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本帖最后由 jacky401 于 2020-8-30 21:23 编辑
0 P" h7 ?" u' ]
& B. m( n# ]: q$ w3 |& }; b1 N目录
# D, U. R: y" U 1、DDR4 关键技术; Z4 f0 _. F k z$ X6 Q/ W' M" {% }' w y2 u
1.1、DDR4与DDR3 不同之处, q& Y4 U5 M# C. N% T9 t/ u% i) p
1.2、POD 和 SSTL 的比较8 l% V- d, T8 a5 `) v/ H
1.3、数据总线倒置 (DBI) j) I/ B; @3 e1 _
1.4、ODT 控制
' L7 t; J/ r: p1.5、参考电压 Vref6 J5 Y4 V) ]5 D; G$ H5 u
2、DDR4 Layout Routing 新方法
, h9 Q7 K s" D- e2.1、DDR4 信号组
; g! n) f2 [5 i' m- S$ c2.2、DDR 信号等长约束
4 Q5 }$ t( ]: d. J, I! W* C( G; f3、DDR4 Simulation# v3 M; n" x" B) D( `; s
3.1、Pre-Simulation with HyperLynx
6 b* P$ S0 o% j( s) k% d: Q3.1.1、ADD/CMD/CTRL终端电阻取值/ F; ?3 k! C/ n
3.1.2、Data信号Stub的长度9 D! T9 u/ O4 n6 P' Q2 |: Q
3.2、Intel SISTAI仿真' B0 x" h* `8 T# Q8 c
3.2.1、DDR通道建模; j; w$ P6 m. R" A' s
3.2.2、Hspice仿真
8 ]' i. B \9 x3.2.3、SISTAI仿真
, a) p' [. \" C9 M$ `, O4、DDR4 RMT Margin 测试 Fail 问题实例$ J A$ T$ z/ _8 T
4.1、设计情况
8 p/ J; O; j( B9 k8 R5 E( _6 Q4.2、问题描述; W& f* _" r/ _4 o! k
4.3、Memory Margin Test" {5 k3 `: I! j9 h
4.4、问题分析
A' q: t8 |0 d) \( ]4.4.1、Micron 8G 本体分析
$ x$ I) D- Q# O* h+ a. B" R' c! Z4.4.2、通过Simulation来分析问题5 P( X! h+ w1 ~
5、小结
% {' k6 _0 g4 _' q
3 Y4 k4 j" f/ W: C参考链接：
1 Q2 Q k! N' L 5 T+ a. u% b* V7 V5 m& N% y8 P/ N
DDR4关键技术、PCB设计、仿真分析和问题处理 9 a# ]4 Y! u. _: F* Q6 h( k4 k
$ `: y3 { y, u! b+ A# X9 O0 L+ @7 g( l' y
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