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本帖最后由 jacky401 于 2020-8-30 21:23 编辑
! M9 h1 ?9 X& x$ a! S' g! x f$ q. I7 V
目录! c) z4 n8 c+ w' h! r+ z d4 x
1、DDR4 关键技术$ F! H4 v- K8 M3 E+ E- j) }
1.1、DDR4与DDR3 不同之处7 v- Z7 L$ |) j1 \5 r: U9 g- s; F
1.2、POD 和 SSTL 的比较( ^" s, G4 H6 X& f
1.3、数据总线倒置 (DBI)
9 D+ y- g, c T" R1.4、ODT 控制8 G, {1 w4 a" l; s3 L" s
1.5、参考电压 Vref
4 x" F6 C' [& J9 Y" W3 O2、DDR4 Layout Routing 新方法, ~! E* [) v; o5 K1 ]9 D
2.1、DDR4 信号组
a; b. ~8 \: T7 b2 r2.2、DDR 信号等长约束 V: _) B3 D3 f. z
3、DDR4 Simulation
j9 E0 N( M7 K3.1、Pre-Simulation with HyperLynx( p! e* Y/ y$ o/ C* N
3.1.1、ADD/CMD/CTRL终端电阻取值3 j, \7 c! p. M- B4 i5 `: O
3.1.2、Data信号Stub的长度
2 N1 O0 I) H, t2 D3.2、Intel SISTAI仿真
" ?- w6 a$ \$ Y$ H. G, k1 s4 v1 Q3.2.1、DDR通道建模
) e% `8 \0 a% f1 T+ {; z y; ~/ b3.2.2、Hspice仿真
% F9 o' O K" [% y l" n( O3 _$ Q3.2.3、SISTAI仿真
5 p5 |( g2 W1 P) ?- E' B4、DDR4 RMT Margin 测试 Fail 问题实例
4 s, _. n0 ^+ w. B4.1、设计情况: r/ @1 L3 D) V' ^# {$ P
4.2、问题描述
, v& W/ ~4 T$ h: T8 S4.3、Memory Margin Test
' r9 U$ f2 R. z4 k' S4 z2 D4.4、问题分析9 l/ {/ c0 N6 P O! q6 F5 w6 _
4.4.1、Micron 8G 本体分析
2 @- m3 d0 R& B( v8 A4.4.2、通过Simulation来分析问题
! M" Y" U, w; Z0 @( @5、小结
4 U# n |6 a5 J- v
& I/ l% R; H( J+ w" a0 V1 e0 f4 y& {. w参考链接：; @% M& n* b6 Y1 @; y w' j
1 T1 J9 i7 i5 i) h2 ~DDR4关键技术、PCB设计、仿真分析和问题处理
: F7 Y$ B5 p B$ v& v3 w3 D4 ], U! |* ? z5 h |4 u8 i6 v# ]/ v
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发表于 2020-8-30 20:57
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