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楼主: shqlcdd
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关于DDR信号辐射问题

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该用户从未签到

16#
发表于 2011-1-19 19:56 | 只看该作者
对于电源线加粗不仅仅是从电流的角度出发的,还要考虑寄生参数的影响,在高速最怕的就是寄生电感,你的电源线如果不够粗的话,那么它的寄生电感将会很大,如果在某一时刻,你的总线全部处于驱动状态,那么就会瞬间有一个非常大的剑锋电流,这样,即使很小的寄生电感,也会带来很大的电压差,当然会有更大的辐射。

该用户从未签到

17#
发表于 2011-8-17 10:25 | 只看该作者
学习了3 T/ t# W) H2 w6 ?' h$ ?7 K0 L

该用户从未签到

18#
发表于 2011-8-18 10:14 | 只看该作者
学习了!!!

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19#
发表于 2013-4-18 10:11 | 只看该作者
学习了

该用户从未签到

20#
发表于 2013-5-15 13:33 | 只看该作者
看的不是很明白

该用户从未签到

21#
发表于 2015-1-20 10:00 | 只看该作者
我这里从SI/PI的角度分析下这个问题:: u/ h9 i! f# }
133MHz刚好是时钟信号的频率,产生EMI的根源很可能是时钟信号,也可能是数据信号和地址信号: C- ^' w  @# _% [4 M
因为数据信号的频率是266MHz,地址是133MHz;8 \3 m2 O: S9 ~$ }' d
产生原因可能有:5 s7 F( C) K; @( U/ u! {) n

3 a, i" c. q, F' ?+ z" h8 ~1.CPU的驱动能力过强,负载较轻导致信号过冲过大,高频分量增加,导致EMI;如很多芯片有不同驱动强度,这个
" x3 T4 _" @8 U( n2 i! \和负载大小,走线长度相关;
! O; y/ Q3 D  O9 a, r: V0 Q7 H: t  W7 Y. _8 H6 g. N
dq_full             Full-Strength IO Driver6 D4 b3 |2 M( M; S& ]* k6 W) e) Z
dq_half             54% Reduced Drive Strength IO Driver
9 i0 O  T1 @1 J
0 b, M  F( E$ p- ?1 ~4 ]2.整个链路的阻抗不匹配,如CPU的输出阻抗,PCB走线阻抗,DDR的输入阻抗,不一致,导致反射大,导致EMI;DDR的数据线上需要串接电阻进行端接;地址和时钟信号
3 ]% z6 e7 H7 d6 j& }5 m& Z. u4 S9 f如果存在多负载也需要端接;+ b8 k- Y$ t; o2 a  z& R2 v0 U# Z
" P% D' u2 n( l' l
3.DDR的电源完整性,如去耦不足,电源噪声大,影响信号质量;
, z$ W: y) l* \% P0 y) z: _% H4 T! D* A" w# |
4.SSN,DDR的信号I/O同时翻转导致,信号之间的串扰也会导致EMI;
& B& p; r- O9 `+ v
; R; w- G% E  S  f& I% T- L解决以上问题最好方法是通过仿真和测试配合调试。

该用户从未签到

22#
发表于 2015-1-25 23:22 | 只看该作者
专业分析,受益匪浅
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