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简单介绍一下PCB元件封装库命名规则

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发表于 2019-8-28 10:24 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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PCB元件封装库命名规则简介
* k/ `: _0 ]2 U' N+ M  c9 f/ F+ ~. l0 x; G4 W; F
1、集成电路(直插)
4 H! O3 V" E2 f3 N! E: ^. \: w- j% B
        用DIP-引脚数量+尾缀来表示双列直插封装
, O9 m' Z+ n8 q$ `/ i7 L% g$ d" g5 a* M- z7 f% M. X( x
        尾缀有N和W两种,用来表示器件的体宽# s" u% a3 ]5 I# Q+ L

) u& U/ k$ y' j' F6 O        N为体窄的封装,体宽300mil,引脚间距2.54mm
' c0 ]+ V) B3 ^% ]9 l8 Z; ^  A. B, y& S5 ^) Q1 ^
         W为体宽的封装, 体宽600mil,引脚间距2.54mm/ x4 T4 A, M. b
) w+ K( e0 E) B( O, A1 [) p- h
        如:DIP-16N表示的是体宽300mil,引脚间距2.54mm的16引脚窄体双列直插封装
- B3 [4 ^( s- o5 Z$ p
6 a( L* A# h/ Y) K7 v- {2 、集成电路(贴片)$ g6 Q: o( N+ \# l. X. X

7 ~0 o' c( M& o" j# k$ B        用SO-引脚数量+尾缀表示小外形贴片封装
/ |0 M' q1 v3 I, L1 D9 |* ?6 J7 r) z9 q. }+ n
        尾缀有N、M和W三种,用来表示器件的体宽
8 \. c- o% l* {# d9 u6 o% D. I5 b& Q% [8 t3 o8 g* E
        N为体窄的封装,体宽150mil,引脚间距1.27mm" G' A3 f5 R- j9 K( f8 Y# K

/ H1 n: P1 A. N' r+ J3 ?# z, k        M为介于N和W之间的封装,体宽208mil,引脚间距1.27mm6 g5 l  q4 n! X; W

" a7 P9 y  y8 F7 ]6 }! K/ T  ?        W为体宽的封装, 体宽300mil,引脚间距1.27mm' r( H7 T& j$ J( `

9 J, U0 H+ b9 B! N( _/ \3 u5 k        如:SO-16N表示的是体宽150mil,引脚间距1.27mm的16引脚的小外形贴片封装( J8 t. g& H3 }" n& S+ E* C

% e( g' m; ~7 s- ~( ?5 b) {% i        若SO前面跟M则表示为微形封装,体宽118mil,引脚间距0.65mm0 P9 K0 d2 w/ l+ ?* Z

/ s  i. V7 Z) ?, I% I3、电阻
8 d$ D  x* B- V; L  u6 ^" a
2 j, S: W0 y! s3 Q& s        3.1 SMD贴片电阻命名方法为:封装+R$ W% o" b' l$ G9 a# ~4 ~
. S3 w- x% [+ V+ r( W
                 如:1812R表示封装大小为1812的电阻封装4 R5 a, I  S) @* w
; Y8 v$ W0 ?& i) ^' H
        3.2 碳膜电阻命名方法为:R-封装% o) G; k& l' ~! P

" Q, [% E) D1 |6 ^                 如:R-AXIAL0.6表示焊盘间距为0.6英寸的电阻封装
; I! T' m+ u  Y1 D
# Q2 M, N$ Y+ b        3.3 水泥电阻命名方法为:R-型号$ H+ V2 B# ]; h4 I/ s# V1 j

4 M  p7 p0 ^2 `8 v* h, I. O& C7 r        如:R-SQP5W表示功率为5W的水泥电阻封装
# \- j) h: G: {# \: @$ O5 k  `! b0 A9 T0 Q8 S2 U) J. T7 i+ H9 j
4、电容
( Q* S- f, _  a8 s$ U5 X5 U# ^% C& m' u5 r
        4.1 无极性电容和钽电容命名方法为:封装+C/ \& `& A& M% q0 t. n2 ~
! @; g2 P* h6 B/ t# i
                 如:6032C表示封装为6032的电容封装
; F+ I: I: h- F8 b  u' O3 d; e: i0 v- X( l) h5 g
        4.2 SMT独石电容命名方法为:RAD+引脚间距
! i- a& h+ Y; z$ o4 o2 ?! y/ W7 Y9 w3 F6 x% g9 C: N
  
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. `, u3 l9 P! c, {9 w. c' G

4 W# V5 n5 ]4 B; I

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3#
发表于 2019-8-28 12:21 | 只看该作者
学习学习。非常感谢!
  • TA的每日心情
    开心
    2019-11-19 15:57
  • 签到天数: 1 天

    [LV.1]初来乍到

    4#
    发表于 2019-8-28 13:44 | 只看该作者
    小白前来报到

    该用户从未签到

    5#
    发表于 2019-8-28 22:43 | 只看该作者
    优先使用官方的case code命名好不

    “来自电巢APP”

    该用户从未签到

    7#
    发表于 2019-9-9 20:33 | 只看该作者
    讲的太棒了, o. w" }( z+ I$ u! r" K) V2 E$ \6 L

    该用户从未签到

    10#
    发表于 2019-11-29 21:10 | 只看该作者
    谢谢楼主分享!
  • TA的每日心情
    开心
    2019-12-28 15:48
  • 签到天数: 1 天

    [LV.1]初来乍到

    12#
    发表于 2019-12-30 13:40 | 只看该作者
    查看更多消息2 I7 e- y& y: U1 l2 O2 [

    该用户从未签到

    13#
    发表于 2020-3-30 21:54 | 只看该作者

    该用户从未签到

    14#
    发表于 2020-12-14 09:04 | 只看该作者
    谢谢分享,看看学习
  • TA的每日心情
    开心
    2021-3-2 15:30
  • 签到天数: 138 天

    [LV.7]常住居民III

    15#
    发表于 2020-12-14 13:44 | 只看该作者
    谢谢楼主分享
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