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DDR3相关处理

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1#
发表于 2019-4-15 09:07 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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求DDR3的电源处理及信号处理

该用户从未签到

推荐
发表于 2019-4-15 17:49 | 只看该作者
1.地址控制与时钟等长;* f+ R( \" H; b
2,数据与DQS登场;
2 E9 `  X4 r6 S' N$ ?3 f7 N/ Q因为等长的严格程度并不会造成太大的额外工作量,建议按严格来控制。比如10Mil等长, F1 H' C3 u, S4 ]" q8 X
3.地址,数据,时钟,DQS在允许的情况下都按照3W设计,减少串扰,且不要跨分割,参考GND或DDR3自身电源平面$ v) J- I4 o& A
4.SSN优化:重点关注BGA控制芯片DDR3接口的pinmap,有些芯片pinmap排布回流地很少,很容易导致SSN问题,此时在设计时需要在DDR3信号过孔旁尽可能的补齐GND孔
, W/ A$ x+ L* ]5.拓扑结构:DDR3一般走fly-by就可以了,一驱多的话就正反对贴+fly-by。8 L& J0 ?; c0 \
6.对于一驱多场景,控制芯片到第一片DDR3的走线阻抗控制40ohm,后面的走线阻抗统一60ohm(经验。不放心的话可以仿真确认)
8 M! M- A! D* y/ j" T做到以上6点,不仿真直接设计,也不会有啥问题。9 F* Q1 N, n" a5 w! S4 D% w1 F

点评

你好,第一跟第二点又关联吗,一般地址控制与时钟线都会比数据DQS长一点,这个有控制在一个范围吗,比如说多少百mil之内,还是有点关系没有,还是说随便,严格按照第一,第二点走就行了?望指点指点,我以前都是全部  详情 回复 发表于 2019-5-24 15:58

该用户从未签到

3#
发表于 2019-4-15 09:32 | 只看该作者
走线不要跨分割,DDR3下面确保平面完整,数据线分组,同组等长而且最好做在同一层,数据线等长误差越小越好,地址线走T或者FLY-BY,看情况用哪一种了,后者居多,地址线参考CLK做等长,地址线误差可以大一点,走线最好是3W,空间紧凑的情况下最少也要保证2W,走线控制好阻抗(单端、差分),差分走线注意等距等长,电源做好滤波,REF。
  • TA的每日心情

    2024-9-24 15:48
  • 签到天数: 8 天

    [LV.3]偶尔看看II

    4#
    发表于 2019-4-15 15:10 | 只看该作者
    重点如下:
    : A  [! M5 X; f- j# A1、阻抗匹配,不能有跨分割,数据线优先参考地,地址线参考地或电源层;是否需要阻抗补偿(有些平台需要将主通道阻抗降低)* E" i- i: d+ g2 s" |6 Q# z
    2、等长匹配,同组同层同等长,DQS跟CLK间的等长- M7 N& D- [$ r! v- _! M
    3、间距,组间间距、组与组的间距以及单线跟DQS/CLK的间距$ k  V4 X0 u4 H3 ~& ?1 D. Q
    4、电源,最好的用平面层割出、VTT铺铜,VREF加粗
    ! Y6 b% i. V- _重中之中是拓扑结构,看芯片是否支持读写平衡再决定走T或FLY-BY  这个错了  以上4点做得再好也是白搭

    点评

    你好,你这里提到的第二点 2、等长匹配,同组同层同等长,DQS跟CLK间的等长是这样理解吗?望指点指点 信号线同组之间等长就可以了不用参考CLK和地址线,DQS跟clk等长,不要参考其他的,你这里地址线没提到,地址  详情 回复 发表于 2019-5-24 15:44

    该用户从未签到

    6#
    发表于 2019-5-24 15:44 | 只看该作者
    wsbg3690 发表于 2019-4-15 15:10& b: v: D# H1 \$ ]7 u) v/ M
    重点如下:8 j. G* m  J' H# Z
    1、阻抗匹配,不能有跨分割,数据线优先参考地,地址线参考地或电源层;是否需要阻抗补偿(有 ...

    / D7 `4 u. d/ f$ Y你好,你这里提到的第二点   2、等长匹配,同组同层同等长,DQS跟CLK间的等长是这样理解吗?望指点指点
    4 a4 `1 r4 W# ]/ T1 h信号线同组之间等长就可以了不用参考CLK和地址线,DQS跟clk等长,不要参考其他的,你这里地址线没提到,地址线是参考CLK吗?/ A1 X4 f, y% N8 N4 L- F/ \

    点评

    DQS跟CLK控等长 DQ跟DQS控等长  详情 回复 发表于 2019-11-4 12:21

    该用户从未签到

    7#
    发表于 2019-5-24 15:58 | 只看该作者
    EdisonZheng 发表于 2019-4-15 17:49% v  R3 u4 T) a9 \9 s, L1 \6 |1 j5 O
    1.地址控制与时钟等长;* U( V+ p; r7 E( ~. O" x
    2,数据与DQS登场;
    8 J3 U5 L' P( H7 E* F, L因为等长的严格程度并不会造成太大的额外工作量,建议按严格 ...

    & [/ w$ R( `" V+ Y3 z* t! Q) ^你好,第一跟第二点又关联吗,一般地址控制与时钟线都会比数据DQS长一点,这个有控制在一个范围吗,比如说多少百mil之内,还是有点关系没有,还是说随便,严格按照第一,第二点走就行了?望指点指点,我以前都是全部等长的,太辛苦了
    6 j9 P% S4 A$ A. q5 X: a. ^% f

    点评

    每个主控平台要求的标准不一样 可以参考芯片设计要求指导书 但是比较通常的是按500以内  详情 回复 发表于 2019-11-18 14:46
    DDR3内部有write leveling功能,CLK和DQS板级不需要控制等长。 所以第一点和第二点没有关联  详情 回复 发表于 2019-5-25 22:35

    该用户从未签到

    8#
    发表于 2019-5-25 22:35 | 只看该作者
    Zebin_Mo 发表于 2019-5-24 15:58
    0 z2 O9 {( K. P1 {" l; V你好,第一跟第二点又关联吗,一般地址控制与时钟线都会比数据DQS长一点,这个有控制在一个范围吗,比如 ...

    # C$ q" u, w% ^* WDDR3内部有write leveling功能,CLK和DQS板级不需要控制等长。* H! @2 Y5 K2 q( P3 m0 B
    所以第一点和第二点没有关联5 _( Z+ v" q" V4 t
  • TA的每日心情

    2024-9-24 15:48
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    [LV.3]偶尔看看II

    10#
    发表于 2019-11-4 12:21 | 只看该作者
    Zebin_Mo 发表于 2019-5-24 15:44
    7 g# d7 t& d; ?* O: g你好,你这里提到的第二点   2、等长匹配,同组同层同等长,DQS跟CLK间的等长是这样理解吗?望指点指点6 m" ]% C, J2 u. a4 e; ~
    ...
    ' c* ^+ f7 O0 p7 Y- W& d
    DQS跟CLK控等长   DQ跟DQS控等长

    点评

    基本上 所有线都是参考CLK 的 DQ是间接参考CLK  详情 回复 发表于 2019-11-4 12:22
  • TA的每日心情

    2024-9-24 15:48
  • 签到天数: 8 天

    [LV.3]偶尔看看II

    11#
    发表于 2019-11-4 12:22 | 只看该作者
    wsbg3690 发表于 2019-11-4 12:21
    6 i  @. p! n) d( n" }! WDQS跟CLK控等长   DQ跟DQS控等长
    : z7 m; k3 X1 K
    基本上    所有线都是参考CLK 的   DQ是间接参考CLK
  • TA的每日心情

    2024-9-24 15:48
  • 签到天数: 8 天

    [LV.3]偶尔看看II

    12#
    发表于 2019-11-18 14:46 | 只看该作者
    Zebin_Mo 发表于 2019-5-24 15:583 K- B( b5 n4 B
    你好,第一跟第二点又关联吗,一般地址控制与时钟线都会比数据DQS长一点,这个有控制在一个范围吗,比如 ...
    # `( I$ D% h, p& y, Y
    每个主控平台要求的标准不一样  可以参考芯片设计要求指导书   但是比较通常的是按500以内
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