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[AD 10][2层]紧凑型半桥增强隔离式栅极驱动参考设计(SN6505BDBVR+UCC21520DW)原...

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发表于 2020-1-20 15:27 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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作品名:[AD 10][2层]紧凑型半桥增强隔离式栅极驱动参考设计(SN6505BDBVR+UCC21520DW)原理图和PCB源文件
3 }9 {- \3 B9 g/ i) ]# R( X6 X' K1 n, k8 P
文件描述/ I  Y0 f5 I( N

  N' a6 X/ S! q% j8 n1. 作品用途:紧凑型半桥增强隔离式栅极驱动参考设计& C/ L) K, G4 a, y' p5 r

+ b% m3 U4 Y1 ]( g' U5 c2. 软件版本:AD 10
" x! D% h) Y3 h; {
+ |7 E  J- W9 P3. 层数:2层板
9 ]$ E, p6 v7 ]4 w2 v' F' {4 d9 f+ u( \$ _
4. 用到的主要芯片:SN6505BDBVR+UCC21520DW
0 O/ H/ ?8 q+ M7 O1 I1 x* z# y/ B" g* K7 G2 w3 t' O& E% h
5. PCB尺寸:37.1mm*37mm
8 g+ t( w% F( z; m7 Y2 f9 z  I) A. w
) V- N( ^% t9 ?: [7 o
作品截图如下:
7 \* \4 w; B1 ?' N$ ]
# V" h  Q* _7 {; n- ?6 ~7 G顶层截图:
0 u1 H2 E3 R. Q# z3 S# `
! K, \- A; E+ H- w5 L5 [: W, h; Z4 ^: B
底层截图:
: }* l# y- u$ p0 ]9 Z, ]5 {# U % y/ w- i; g- c6 P2 W

1 E4 B$ \: W  E/ w! r+ a全层截图:
# O# H7 q0 }, I* r2 N3 Z% j
/ X, o) }: T( k. W' p4 @7 N5 J8 o* f, s" ?5 s% ?6 O) `
叠层信息截图如下:
. P6 H. C& [8 ~! c4 \
- Q* y2 t' r! }  u
6 _& c$ n& C, H: ZBOM:
! c$ f: u, w0 u& ~/ l/ D! F
Comment(属性)Designator(位号)Footprint(封装)Quantity(数量)
CGA5L3X7T2E224K160AEC1, C21206
2
885012106018C30603
1
C0603X104K3RACTUC40603
1
06035A220JAT2AC5, C60603
2
GRM21BZ71E106KE15LC7, C90805_HV
2
8.850122061e+011C80603
1
UFM15PL-TPD1SOD-123FL
1
1N5819HW-7-FD2, D3SOD-123
2
FiducialFID1, FID2Fiducial10-20
2
61300421021J1Wurth_61300421021
1
TSW-102-08-G-S-RAJ2TSW-102-08-G-S-RA
1
TSW-103-08-G-S-RAJ3TSW-103-08-G-S-RA
1
CRCW0603100RFKEAR1, R20603
2
CRCW08050000Z0EAR3, R50805_HV
2
RT0603BRD074K75LR40603
1
CRCW06030000Z0EAR6, R70603
2
750342879T1WURTH_750342879
1
UCC21520DWU1DW0016A_N
1
SN6505BDBVRU2DBV0006A_N
1

" F6 R% K3 F5 E, s7 s5 |  @附件:
3 {% Z3 ], x- F6 ^' |$ s! H
+ S# A( _) m, _" u7 |- u, ^原理图和PCB源文件如下:
" d3 H( d, R- N% {- W
游客,如果您要查看本帖隐藏内容请回复

( V, @$ c/ _) {% @- e+ A2 b) n+ }7 D6 b: d! F; V

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