f# ^/ I: E- D3.地址,数据,时钟,DQS在允许的情况下都按照3W设计,减少串扰,且不要跨分割,参考GND或DDR3自身电源平面
: x$ H; s# P/ g9 A8 G4.SSN优化:重点关注BGA控制芯片DDR3接口的pinmap,有些芯片pinmap排布回流地很少,很容易导致SSN问题,此时在设计时需要在DDR3信号过孔旁尽可能的补齐GND孔: N. C) Y1 y. A6 ~
5.拓扑结构:DDR3一般走fly-by就可以了,一驱多的话就正反对贴+fly-by。
% S6 S+ a% Y- M8 L4 U! H6.对于一驱多场景,控制芯片到第一片DDR3的走线阻抗控制40ohm,后面的走线阻抗统一60ohm(经验。不放心的话可以仿真确认)
5 N2 o8 @9 K+ {( {+ d' r做到以上6点,不仿真直接设计,也不会有啥问题。
8 f0 Z# T' |# r+ N5 _- X

点评

你好,第一跟第二点又关联吗,一般地址控制与时钟线都会比数据DQS长一点,这个有控制在一个范围吗,比如说多少百mil之内,还是有点关系没有,还是说随便,严格按照第一,第二点走就行了?望指点指点,我以前都是全部  详情 回复 发表于 2019-5-24 15:58

该用户从未签到

3#
发表于 2019-4-15 09:32 | 只看该作者
走线不要跨分割,DDR3下面确保平面完整,数据线分组,同组等长而且最好做在同一层,数据线等长误差越小越好,地址线走T或者FLY-BY,看情况用哪一种了,后者居多,地址线参考CLK做等长,地址线误差可以大一点,走线最好是3W,空间紧凑的情况下最少也要保证2W,走线控制好阻抗(单端、差分),差分走线注意等距等长,电源做好滤波,REF。
  • TA的每日心情

    2024-9-24 15:48
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    [LV.3]偶尔看看II

    4#
    发表于 2019-4-15 15:10 | 只看该作者
    重点如下:& v0 D: Y& t% ~- |* U3 @
    1、阻抗匹配,不能有跨分割,数据线优先参考地,地址线参考地或电源层;是否需要阻抗补偿(有些平台需要将主通道阻抗降低)
    , q' `& Z5 k4 \, ]! p, F2、等长匹配,同组同层同等长,DQS跟CLK间的等长4 I) k, h+ C7 Q
    3、间距,组间间距、组与组的间距以及单线跟DQS/CLK的间距% H4 E- W1 C; P& |2 }
    4、电源,最好的用平面层割出、VTT铺铜,VREF加粗$ j5 o9 F$ l! A) n% u! x
    重中之中是拓扑结构,看芯片是否支持读写平衡再决定走T或FLY-BY  这个错了  以上4点做得再好也是白搭

    点评

    你好,你这里提到的第二点 2、等长匹配,同组同层同等长,DQS跟CLK间的等长是这样理解吗?望指点指点 信号线同组之间等长就可以了不用参考CLK和地址线,DQS跟clk等长,不要参考其他的,你这里地址线没提到,地址  详情 回复 发表于 2019-5-24 15:44

    该用户从未签到

    6#
    发表于 2019-5-24 15:44 | 只看该作者
    wsbg3690 发表于 2019-4-15 15:10
    9 U2 a) Z; u+ [# R重点如下:4 @# U5 \; [) V6 T) z8 g, }6 z
    1、阻抗匹配,不能有跨分割,数据线优先参考地,地址线参考地或电源层;是否需要阻抗补偿(有 ...
    . ^& B6 W* E4 {7 M+ S
    你好,你这里提到的第二点   2、等长匹配,同组同层同等长,DQS跟CLK间的等长是这样理解吗?望指点指点7 R8 O' \9 M' _$ J4 c6 `4 q2 O
    信号线同组之间等长就可以了不用参考CLK和地址线,DQS跟clk等长,不要参考其他的,你这里地址线没提到,地址线是参考CLK吗?4 q. t$ G0 L( ^8 O

    点评

    DQS跟CLK控等长 DQ跟DQS控等长  详情 回复 发表于 2019-11-4 12:21

    该用户从未签到

    7#
    发表于 2019-5-24 15:58 | 只看该作者
    EdisonZheng 发表于 2019-4-15 17:495 d( ?' N- t+ Z2 [$ {
    1.地址控制与时钟等长;
    # v; K1 g3 E# \* x; Z2,数据与DQS登场;
    & \! P+ b; ?* K+ r因为等长的严格程度并不会造成太大的额外工作量,建议按严格 ...
    1 a7 a  l2 C8 o1 z' q. r2 t& R
    你好,第一跟第二点又关联吗,一般地址控制与时钟线都会比数据DQS长一点,这个有控制在一个范围吗,比如说多少百mil之内,还是有点关系没有,还是说随便,严格按照第一,第二点走就行了?望指点指点,我以前都是全部等长的,太辛苦了6 C, j+ s( Y/ `" K% p

    点评

    每个主控平台要求的标准不一样 可以参考芯片设计要求指导书 但是比较通常的是按500以内  详情 回复 发表于 2019-11-18 14:46
    DDR3内部有write leveling功能,CLK和DQS板级不需要控制等长。 所以第一点和第二点没有关联  详情 回复 发表于 2019-5-25 22:35

    该用户从未签到

    8#
    发表于 2019-5-25 22:35 | 只看该作者
    Zebin_Mo 发表于 2019-5-24 15:58+ z; Z/ u& ?! d2 t' M4 E. ~
    你好,第一跟第二点又关联吗,一般地址控制与时钟线都会比数据DQS长一点,这个有控制在一个范围吗,比如 ...
    6 z! a  ]' @# N' b4 y  w
    DDR3内部有write leveling功能,CLK和DQS板级不需要控制等长。
    ; k6 N; b- d7 k# u# g* w) A6 u所以第一点和第二点没有关联6 @! x  ]& l) a, k
  • TA的每日心情

    2024-9-24 15:48
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    [LV.3]偶尔看看II

    10#
    发表于 2019-11-4 12:21 | 只看该作者
    Zebin_Mo 发表于 2019-5-24 15:44
    & }) @8 v+ r8 z  I( L! E你好,你这里提到的第二点   2、等长匹配,同组同层同等长,DQS跟CLK间的等长是这样理解吗?望指点指点: |* o% ]1 C: ^# R( h$ i
    ...
    0 r" A7 R4 s- o- w% X
    DQS跟CLK控等长   DQ跟DQS控等长

    点评

    基本上 所有线都是参考CLK 的 DQ是间接参考CLK  详情 回复 发表于 2019-11-4 12:22
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    2024-9-24 15:48
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    [LV.3]偶尔看看II

    11#
    发表于 2019-11-4 12:22 | 只看该作者
    wsbg3690 发表于 2019-11-4 12:214 V% J8 w( h* j# ~' H
    DQS跟CLK控等长   DQ跟DQS控等长

    - t3 x& V. q1 q! S5 H基本上    所有线都是参考CLK 的   DQ是间接参考CLK
  • TA的每日心情

    2024-9-24 15:48
  • 签到天数: 8 天

    [LV.3]偶尔看看II

    12#
    发表于 2019-11-18 14:46 | 只看该作者
    Zebin_Mo 发表于 2019-5-24 15:58
    1 H- K* |& W; a; r' r; [你好,第一跟第二点又关联吗,一般地址控制与时钟线都会比数据DQS长一点,这个有控制在一个范围吗,比如 ...

    ) c  b& s5 h# I: E% X0 o* [每个主控平台要求的标准不一样  可以参考芯片设计要求指导书   但是比较通常的是按500以内
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