ISSI异步SRAM存储芯片IS61LV25616AL功能简介

英尚微电子

IS61LV25616AL是ISSI公司的一款容量为256Kx 16bits的且引脚功能完全兼容的4Mb的异步SRAM。也是一款大容量且存储时间相对较短的存储器。对其控制要求相对简单。 由一个高速、4,194,304 位的静态RAM,可组成262,144个字(16位)。该器件由ISSI的高性能CMOS技术制造而成。将这种高可靠性的处理技术与创新的电路设计技术相结合，就产生了高性能和低功耗的IS61LV25616AL器件。ISSI代理英尚微电子提供完善的产品解决方案以及技术指导等一体系产品服务。
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特性
/ ~. d4 a; H3 M3 H9 O; r$ ~; a●高速访问时间: 10,12ns
●CMOS低功耗工作
! @5 d  }3 y; S) t3 c) b5 }0 V( X●低等待模式功率:小于CMOS 5mA (典型值)的等待电流
* D) }5 m$ \% q& E, u" v●TTL兼容接口电平
) ^: T* }" v3 h$ R3 f●单个3.3V电源
●完全静态操作:无需时钟和刷新
0 r) R8 p% \7 e: W●三态输出.
●高低字节数据控制
2 X/ ?+ g3 {6 J3 \; y# g9 c7 _●可用的工业级温度
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IS61LV25616AL存储器的结构框图

当OE为高电平(不选)时，器件处于等待模式，功耗随着CMOS输入电平-起降低。
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芯片使能输入CE和输出使能输入OE可方便实现存储器的扩展。低电平有效的写使能( WE )控制着存储器的写和读操作。高字节(UB)和低字节(LB )控制信号控制着对数据字节的访问。
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IS61LV25616AL含有以下封装形式: JEDEC 标准44脚400-mil SOJ.44脚TSOPTypelI.44 脚LQFP和48脚MiniBGA(8mmX10mm)。
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: L  ?8 y$ n& L) i5 x# |管脚配置

SRAM的主要特性
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高速访问时间10,12ns ;CMOS低功耗工作;低等待模式功率小于CMOS 5mA典型值的等待电流; TTL兼容接口电平;单个3.3V 电源;完全静态操作无需时钟和刷新;三态输出;高低字 节数据控制;可用的工业级温度SRAM的生产厂商很多，但是所生产的SRAM的内部结构大同小异。

英尚微电子

特性
# T/ K/ M. _" U2 c3 h4 b, F●高速访问时间: 10,12ns
●CMOS低功耗工作
6 A, o2 g+ u: z●低等待模式功率:小于CMOS 5mA (典型值)的等待电流
. Q5 I) y5 b( L4 t1 Y" k( L) u' G●TTL兼容接口电平
  z3 {( V" U8 L- b$ W8 \+ h. y●单个3.3V电源
0 C# C  U8 Y# V3 n: X1 D  P●完全静态操作:无需时钟和刷新
/ Q$ E  ]$ h& j4 ]2 Q●三态输出.
- T: F1 W5 u4 K! E) f! A●高低字节数据控制
●可用的工业级温度