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[Cadence Sigrity] 仿真结果分析

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发表于 2010-8-23 18:21 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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本帖最后由 wkb1987 于 2010-8-23 18:22 编辑 % J; l" ^0 m1 B) A# g# e9 @5 i

7 K! f; P" @- i2 c+ q) D) V5 e0 b    在提取拓扑结构,生成波形后,遇到如下问题。希望高手们指点下,呵。
* v( J  a  z* N, ?2 w3 k    1.如果芯片的datasheet的低电平最低为-500mv,则overshootlow是否可以超过-500mv,超过500mv是否会引起芯片的逻辑混乱?若不能,是typical模式下不能,还是fast模式下?
4 n" D: i( i9 `3 s! q, x    2.对于NoiseMargin的取值,一般多大就满足要求?还是得满足与Vil,Vih之间的比例关系?
( T+ G& |/ A$ @- _0 t5 J, k) S2 d+ t' j    谢谢大家!
3 w3 f% q% ]" b/ X, I% e

该用户从未签到

2#
发表于 2010-8-24 07:58 | 只看该作者
1.overshoot过大对逻辑不会产生什么问题,但是会影响IC的可靠度,尤其长期在这种状态使用。所以一般datasheet都会注明如此字样:Exposure to absolute maximum rating conditions for extended periods may affect reliability.
' M( q9 s$ N: z9 Q* f- ^所以这种情况还是应该采取termination减小overshoot以达到要求。  o/ t4 B: g; X+ l, h
2.原则上noise margin大于0就可以了,当然根据IC具体要求或者自己的需要,可以设定一个最小的正值以保证足够的margin。

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该用户从未签到

3#
 楼主| 发表于 2010-8-24 11:29 | 只看该作者
那我明白了,呵,太谢谢您了,这么早就帮我把问题解决了,呵!
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