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开关模式电源电流检测方法

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发表于 2021-3-1 14:02 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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电流检测电阻的位置连同开关稳压器架构决定了要检测的电流。检测的电流包括峰值电感电流、谷值电感电流(连续导通模式下电感电流的最小值)和平均输出电流。检测电阻的位置会影响功率损耗、噪声计算以及检测电阻监控电路看到的共模电压。
9 W& L3 b0 \: v$ O) [4 E  q& p. V* n8 z) d! T
放置在降压调节器高端  V1 d. v+ m5 N% V" X
对于降压调节器,电流检测电阻有多个位置可以放置。当放置在顶部MOSFET的高端时(如图1所示),它会在顶部MOSFET导通时检测峰值电感电流,从而可用于峰值电流模式控制电源。但是,当顶部MOSFET关断且底部MOSFET导通时,它不测量电感电流。
" o$ x: u0 a4 d' k( x
7 O7 ?. U3 z6 |4 z( r

! v2 W  w7 F3 h! X图1.带高端RSENSE的降压转换器
' U+ y1 {# {% S! }4 s% }
' N, U+ I+ L. U$ h- i0 V在这种配置中,电流检测可能有很高的噪声,原因是顶部MOSFET的导通边沿具有很强的开关电压振荡。为使这种影响最小,需要一个较长的电流比较器消隐时间(比较器忽略输入的时间)。这会限制最小开关导通时间,并且可能限制最小占空比(占空比 = VOUT/VIN)和最大转换器降压比。注意在高端配置中,电流信号可能位于非常大的共模电压(VIN)之上。9 Z9 m3 O; X, Z4 I7 }1 w' T
( \6 k( @5 A' d# E& A1 ^
放置在降压调节器低端: D* A6 [& h$ O; {
图2中,检测电阻位于底部MOSFET下方。在这种配置中,它检测谷值模式电流。为了进一步降低功率损耗并节省元件成本,底部FET RDS(ON)可用来检测电流,而不必使用外部电流检测电阻RSENSE。
$ P, p( d& c5 a8 h( L$ p$ ]: i8 r& Z
6 Q* z: e9 u# t( |8 x
图2.带低端RSENSE的降压转换器0 A8 R, M2 Y' @. i$ m

2 a. L; [) K( L5 ?4 }  B这种配置通常用于谷值模式控制的电源。它对噪声可能也很敏感,但在这种情况下,它在占空比较大时很敏感。谷值模式控制的降压转换器支持高降压比,但由于其开关导通时间是固定/受控的,故最大占空比有限。
3 r0 w2 a0 R% G6 T! X7 \' S5 H% H  J$ V
降压调节器与电感串联! w7 I$ J4 ]$ P4 T. ?6 Z- N# X
图3中,电流检测电阻RSENSE与电感串联,因此可以检测连续电感电流,此电流可用于监测平均电流以及峰值或谷值电流。所以,此配置支持峰值、谷值或平均电流模式控制。7 N& R6 n+ F7 u0 g" n

) \; z8 B( ]" p+ U
% \6 v9 s" S, }* u5 X
图3.RSENSE与电感串联
& ?* a5 U* F) o  Z5 N1 R8 c! J2 S/ S) @5 w
这种检测方法可提供最佳的信噪比性能。外部RSENSE通常可提供非常准确的电流检测信号,以实现精确的限流和均流。但是,RSENSE也会引起额外的功率损耗和元件成本。为了减少功率损耗和成本,可以利用电感线圈直流电阻(DCR)检测电流,而不使用外部RSENSE。
5 k$ r6 W3 K+ b9 I) L( \" e! b; V5 ~* u' t: `9 m1 \: N* [8 h4 m
放置在升压和反相调节器的高端4 X! [% L4 r! \" o+ ^8 G
对于升压调节器,检测电阻可以与电感串联,以提供高端检测(图4)。2 y8 H/ e# K; Q7 i4 ^4 r
7 v. {& d6 V3 ?, S. g9 ]# O
' Q8 ^+ _5 d* ?* u1 t) W4 H
图4.带高端RSENSE的升压转换器0 U8 q: e: C7 T# {

$ C; Q) I& w$ m! ^" h升压转换器具有连续输入电流,因此会产生三角波形并持续监测电流。
" |$ h9 t* D: q1 Y4 ?: {/ g+ H
放置在升压和反相调节器的低端3 Z8 L* s9 i. |, r# h. u
检测电阻也可以放在底部MOSFET的低端,如图5所示。此处监测峰值开关电流(也是峰值电感电流),每半个周期产生一个电流波形。MOSFET开关切换导致电流信号具有很强的开关噪声。. w9 S( C' U8 q! e8 I" S+ r5 X/ q

/ Z4 t, S1 ?/ X5 S* s- a  s
7 o; [3 |$ @$ u: |+ y
图5.带低端RSENSE的升压转换器
* Z5 {2 `: u( T  Z4 l& w* F: ]5 A6 d& q3 i: [& e" v: G' D
转换器低端或与电感串联
, r) w/ x0 j- L1 t图6显示了一个4开关升降压转换器,其检测电阻位于低端。当输入电压远高于输出电压时,转换器工作在降压模式;当输入电压远低于输出电压时,转换器工作在升压模式。在此电路中,检测电阻位于4开关H桥配置的底部。器件的模式(降压模式或升压模式)决定了监测的电流。
) P- k* O- k& j! i7 l- c
+ P0 {8 m9 N. Q! i
4 W" T( x0 Y: J6 ~( @% M5 r
图6.RSENSE位于低端的升降压转换器
  _! _. l: P& Z2 s3 F# V5 y8 p2 ?. ^9 H; s0 E9 l* K
在降压模式下(开关D一直导通,开关C一直关断),检测电阻监测底部开关B电流,电源用作谷值电流模式降压转换器。
# I7 ?9 S( w3 ?
( O" d. f8 j2 t  T% k, K在升压模式下(开关A一直导通,开关B一直关断),检测电阻与底部MOSFET (C)串联,并在电感电流上升时测量峰值电流。在这种模式下,由于不监测谷值电感电流,因此当电源处于轻负载状态时,很难检测负电感电流。负电感电流意味着电能从输出端传回输入端,但由于这种传输会有损耗,故效率会受损。对于电池供电系统等应用,轻负载效率很重要,这种电流检测方法不合需要。
0 U8 Y) Y4 V) w- P, K% |- x% e. I6 u( m  P, |% {& F9 T2 T
图7电路解决了这个问题,其将检测电阻与电感串联,从而在降压和升压模式下均能连续测量电感电流信号。由于电流检测RSENSE连接到具有高开关噪声的SW1节点,因此需要精心设计控制器IC,使内部电流比较器有足够长的消隐时间。; c: J4 X: e; G5 p  Q# o  ?3 W

0 p& i6 ?; w' q; R
+ B+ C7 A  l' M7 S( U, b+ F3 t
图7.LT8390升降压转换器,RSENSE与电感串联
, v/ y% d$ r- B0 J; _) j# {' S4 e6 m% B8 ~+ G' ^/ |
输入端也可以添加额外的检测电阻,以实现输入限流;或者添加在输出端(如下图所示),用于电池充电或驱动LED等恒定输出电流应用。这种情况下需要平均输入或输出电流信号,因此可在电流检测路径中增加一个强RC滤波器,以减少电流检测噪声。
/ V3 F% m) e, x1 U' V2 ^& C% q* Y4 K1 T* D
上述大多数例子假定电流检测元件为检测电阻。但这不是强制要求,而且实际上往往并非如此。其他检测技术包括使用MOSFET上的压降或电感的直流电阻(DCR)。这些电流检测方法在第三部分“电流检测方法”中介绍。
0 Z7 Q9 R; t/ Q

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发表于 2021-3-1 14:29 | 只看该作者
这种配置通常用于谷值模式控制的电源。它对噪声可能也很敏感,但在这种情况下,它在占空比较大时很敏感。谷值模式控制的降压转换器支持高降压比,但由于其开关导通时间是固定/受控的,故最大占空比有限。
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