EDA365欢迎您登录！
您需要 登录 才可以下载或查看，没有帐号？注册
x
本帖最后由 jacky401 于 2020-12-20 20:32 编辑 9 E. q* O7 I8 ]
( o h, l' I- ]& \
目录/ }$ I5 w& g+ T
1、NMOS、PMOS基本特性' _+ e! ?- ?9 u' D9 o. f
2、NMOS管用于上下管特征比较; Z# g( G7 c( ?
3、PMOS管用于上下管特征比较
$ X v$ j/ M- o8 i" h& d8 q1 k9 D; |; G/ n
MOS管设计参考3 k% _. |# B6 i! X
7 w l% \, t1 S9 ]
& o$ `, @0 X E+ h- d- [+ ?MOS管当开关控制时，为什么一般用PMOS做上管NMOS做下管？ 1 D4 d$ A1 N! G# y9 R3 W' e% D" t
* i9 w* O3 p) k% v' a, H9 C/ {
1、NMOS、PMOS基本特性
3 G3 v C* ?7 S) M9 B/ T 了解MOS管的开通/关断原理你就会发现，使用PMOS做上管、NMOS做下管比较方便。使用PMOS做下管、NMOS做上管的电路设计复杂，一般情况下意义不大，所以很少采用。 下面先了解MOS管的开通/关断原理，请看下图：
) u% Q$ F* R5 m4 \) I$ r" S
K7 P$ g0 Q' i5 Y6 m* n4 k
NMOS管的主回路电流方向为D→S，导通条件为VGS有一定的压差，一般为5~10V（G电位比S电位高）；而PMOS管的主回路电流方向为S→D，导通条件为VGS有一定的压差，一般为 -5 ~ -10V（S电位比G电位高）。
) y: [, Q: O5 ^- [' f2 ]
7 e8 G4 b% F& I3 B/ s
+ |& F6 ]8 S7 P, ]- R2、NMOS管用于上下管特征比较
- G4 ~5 L+ R8 U# {/ @ 使用NMOS当下管，S极直接接地（为固定值），只需将G极电压高于固定的 VGS(th) 即可导通；若使用NMOS当上管，D极接正电源，而S极的电压不固定，无法确定控制NMOS导通的G极电压，因为S极对地的电压有两种状态，MOS管截止时为低电平，导通时接近高电平VCC。当然NMOS也是可以当上管的，只是控制电路复杂，这种情况必须使用隔离电源控制，使用一个PMOS管就能解决的事情一般不会这么干，明显增加电路难度。4 h" T. a5 R6 _: g
/ I6 [( A1 H" E1 `3、PMOS管用于上下管特征比较$ E8 f$ F) V+ t% I- |/ Y
使用PMOS当上管，S极直接接电源VCC，S极电压固定，只需G极电压比S极低固定的 VGS(th) 即可导通，使用方便；同理若使用PMOS当下管，D极接地，S极的电压不固定（0V或VCC），无法确定控制极G极的电压，使用较麻烦，需采用隔离电压设计。! U5 j8 x. p( ^$ O b% X0 {
?4 z: e0 g4 X) S
6 f* u: B6 G7 f0 d+ i
| 
[复制链接]
/1 
发表于 2020-8-16 21:44
收藏
淘帖
支持！
反对！
发表于 2020-8-18 10:33
