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求助,MOS管不知为何挂了,求助

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  • TA的每日心情
    奋斗
    2022-1-6 15:15
  • 签到天数: 12 天

    [LV.3]偶尔看看II

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    1#
    发表于 2019-12-30 10:23 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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    本帖最后由 rostinc 于 2019-12-30 10:41 编辑 5 P$ Q9 d$ u/ A% S

    * J% M6 Y9 d& o4 Z/ Y$ a. i  r电路图如下6 w1 k2 ~' C( ^) T+ c
    7 Z6 t  F8 e0 B: t
    1、2是两个控制端,连接在一个phoenix ups上面,输出类型为继电器输出,两种状态 24V和悬空;这个电路是通过UPs输出的两种状态控制两个LED灯点亮。1 输出高时,两个灯都不亮,1悬空时2输出高亮黄灯(YL那个),1悬空2悬空时,绿灯亮(GN)。0 W2 u0 u6 H2 u, Z
    问题如下:我们在外面加工厂做了一批,入厂检验测试时发现当1、2悬空时很多个黄、绿两个灯同时亮了。此时,下方MOS栅极有一个约9V的电压。更换下方MOS,恢复正常。
    ' x% @6 m* Q/ y' a器件型号,TVS PESD24S1UB;PMOS DMP510DL。. i+ T9 ]- k* E$ w  u
    由于问题故障率太大,不能进行生产。请各位大大帮忙看看到底为什么会导致MOS损坏。有没有什么便捷的解决方法。9 D. K' k! O+ ]& E5 v
    谢谢
    ! v/ q% h* g$ h; t  h* y1 z, ^

    TIM图片20191230101733.jpg (39.99 KB, 下载次数: 0)

    TIM图片20191230101733.jpg
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  • TA的每日心情
    开心
    2025-1-23 15:05
  • 签到天数: 17 天

    [LV.4]偶尔看看III

    推荐
    发表于 2019-12-30 15:30 | 只看该作者
    提示: 作者被禁止或删除 内容自动屏蔽
  • TA的每日心情
    奋斗
    2020-4-9 15:05
  • 签到天数: 6 天

    [LV.2]偶尔看看I

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    发表于 2019-12-30 10:53 | 只看该作者
    该器件的GS极限耐压标注为30V。你实际设计为Vgs=VCC=24V。不知道电源VCC的波动情况是怎样的,是否会存在短暂过压?另外也不知道是否与该批次芯片有质量问题或者假冒伪劣?最好GS之间加一个电阻分压吧,不过分掉的电压也不能太大导致黄灯被点亮(可以考虑黄灯串联分压电阻再加大一些,以减小该电压时的电流)
  • TA的每日心情
    奋斗
    2020-4-9 15:05
  • 签到天数: 6 天

    [LV.2]偶尔看看I

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    发表于 2019-12-31 11:34 | 只看该作者
    Lanceoo00 发表于 2019-12-31 09:42, D" @. I& W7 P7 T; b
    个人觉得MOS的gate端不要加电容。
    % \* f# L4 z7 o- M. N4 j$ [0 m- y2 d1 t. [  q8 j2 ?
    电容会导致MOS开启时间变缓,开关损耗很大,发热严重,最后损坏。

    3 q, N% V, {8 J' a( m& R, k他的前级是继电器驱动的开关,频率肯定很低了啊,这种损耗应该很微小了,我觉得应该不是原因。4 d( |. @$ J/ A: Z( M+ E; u; U
  • TA的每日心情
    奋斗
    2020-4-9 15:05
  • 签到天数: 6 天

    [LV.2]偶尔看看I

    2#
    发表于 2019-12-30 10:39 | 只看该作者
    你先把PMOS的S和D极标清楚,并把MOS管中的体二极管也标上,看看电路是怎样工作的。
    3 e$ y9 T! [) N, H3 {  Y2 m) y9 z
  • TA的每日心情
    奋斗
    2022-1-6 15:15
  • 签到天数: 12 天

    [LV.3]偶尔看看II

    3#
     楼主| 发表于 2019-12-30 10:42 | 只看该作者
    topwon 发表于 2019-12-30 10:39* N+ \/ n0 R2 B8 `! Y
    你先把PMOS的S和D极标清楚,并把MOS管中的体二极管也标上,看看电路是怎样工作的。

    5 E) y: u3 }( u3 s' n; n原理图已更新,请查看2 z/ d- B; f/ ^- `
  • TA的每日心情

    2020-6-21 15:40
  • 签到天数: 44 天

    [LV.5]常住居民I

    5#
    发表于 2019-12-30 11:24 | 只看该作者
    本帖最后由 522 于 2019-12-30 11:26 编辑 2 K4 C$ b  d" [

    ! x9 i7 C' L; Z# z, Z) H学习学习学习学习
  • TA的每日心情
    奋斗
    2025-6-12 15:06
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    [LV.5]常住居民I

    6#
    发表于 2019-12-30 11:38 | 只看该作者
    我也认为先在输入端并个电阻试一下,看看是不是瞬间电流击穿了,一般我都会加一个电阻
  • TA的每日心情
    奋斗
    2022-1-6 15:15
  • 签到天数: 12 天

    [LV.3]偶尔看看II

    7#
     楼主| 发表于 2019-12-30 12:24 | 只看该作者
    13622055914 发表于 2019-12-30 11:382 L, T* J" m3 l! K1 G6 `/ ]: z( t( F
    我也认为先在输入端并个电阻试一下,看看是不是瞬间电流击穿了,一般我都会加一个电阻

    1 ]. B! Q) s" {  s3 U不知道你说的输入端并电阻,在哪里并?
    - q7 `) F" \3 G

    该用户从未签到

    9#
    发表于 2019-12-30 16:39 | 只看该作者
    可能是带电插拔导致MOS高压损坏,R6改到VCC和Q1之间,D1放在Q1漏极即R6下面。

    该用户从未签到

    10#
    发表于 2019-12-30 17:29 | 只看该作者
    你的测试夹具上接了继电器吗?有的话有反冲保护吗?没有的话挂掉很正常啊!
  • TA的每日心情

    2020-3-16 15:16
  • 签到天数: 9 天

    [LV.3]偶尔看看II

    11#
    发表于 2019-12-30 23:12 | 只看该作者
    可能是检测时把它弄坏了,检查下系统检测时插拔、上电时序,接地是否ok,UPS电压是否正确,接测量下UPS继电器开关时PMOS管的栅极电压波形。
  • TA的每日心情
    奋斗
    2021-1-4 15:01
  • 签到天数: 16 天

    [LV.4]偶尔看看III

    12#
    发表于 2019-12-31 09:42 | 只看该作者
    个人觉得MOS的gate端不要加电容。
    4 K+ p/ E% \6 \1 H( k& r  o
    0 R+ F! p8 y: f  M( W! V  X电容会导致MOS开启时间变缓,开关损耗很大,发热严重,最后损坏。/ }6 e/ h+ b! @- x

    8 V2 q6 k5 M0 ^8 w1 {: u" `  Q把电容去掉。
    7 E7 E4 y% o4 ~8 H; k+ p& `
    7 U, D" l* ]& Y8 W& j+ DMOS gate端串联的阻值不易过大,一般几十欧姆作用最大了。
  • TA的每日心情
    开心
    2019-12-31 15:10
  • 签到天数: 1 天

    [LV.1]初来乍到

    13#
    发表于 2019-12-31 11:29 | 只看该作者
    1. MOS击穿 流到G端 栅极,应该是与静电释放有比较大的关系,或者是上电瞬间,回路应该是下图标识的路径是阻抗最小的,R3阻值加大,和栅极电容肯定是不需要的6 m, l3 {' O' x

    该用户从未签到

    15#
    发表于 2019-12-31 21:12 来自手机 | 只看该作者
    TVS接错了,阴极应接到24V电源,阳极应接控制输入端,这样才能形成对MOS管栅极的保护。
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