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楼主: shqlcdd
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关于DDR信号辐射问题

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该用户从未签到

16#
发表于 2011-1-19 19:56 | 只看该作者
对于电源线加粗不仅仅是从电流的角度出发的,还要考虑寄生参数的影响,在高速最怕的就是寄生电感,你的电源线如果不够粗的话,那么它的寄生电感将会很大,如果在某一时刻,你的总线全部处于驱动状态,那么就会瞬间有一个非常大的剑锋电流,这样,即使很小的寄生电感,也会带来很大的电压差,当然会有更大的辐射。

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17#
发表于 2011-8-17 10:25 | 只看该作者
学习了  m: Z5 y- z* b7 A  S  c3 }

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18#
发表于 2011-8-18 10:14 | 只看该作者
学习了!!!

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19#
发表于 2013-4-18 10:11 | 只看该作者
学习了

该用户从未签到

20#
发表于 2013-5-15 13:33 | 只看该作者
看的不是很明白

该用户从未签到

21#
发表于 2015-1-20 10:00 | 只看该作者
我这里从SI/PI的角度分析下这个问题:
6 G) I+ r9 F3 r0 D133MHz刚好是时钟信号的频率,产生EMI的根源很可能是时钟信号,也可能是数据信号和地址信号
/ }" D4 J6 k1 V. y2 k# @因为数据信号的频率是266MHz,地址是133MHz;
. R6 t; I& w% h5 S* F) G产生原因可能有:
" l9 J% r+ p8 w# _# T' H3 R9 a+ d
8 n/ h( Z5 q" G# ~1 D- {1.CPU的驱动能力过强,负载较轻导致信号过冲过大,高频分量增加,导致EMI;如很多芯片有不同驱动强度,这个
& l, ~# X7 @! v3 E& l+ Q+ b# L8 X) k和负载大小,走线长度相关;
( h, _$ ?  H% S6 ?
7 L& i7 ~5 @& J% W4 ?$ Ndq_full             Full-Strength IO Driver$ E* W: [9 l* {4 w' X
dq_half             54% Reduced Drive Strength IO Driver
. H6 T, w# Z2 Z& y9 h% t
* T! _$ d5 ~2 x2 @9 X2.整个链路的阻抗不匹配,如CPU的输出阻抗,PCB走线阻抗,DDR的输入阻抗,不一致,导致反射大,导致EMI;DDR的数据线上需要串接电阻进行端接;地址和时钟信号
. G( w/ z4 X  z, L* W! ~! v2 ^如果存在多负载也需要端接;
! {, ?* z3 f3 p1 O  S  ]6 T$ D/ W9 u% |# Y6 Y+ G/ c8 K
3.DDR的电源完整性,如去耦不足,电源噪声大,影响信号质量;. m8 c* U. T& I4 f

4 K- t. R7 M9 u8 V4 P! u$ T. U* J5 \4.SSN,DDR的信号I/O同时翻转导致,信号之间的串扰也会导致EMI;
! o3 z1 R  q; b3 Z7 _% o& M! ?. F+ S! L- T3 g6 H
解决以上问题最好方法是通过仿真和测试配合调试。

该用户从未签到

22#
发表于 2015-1-25 23:22 | 只看该作者
专业分析,受益匪浅
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