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[AD 16][2层]EMI 性能裕度为 15dB 的 3W 非隔离式偏置电源原理图与PCB文件

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发表于 2020-2-17 11:56 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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作品名:[AD 16][2层]EMI 性能裕度为 15dB 的 3W 非隔离式偏置电源原理图与PCB文件5 c$ H: B7 D$ q/ ?
3 h/ L; t. f+ W# {' _. Q& o
文件描述
. f  I1 r% @' J" c# U) q' K1. 作品用途:非隔离式偏置电源
* `+ L% x$ }. S/ h+ K5 l2. 软件版本:AD 16
/ O/ c9 q5 m, X! K, E1 Q% S3. 层数:2层板
2 k) B1 ^5 T4 }5 k5 @4. 用到的主要芯片:UCC28881 +TPS5405
3 ^+ w" U' y, C2 ~: A+ I: V2 R5 g5. PCB尺寸:126.3mm*88.3mm. j2 z: r" I1 ^/ I/ X

' _& o8 R# E5 D6 G作品截图如下:
- t/ O* ?3 Q( O" c  m7 `" s* D顶层截图:4 E$ T, h3 C3 u3 z; N- X& e0 [

9 E9 |; W4 G3 w2 D) g$ K5 A/ |; E; @0 t  p& o9 c2 h, o: [# W7 ]8 s! G
底层截图:2 o5 K3 s: U  G& W- X3 v  T* w
% j; w, p6 O; h% J# O! W

( _0 p# k/ I8 K  d全层截图:- x# B5 {9 r4 q3 E9 I

4 `6 w3 I. m" C( `) B& a1 V% C! d& \1 c
叠层信息截图如下:9 y3 H8 H: ?4 q! R
# e2 P! X  k( ?

+ H8 A& K' d+ @3 n; q0 M9 x/ LBOM:
* l& k) ~' O3 o+ Y5 k  I( J( Y6 z3 x
Comment(属性)
Designator(位号)
Footprint(封装)
Quantity(数量)
C1608X7R1H104K080AA
C1, C2
0603
2
C1608X7R1H103K
C3, C10, C12, C13
0603
4
C1608X7R1H153K080AA
C4
0603
1
06031C222JAT2A
C5
0603
1
UCY2G100MPD1TD
C6, C7
CY_1000x1600
2
06035A101FAT2A
C8
0603
1
UPW1A471MPD
C9
E/P3.2/D8
1
UPW1E331MPD
C11
E5/10
1
1N4007
D1, D2, D6
DO-41
3
B240-13-F
D3
SMB
1
MMSZ4705T1G
D4
SOD-123
1
US1M-13-F
D5
SMA
1
RST 500
F1
Fuse_RST
1
1715721
J1
PhoenixContact_1715721
1
61300311121
J6
WURTH_61300311121
1
5800-102-RC
L1
5800
1
7447471102
L2
Inductor-P5D8
1
7447471102
L3
WE-TIS-1111
1
CRCW06030000Z0EA
R1
0603
1
RT0603DRE07135KL
R2
0603
1
RC0603FR-0710KL
R3
0603
1
CRCW060347K0JNEA
R4
0603
1
RC0603FR-0751RL
R5
0603
1
CRCW0603100KFKEA
R6
0603
1
CRCW06033K90JNEA
R7
0603
1
5000
TP1, TP2, TP3, TP4,  TP5, TP6
Keystone5000
6
5001
TP7, TP8
Keystone5001
2
UCC28881DR
U1
D0007A_N
1
TPS5405
U2
SO-G8/E2.5
1

1 P! ]5 q1 Z! L; L8 c附件:" A# r( a# H0 x1 o  Y( {, w
原理图和PCB源文件如下:/ A6 ~- p5 b$ y) X8 \" K. G4 _
游客,如果您要查看本帖隐藏内容请回复
8 P9 {/ v4 [! ~- o0 s

* A1 n* X: N! d: c
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