请路过的朋友解答一下小弟的问题——关于上电复位

babydog0

刚开始学单片机开发，看到如下的一个图

4 f% c  E: O) ?6 q( \其中的电容实现复位延时功能，但是其原理是什么呢？我说下我的理解大家看对不对：刚开始加电时不希望芯片电压出现由高到低的变化过程，于是用电容来积累VCC的电荷，到达饱和时便不再充电，然后电源VCC才加在了芯片的VCC端，之前的电源用来给电容充电而没有加载到芯片上，对吗？      
, ~4 F# j" g3 m! E  \$ e 还有就是电容的另一端连在RST复位端，作用是什么呢？是在电容充电的过程中将电源电压传到RST端使其保持复位状态吗？ 不知道这样理解对不对
% D! G4 x5 F# N( [. r   第三就是  二极管D可以在VCC断电时加速电容放电，但我不能理解的是：在断电的瞬间电容的下端即电阻的上端节点的电压和电阻的下端（即接地端）电压哪个高呢？是不是电容下端电压为负，从而二极管正偏，才导致电容加速放电呢？

请大家不吝赐教，谢谢

liqiangln

如果你用戴维南分析的话，就是电源全部和地接起了，这样从输入端口看到话，就是一个RC并联的一个电路，实际上就是RC谐振电路，时间系数就是Vout =  Vi(1-e(t/RC)), Vi = VCC，Vour = RST. 芯片的VCC上电就有了，这里的上电复位是说VCC上电后RST多久才变成高，之前看门狗芯片一直处于复位状态。
, L1 r( _3 z, G) u% h7 E! K  U( {
, B# C0 P$ d% @' ^; s. \# M) N当VCC掉电后，电容的作用就是续流给芯片供给，这个时候电容就是一个恒压源。此时芯片VCC和VSS之间你可以当作是一个电阻Rload来看。电流从电容上端出发，流经整个Rload, 到了VSS这点，有2个路径，一个是二极管，一个是8.2K电阻，要是你当然选阻抗小的路径吧，但是阻抗小的路径有个条件，必须压差大于0.6V（二极管特性），假设芯片工作电流0.5A，芯片内阻1欧姆（其实芯片内阻比这个还小，因为VCC和VSS之间很多电容，电容的ESR很小，并联后的阻抗就更小），Rload的压降是0.5V，二极管2端的压降就是3.3V-0.5V = 2.7V，二极管导通，泻放电流。

电源掉电后，哪有什么地了，此时有压差就有电流。

dzcn_hh

http://hi.baidu.com/yanzanyangzh ... 9273a0d8335a0b.html

evatan

我电路没真正学通透，请版主再分析下
“其实芯片内阻比这个还小，因为VCC和VSS之间很多电容，电容的ESR很小，并联后的阻抗就更小”???

$ K+ l6 ~% ]2 K# j电流从既然电容的上端（VCC端）出发，它不是交流电吧？？怎么能“流过”电容呢？

lihuayoukaifang

不用讲这么复杂吧。
1 B. X$ [0 s) O; t4 t1 {0 @6 q* b上电电容充电，瞬间电流大，流过电阻。复位端高电平复位。
2 f5 U6 S2 i% b% s# \, x$ {" r然后随着电容充电完毕，电流慢慢减小，复位端逐渐变低，
完成复位过程。
7 B* f! l8 H  |8 l至于二极管只是电源掉电加速放电的作用。
以免掉上电速度太快芯片不能正常复位。

20072475

这个电路也可用做高通滤波，用上升时间替换转折频率，并用上升时间计算电容具有的电抗，公式为X=Tr/πC，上升时间短转折频率就高，而电抗就低，全振幅的脉冲前沿将直接冲过这个电容，时间间隔过大，频率较低，电抗变大，导致耦合信号的幅度降低，也就组织了较低频率的通过，我还有一个不明白的地方就是怎样确定一个电容的值来得到想要通过的频率