|
|
EDA365欢迎您登录！
您需要 登录 才可以下载或查看，没有帐号？注册
x
本帖最后由 jacky401 于 2019-5-16 06:31 编辑
+ x- o* C4 k/ j' S! C! Q; v3 {1 w0 c/ r7 T6 p9 c# R# v7 G
一、概念：1 \7 B5 q3 P) {" y
TVS（Transient Voltage Suppressor）即为“瞬态电压抑制”。瞬态电压通常表现为浪涌、直接或间接的雷击，电压从几伏到几十千伏甚至更高，典型的雷击浪涌峰值电流达3000A,时间20us。
2 L2 w6 _) t8 _1 d: G# M+ {
2 Z: j, D* R: D2 G5 N6 c) t ESD（Electro-Static discharge）的意思是“静电释放”。其中主要应用是HBM 和 MM，简单说就是人或者设备对器件放电（静电），但是器件不能损坏。! Q9 ]8 \9 V' O* {& I9 |+ }! G
1）典型的HBM CLASS 1C模型，规定 一个充电1000V-2000V的100pF的电容通过一个1500欧姆的电阻对器件放电. 典型的人体模型放电,峰值电流小于0.75A,时间150ns & \$ p6 g# }( k$ R
2）MM模型，要比人体模型能量大一些.电容是200pF,电压大概在200-400之间,不过没有串联电阻了. 典型的机器模型放电,峰值电流小于8A,时间5ns ! D- x6 y; n1 ^7 P4 ]; i3 P
+ i) b% J4 d+ ]; c: o" D6 x# p
二、器件：6 N3 K! d( x, `$ S/ r
TVS管是普遍使用的一种新型高效电路保护器件，它具有极快的响应时间（亚纳秒级）和相当高的浪涌吸收能力。当它的两端经受瞬间的高能量冲击时，TVS能以极高的速度把两端间的阻抗值由高阻抗变为低阻抗，以吸收一个瞬间大电流，把它的两端电压箝制在一个预定的数值上，从而保护后面的电路元件不受瞬态高压尖峰脉冲的冲击。
* w V) S8 p8 M. {% Z m$ J ( r8 J/ _/ P' [& G
ESD静电保护器件有两种元件，一种是硅基材料的，一种是高分子材料的， 两者工作原理不一样。 硅基材料的原理和TVS管差不多，先钳位高电压，然后泄放电到地。高分子材料寿命较短，如压敏电阻采用物理吸收原理，每经过一次ESD事件，材料就会受到一定物理损伤，形成永久性的漏电通道。
1 A7 F4 t* n) Q9 P; h& B1 z+ r' b, X0 G
TVS/ESD器件，一种同时具备TVS功能和ESD功能的器件。TVS是采用的半导体钳位原理，在经历ESD事件时，瞬间将能量传递出去，对器件材料本身并无影响。参见：https://wenku.baidu.com/view/2ad ... ?sxts=1557914681348
; E' E4 I* C: ~) E
% s) u$ \( @& o" P% V4 Y6 C, K0 N三、ESD教材6 U9 h9 r1 c4 V. s- ]0 }
0 t( u# [8 h/ f" U% f2 g( l2 u, c/ R
$ m: u$ U5 N" w1 n' P" o9 [5 h' ~! d9 W2 M
|
|
[复制链接]
/1 
发表于 2019-5-15 23:08
收藏
淘帖
支持！
反对！
发表于 2021-6-8 10:35
