TA的每日心情 | 奋斗
2022-4-26 15:14 |
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签到天数: 152 天 [LV.7]常住居民III
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本帖最后由 colin_fa 于 2020-2-8 17:10 编辑
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在huawei 2009~2011年接口二次电源产品时，SO3*4，还有后来2017~2018年接口逆变器时SO8*8的QFN封装Mos的失效是令我记忆深刻的，各种自己内部的分析、厂家的分析，各种会议、各种排除法的验证跟线、C-SAM、剖面... 6 |& `' s5 ^# d/ g
; |% B3 c0 k5 o0 K8 p4 E当时在觉得烦的同时，反复的实践，对QFN印象深刻，任何事物都是一分为二的：
5 w& X; [. w9 i1、QFN有点是占板面积小，尤其是在数量较多或阵列话布局时，比LF-pak、D2Pak节省面积至少20%；
, E8 q4 j$ R2 h: X8 X2、在PCB表层铜厚＜2OZ时，在焊接、温度循环时，器件内部的内框架容易受到机械应力而拉断，在上电工作时容易发生烧板；- p5 `0 m' y, S' b
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发表于 2019-11-2 06:14
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发表于 2020-2-8 17:07