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本帖最后由 jacky401 于 2020-8-30 21:23 编辑 # D# ~9 q3 w8 V! ^
) I+ Z4 o5 K7 c
目录
& P& a4 c. [: ? 1、DDR4 关键技术0 \0 P3 k; O o" j
1.1、DDR4与DDR3 不同之处' G8 W; H4 B! \8 J% J7 U/ g9 e, S
1.2、POD 和 SSTL 的比较
6 S1 A, o$ q2 R" Y9 i* Q1.3、数据总线倒置 (DBI)
" j$ |4 ~9 F/ ^* B# ^1.4、ODT 控制! `, `& M' S* H) ~' i, F" ?( g
1.5、参考电压 Vref
/ @% k: N7 L7 g |$ T$ B2、DDR4 Layout Routing 新方法. g( M/ [. l- F; k1 u, r0 D
2.1、DDR4 信号组$ ?5 j& f+ t, }! @) j) U
2.2、DDR 信号等长约束
! a) n/ O5 j' |- L3、DDR4 Simulation
7 D# s0 Y3 L: I3.1、Pre-Simulation with HyperLynx
6 B. y' `$ e- v6 {6 ~3.1.1、ADD/CMD/CTRL终端电阻取值
9 \5 ~, B4 V3 y' S3 R3.1.2、Data信号Stub的长度! t% B0 V- D- J: P
3.2、Intel SISTAI仿真
. s" y- D3 p3 d, J/ k" S3.2.1、DDR通道建模
4 j9 J; E/ Z; g$ O9 T) B3.2.2、Hspice仿真, r) b$ j0 d+ Q- y7 |- i% m, v4 g5 t( I
3.2.3、SISTAI仿真
( @6 k3 P8 R5 h4 V! X; m7 A( o% Y0 e% M4、DDR4 RMT Margin 测试 Fail 问题实例
8 Z1 F7 H: M' ^( T5 K; Q( R$ H4.1、设计情况 X6 A; r* u% ]0 ~. M/ u% Q
4.2、问题描述; J; P% ?# L. i# B( h
4.3、Memory Margin Test
; J w6 e* b5 R5 i4.4、问题分析% }( E5 y$ M( s9 h" N5 X- W9 ?
4.4.1、Micron 8G 本体分析
' n/ `" d! T+ Q, Y) G* u+ S& `, x7 L4.4.2、通过Simulation来分析问题1 W' Z0 u( l( [2 O) ?6 ^5 d
5、小结
, ]" ?4 p5 ?+ z1 e
4 {( @) h$ ?7 f) O( ~8 W/ C" s- c参考链接：; I# o& `- c* E# ~2 F0 s
2 ^' ], O2 U+ _6 M H' L/ y* G0 D# YDDR4关键技术、PCB设计、仿真分析和问题处理
1 s7 J5 V1 k( C: \$ E
4 g- C+ |- _4 d5 c2 K* K3 @4 \ A/ z" k# p
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