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楼主: jimmy
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硬件设计基本提高课程[不定期更新]

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181#
发表于 2010-1-14 00:10 | 只看该作者
不错的帖子,  看完睡觉

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182#
发表于 2010-1-27 20:37 | 只看该作者
先顶起来

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183#
发表于 2010-1-28 09:02 | 只看该作者
学习了,谢谢楼主

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184#
发表于 2010-2-1 10:39 | 只看该作者
呵呵,

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185#
发表于 2010-2-7 21:25 | 只看该作者
本帖最后由 tienyu 于 2010-2-7 21:29 编辑 - l! C' x6 K, j: e: u0 g1 m7 p

6 w8 j$ E" R+ n" x7 ?7 T"另一方面旁路掉该器件的高频噪声,故又称为旁路。数字电路中典型的去耦电容值是 0.1μF。这个电容的分布电感的典型值是 5μH。0.1μF 的去耦电容有 5μH 的分布电感,它的并行共振频率大约在 7MHz 左右,也就是说,对于 10MHz 以下的噪声有较好的去耦效果,对 40MHz 以上的噪声几乎不起作用。"
- U4 W0 J, w2 K) x' x  V

6 k! a5 L. y3 e! v2 r. u8 K以前也看到有上述的说明.但有些不明白的地方.希望有高人出来说明一下.下面是我的看法:: S' x3 J. ^' ^2 Y6 p
1.这里的分布电感似乎应该是和电容串联的,要对高频噪声起旁路作用的话,就要求它在对地时有最小的阻抗.这里的高频噪声应该看作是小信号正弦波吧?电感电容串联谐振时才会有最小的阻抗,而并联谐振时应该是最大的阻抗.2.按照谐振的计算公式,算出来的频率也和7M相差甚远.哪里错了呢?

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186#
发表于 2010-2-10 11:05 | 只看该作者
谢谢,正需要

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187#
发表于 2010-2-10 14:09 | 只看该作者
如何根据芯片的datasheet来设计电路?
$ F4 G5 g  t0 I( H& I. C5 s# r6 r% D  c8 B) Y# I
这个问题怎么没人回答

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188#
发表于 2010-2-10 14:19 | 只看该作者
顶一个

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189#
发表于 2010-2-21 09:59 | 只看该作者
谢谢哦 下面的没有了啊

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190#
发表于 2010-3-6 09:18 | 只看该作者
非常不错,鼓励

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191#
发表于 2010-3-9 21:43 | 只看该作者
好,好得很

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192#
发表于 2010-3-17 22:14 | 只看该作者
此处有误,“此时封装多为 0805 或者 0603”,应该为1206或者0805封装

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193#
发表于 2010-3-28 11:41 | 只看该作者
不错,学习了。。。

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194#
发表于 2010-4-1 16:05 | 只看该作者
楼主,学习了

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195#
发表于 2010-4-6 16:31 | 只看该作者
ganxie
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