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电容器阻抗/ESR频率特性是指什么

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    发表于 2019-5-23 14:11 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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    x
    电容器阻抗/ESR频率特性是指什么
    % l6 ?& v; b- X5 B

    , e8 l/ l0 n  i+ |7 w
    * A7 X  e5 D) S9 O阐述电容器的阻抗大小|Z|和等价串联电阻(ESR)的频率特性。
    ! l. J  m3 V9 q5 \$ N  _+ r0 U; n5 g9 D" t" U( }
    通过了解电容器的频率特性,可对诸如电源线消除噪音能力和抑制电压波动能力进行判断,可以说是设计电路时不可或缺的重要参数。此处对频率特性中的阻抗大小|Z|和ESR进行说明。1 ?5 O# B3 g; P
    $ B- _' C& X3 @$ I7 T
    1.电容器的频率特性
    - g9 \  B) }" g6 j0 x' v如假设角频率为ω,电容器的静电容量为C,则理想状态下电容器(图1)的阻抗Z可用公式(1)表示。9 k# K& c$ j: A% d1 ~

    " U. P% X5 s- n& ~8 N* ]1 p1 S
    图1.理想电容器

    9 W$ ~( U/ o/ I+ t, ^
    $ N6 G' h1 s7 g1 J+ p9 z' r
    由公式(1)可看出,阻抗大小|Z|如图2所示,与频率呈反比趋势減少。由于理想电容器中无损耗,故等价串联电阻(ESR)为零。' C4 V0 s: [, F; }$ x! X3 d0 W

    # K9 F. w( O) w; v. l8 A7 t
    图2.理想电容器的频率特性
    : w  ~# B  l, [5 X* D2 I6 e- ^" y, x) A
    # S$ x/ b6 x( z8 }
    但实际电容器(图3)中除有容量成分C外,还有因电介质或电极损耗产生的电阻(ESR)及电极或导线产生的寄生电感(ESL)。因此,|Z|的频率特性如图4所示呈V字型(部分电容器可能会变为U字型)曲线,ESR也显示出与损耗值相应的频率特性。& Q: j% K; b* H' x% C2 Q0 V0 Q& M4 j

    * i3 n5 f2 I( S  ^, d
    图3.实际电容器
    ' w" R: R+ y. z) [
    8 o- j: d" [; \) e3 Z
    图4.实际电容器的|Z|/ESR频率特性(例)
    . a8 Z% \2 D* V  ~- S

    ; q1 M9 f# q* ^0 E2 G8 R" k3 D|Z|和ESR变为图4曲线的原因如下。
    / X% @6 ~7 y1 n; V6 }( A0 I. }; X( V6 C8 u* X' W
    低频率范围:低频率范围的|Z|与理想电容器相同,都与频率呈反比趋势减少。ESR值也显示出与电介质分极延迟产生的介质损耗相应的特性。* j' }/ I7 L0 `5 S7 p# z
    . @! H2 _+ E' v6 o' P# {
    共振点附近:频率升高,则|Z|将受寄生电感或电极的比电阻等产生的ESR影响,偏离理想电容器(红色虚线),显示最小值。|Z|为最小值时的频率称为自振频率,此时|Z|=ESR。若大于自振频率,则元件特性由电容器转变为电感,|Z|转而增加。低于自振频率的范围称作容性领域,反之则称作感性领域。
    . L% c0 Q# [! h8 t; R, t+ ]8 R+ h# PESR除了受介电损耗的影响,还受电极自身抵抗行程的损耗影响。
    8 ^  B( f7 U) U9 N2 h. c5 K# F
    / @: S0 x. y0 C: Z: _7 ~: c& h# K8 j* |+ R. |1 L
    高频范围:共振点以上的高频率范围中的|Z|的特性由寄生电感(L)决定。高频范围的|Z|可由公式(2)近似得出,与频率成正比趋势增加。ESR逐渐表现出电极趋肤效应及接近效应的影响。
    ' S5 P; v! K, \, [- L& m  H; _2 b' r: Q2 Q' M$ ^& A0 i
    0 i% [, g1 b( Z7 h  e+ q3 J
    以上为实际电容器的频率特性。重要的是,频率越高,就越不能忽视寄生成分ESR或ESL的影响。随着电容器在高频领域的应用越来越多,ESR和ESL与静电容量值一样,成为表示电容器性能的重要参数。9 x& O9 j7 L6 ^' g( i- R7 ^
    2 U( m% M; ^/ Q# w7 F4 d5 Z2 H) I
    2.各种电容器的频率特性
    $ \) y# Y5 x1 R, l6 d5 F; u- x' Q9 J0 M+ D% f1 {! B
    ; B! z0 Y, o; P
    以上就电容器寄生成分ESR、ESL对频率特性的巨大影响进行了说明。电容器种类不同,则寄生成分也会有所不同。接下来对不同种类电容器频率特性的区别进行说明。
    . H9 x& N' q  J) \- Q# J3 U( u* O图5表示静电容量10uF各种电容器的|Z|及ESR的频率特性。除薄膜电容器以外,全是SMD型电容器。  M& u4 Y: J) W; J2 {
    2 u# Z- j& h! B
    图5.各种电容器的|Z|/ESR频率特性
    $ A& I+ n! G' @6 j

    + T8 ]& V4 |- _7 ?" G" |# y; M) y+ N图5所示电容器的静电容量值均为10uF,因此频率不足1kHz的容量范围|Z|均为同等值。但1kHz以上时,铝电解电容器或钽电解电容器的|Z|比多层陶瓷电容器或薄膜电容器大,这是因为铝电解电容器或钽电解电容器的电解质材料的比电阻升高,导致ESR增大。薄膜电容器或多层陶瓷电容器的电极中使用了金属材料,因此ESR很低。9 {0 v9 [' A. F
    多层陶瓷电容器和引脚型薄膜电容器在共振点附近的特性基本相同,但多层陶瓷电容器的自振频率高,感应范围的|Z|则较低。这是由于引脚型薄膜电容器中只有引脚线部分的电感增大了。) e" \3 @# t6 u6 p
    由以上结果可以得出,SMD型的多层陶瓷电容器在较宽的频率范围内阻抗都很低,也最适于高频用途。
    # l4 J! m7 o4 c3 N- m; k; E' Z3 |5 X5 x( F+ g/ f2 X
    3.多层陶瓷电容器的频率特性
    5 D0 n0 I2 P8 B; Q0 `多层陶瓷电容器可按原材料及形状分为很多种类。下面就这些因素对频率特性的影响进行说明。; S+ G$ r6 \7 b- |# |+ t9 Z- c: v
    (1)关于ESR
    ' P9 d+ o, b/ j; s! `* U3 H' c& k处于容性领域的ESR由电介质材料产生的介质损耗决定。Class2(种类2)中的高介质率材料因使用强电介质,故有ESR增大的倾向。Class1(种类1)的温度补偿材料因使用一般电介质,因此介质损耗非常小,ESR数值也很小。" Y& ^2 Q( Q1 ^
    共振点附近到感性领域的高频领域中的ESR除受电极材料的比电阻率、电极形状(厚度、长度、宽度)、叠层数影响外,还受趋肤效应或接近效应的影响。电极材料多使用Ni,但低损耗型电容器中,有时也会选用比电阻率低的Cu作为电极材料。
    + n( n# K  C. S& O
    $ }% h- ^5 A; l- p  F; F% b8 w(2)关于ESL
    : k6 i6 W* p4 j+ v  ^$ n多层陶瓷电容器的ESL极易受内部电极结构影响。设内部电极大小的长度为l、宽度为w、厚为d时,根据F.W.Grover,电极电感ESL可用公式(3)表示。9 p6 z6 Q& X/ v; n

    $ f. `0 l& T" ]" Q5 T由此公式可得知,电容器的电极越短,越宽,越厚,则ESL越小。2 J/ ?6 u' ~- E$ Y9 b
    图6表示各尺寸多层陶瓷电容器的额定容量与自振频率的关系。相同容量,尺寸越小,自振频率越高,则ESL越小。由此,可以说长度l较短的小型电容器适用于高频领域。
    0 i( Y8 o7 n! o! V4 q2 E
    3 R+ Y% m  C9 L( ]. M8 W! U
    图6.各尺寸额定容量值与自振频率的关系
    2 |1 H$ d* E6 `/ j" a$ f
    9 F2 s* ~$ Q$ m9 L- J! d

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    2#
    发表于 2019-5-23 15:46 | 只看该作者
    谢谢楼主分享
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