找回密码
 注册
关于网站域名变更的通知
楼主: ljyxzz
打印 上一主题 下一主题

请教一个NMOS管供电的电路

[复制链接]
  • TA的每日心情
    奋斗
    2020-4-9 15:05
  • 签到天数: 6 天

    [LV.2]偶尔看看I

    16#
    发表于 2019-12-26 11:08 | 只看该作者
    YOTC 发表于 2019-12-26 09:355 I# O# d4 v4 D* s" `; V
    请问体二极管导通时,S端电压值VBAT-0.6V吗?
    : Z2 w# p9 [8 j) I
    是不是-0.6V要看MOS管规格书中关于体二极管Vf(也有会标注为Vsd、Vds)的参数。) J' I1 T6 d4 _

    点评

    谢谢,请问你说的Vds就是下图红色圈起来的值吧? [attachimg]235426[/attachimg] 做为防反接,用了MOS管,二极管是不是就可以不用了,两者没必要一起上件吧(TI的文件好像是说MOS可以改善二极管的缺点,图上画的应  详情 回复 发表于 2019-12-26 15:47
  • TA的每日心情
    奋斗
    2019-12-30 15:44
  • 签到天数: 2 天

    [LV.1]初来乍到

    18#
    发表于 2019-12-26 15:47 | 只看该作者
    本帖最后由 YOTC 于 2019-12-26 15:48 编辑 0 I! I" s# T  e' H; {; w8 Y! |
    topwon 发表于 2019-12-26 11:08- l9 ^5 d/ r8 }( |  {6 L& Z" o* \
    是不是-0.6V要看MOS管规格书中关于体二极管Vf(也有会标注为Vsd、Vds)的参数。

    ; [9 t8 e. v- @( O6 P0 I  Q4 m' c7 Z) z谢谢,请问你说的Vds就是下图红色圈起来的值吧?7 W& ?0 @" m" [

    0 Y! T2 s5 `% U2 y+ h& I, h. e做为防反接,用了MOS管,二极管是不是就可以不用了,两者没必要一起上件吧(TI的文件好像是说MOS可以改善二极管的缺点,图上画的应该是体二极管而不是普通二极管吧)?. n4 o$ A5 M/ u4 t9 {% z, V

    222.jpg (6.05 KB, 下载次数: 1)

    222.jpg

    333.jpg (6.31 KB, 下载次数: 0)

    333.jpg

    点评

    是的。直接利用MOS管内部的寄生体二极管就可以了,不需要外部再加二极管。  详情 回复 发表于 2019-12-26 16:40

    该用户从未签到

    19#
    发表于 2019-12-26 16:30 | 只看该作者
    还是没搞懂这电路是怎么用的。
  • TA的每日心情
    奋斗
    2020-4-9 15:05
  • 签到天数: 6 天

    [LV.2]偶尔看看I

    20#
    发表于 2019-12-26 16:40 | 只看该作者
    YOTC 发表于 2019-12-26 15:47
    * I; w/ r; F* C3 ~% {谢谢,请问你说的Vds就是下图红色圈起来的值吧?
    1 |9 @; V) ]! V& K& L
    & y7 L, f& Z2 A做为防反接,用了MOS管,二极管是不是就可以不用了, ...

    - Y  j8 z8 J3 z是的。直接利用MOS管内部的寄生体二极管就可以了,不需要外部再加二极管。2 \% h. s! R5 c+ d2 F
    , b5 v: R) I% P! u( R5 k) Z. N

    该用户从未签到

    21#
    发表于 2019-12-26 23:39 | 只看该作者
    防反电路,PMOS是对的。压降低

    点评

    不对啊,DMN4468LSS明明就是N沟道的增强型场效应管,你为什么说是P管呢。  详情 回复 发表于 2020-1-19 10:51
    考虑考虑  详情 回复 发表于 2020-1-6 15:44
  • TA的每日心情
    开心
    2021-1-29 15:20
  • 签到天数: 9 天

    [LV.3]偶尔看看II

    22#
    发表于 2019-12-27 08:33 | 只看该作者
    这种接法会漏电,即只要S端有电压就会通过二极管漏电到D端。并且这个MOS管不能开通,控制不对,如果后面电流比较大,MOS管可能就烧了。

    点评

    这是TI资料里面的,应该不会有错  详情 回复 发表于 2019-12-27 08:46

    该用户从未签到

    23#
    发表于 2019-12-27 08:40 | 只看该作者
    :hug::hug::hug:
  • TA的每日心情
    奋斗
    2019-12-30 15:44
  • 签到天数: 2 天

    [LV.1]初来乍到

    24#
    发表于 2019-12-27 08:46 | 只看该作者
    布衣 发表于 2019-12-27 08:33
    + v/ g2 w* t+ B( _' C9 C这种接法会漏电,即只要S端有电压就会通过二极管漏电到D端。并且这个MOS管不能开通,控制不对,如果后面电 ...
      X: u7 Q  N/ w
    这是TI资料里面的,应该不会有错3 H" D$ ~; @+ g
    MOS管防反接电路应用TI.pdf (34.75 KB, 下载次数: 7) ( T: K9 D+ k3 U

    点评

    他指的应该是贴主的那个接法吧。首先用错Nmos管了,其次D和S搞反了。另外补充一点 这种防反电路与一般的mos管控制电源的接法(S接输入电源)是不同的。不过从MOS管导通原理看,只要满足GS级间电压差的要求,DS之间  详情 回复 发表于 2019-12-27 09:09
  • TA的每日心情
    奋斗
    2020-4-9 15:05
  • 签到天数: 6 天

    [LV.2]偶尔看看I

    25#
    发表于 2019-12-27 09:09 | 只看该作者
    YOTC 发表于 2019-12-27 08:46; _' L& ?1 K8 r/ \( p' h
    这是TI资料里面的,应该不会有错

    7 m) O# d  v6 ]" H- c3 q4 C# }' q; l他指的应该是贴主的那个接法吧。首先用错Nmos管了,其次D和S搞反了。另外补充一点( R# W, O/ K8 p& x7 o
    这种防反电路与一般的mos管控制电源的接法(S接输入电源)是不同的。不过从MOS管导通原理看,只要满足GS级间电压差的要求,DS之间的电流流向是可以双向的,所以从本质上看,D和S都可以接高边电源输入,只要考虑GS电压控制方式和体二极管方向的影响就可以了。+ N8 u6 E$ m" R

    0 R: D$ I) f5 W* ~) ?8 A

    点评

    对,我说的是贴主的那种接法。  详情 回复 发表于 2019-12-27 11:06
  • TA的每日心情
    开心
    2021-1-29 15:20
  • 签到天数: 9 天

    [LV.3]偶尔看看II

    26#
    发表于 2019-12-27 11:06 | 只看该作者
    topwon 发表于 2019-12-27 09:09
    # ]9 ?# Q: @3 [. S( P他指的应该是贴主的那个接法吧。首先用错Nmos管了,其次D和S搞反了。另外补充一点6 A8 `0 g7 A4 K1 k6 T$ {8 ~
    这种防反电路与一般的 ...
    5 ^) p% G# M+ G$ c5 K
    对,我说的是贴主的那种接法。& @6 `' B9 e$ M% v8 S& J+ d8 E
  • TA的每日心情
    开心
    2021-1-29 15:20
  • 签到天数: 9 天

    [LV.3]偶尔看看II

    27#
    发表于 2019-12-28 08:38 | 只看该作者
    YOTC 发表于 2019-12-25 19:44:232 _3 @! d) |" u) p# s0 ^
    请问在VBAT供电瞬间,在MOS没有导通之前,S端电压值是如何由零电平升到开启电压(上电瞬间S端应该是零电平吧)?靠的是体二极管吗?谢谢5 u6 F& @+ z- d, j

    ; b2 Q; l" N6 D3 r) [

    # z# q8 K1 m' Q2 f' p
    / D1 s. p4 _$ t( L+ {9 H  ^对,就是体二极管漏电过去。) t  R. I* J. a$ w

    “来自电巢APP”

    该用户从未签到

    28#
    发表于 2020-1-2 17:01 | 只看该作者

    该用户从未签到

    30#
    发表于 2020-1-4 16:57 | 只看该作者
    这个我也不会的,
    / w5 o$ b4 O7 s. G
    您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

    本版积分规则

    关闭

    推荐内容上一条 /1 下一条

    EDA365公众号

    关于我们|手机版|EDA365电子论坛网 ( 粤ICP备18020198号-1 )

    GMT+8, 2025-10-10 18:32 , Processed in 0.171875 second(s), 30 queries , Gzip On.

    深圳市墨知创新科技有限公司

    地址:深圳市南山区科技生态园2栋A座805 电话:19926409050

    快速回复 返回顶部 返回列表