【求助】双SDRAM地址数据线分叉以后阻抗要改到60欧么？

922neo · 发表于 2010-7-15 13:40

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本帖最后由 922neo 于 2010-7-15 13:43 编辑

如题；看到有这个说法：单线阻抗控制在50ohm，对于地址和控制信号，分叉点到两SDRAM（可能的情况下）的阻抗控制在60-65ohm，以确保阻抗的连续。

请问这个阻值是如何得出的?

谢谢！

joshuafu · 发表于 2010-7-16 22:24

从不同方向看，目的是保持阻抗的连续性，只是理论分析应该这样比较好，实际上很少有人这么做，因为很困难，也似乎没这个必要。

袁荣盛 · 发表于 2010-7-17 09:38

其实理想的情况是控制到100左右
但100ohm的阻抗工艺上实现可能有点困难
所以就比50ohm稍大些
但的确很少人去这么做，因为只要控制下T点到分支的这段线的长度就可以了

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