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如何建立IBIS模型和使用IBIS模型

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发表于 2020-11-19 15:12 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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/ L, \6 N- G7 A( ]6 ]; V  如何建立IBIS模型和使用IBIS模型, _7 O' K* P; D: v

8 z, ^7 X) b3 }) v6 i* m3 o( y0 Z6 ~  IBIS模型可以通过仿真器件的SPICE模型来获得,也可以用直接测量的方法来获得。作为最终用户,最常见的方法是到半导体制造厂商的网站上去下载各种元器件的IBIS模型,在使用前要对得到的IBIS模型进行语法检查。
  u9 F# c1 l* g6 j4 q6 c
" J" ]7 c$ d. R, A( ^% [6 a2 i  建立一个元器件的IBIS模型需要以下5个步骤。& Y( n: {$ [8 n: |; r" ?+ J: k

1 b  }& ~7 t; C! h2 D  (1)进行建立模型前的准备工作,包括决定模型的复杂程度;" ~5 [5 f5 A8 e# f& \& g7 u+ A
  根据模型所要表现的内容和元器件工作的环境,来确定电压和温度范围,以及制程限制等因素;获取元器件相关信息,如电气特性及引脚分布;元器件的应用信息。+ A5 Y. J/ }/ \& v1 ~$ J: M. L% j
  (2)获得U-I曲线或上升/T降曲线的数据,可以通过直接测量或仿真得到。6 [' o; I4 V9 c, S- X
  (3)将得到的数据写入IBIS模型。不同的数据在各自相应的关键字后列出,要注意满足IBIS的语法要求。' ]/ V+ C/ c: }. d
  (4)初步建立了模型后,应当用s2iplt等工具来查看以图形方式表现的U-I曲线,并检查模型的语法是否正确。如果模型是通过仿真得到的,应当分别用IBIS模型和最初的晶体管级模型进行仿真,比较其结果,以检验模型的正确性。
% Y9 |# {/ r4 k  (5)得到了实际的元器件后,或者模型是由测量得到的,要对模型的输出波形和测量的波形进行比较。
1 y  a# U" P/ m& V& i7 W, M( P
! Z/ g: z0 S( r  如何使用使用IBIS模型3 Z& ]! q3 z  u2 T8 \& q

  I: f  U; f1 v- j$ H  IBIS模型主要用于板级系统或多板信号的信号完整性分析。可以用IBIS模型分析的信号完整性问题包括:串扰、反射、振铃、上冲、下冲、不匹配阻抗、传输线分析、拓扑结构分析等。IBIS模型尤其能够对高速信号的振铃和串扰进行准确、精细的仿真,它可用于检测最坏情况的上升时间条件下的信号行为,以及一些用物理测试无法解决的问题。在使用时,用户用PCB的数据库来生成PCB上的连线的传输线模型,然后将IBIS模型赋给PCB上相应的驱动端或接收端,就
  t' M& m$ Z/ F( s" e2 ?+ v6 K7 O  可以进行仿真了。
% f2 Z( \9 ^) o8 M1 ~. _  虽然IBIS模型有很多的优点,但也存在一些不足。目前,仍有许多厂商缺乏对IBIS模型的支持。而缺乏IBIS模型,IBIS仿真工具就无法工作。虽然IBIS文件可以手工创建或通过SPICE模型来转换,但若无法从厂家得到最小上升时间参数,则任何转换工具都无能为力。
+ q9 d. J0 }( L/ }5 N! l2 |' q  另外,IBIS还缺乏对地弹噪声的建模能力。# Z) n8 A2 U* I: j" G; X% c
3 V* L# `% y" m2 D: ^& z9 v$ I
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    2#
    发表于 2020-11-19 15:37 | 只看该作者
    IBIS模型尤其能够对高速信号的振铃和串扰进行准确、精细的仿真,它可用于检测最坏情况的上升时间条件下的信号行为,以及一些用物理测试无法解决的问题
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