为什么ReRAM会成为物联网芯片主流内存解决方案？

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为什么ReRAM会成为物联网芯片主流内存解决方案？

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　ReRAM不同于传统Flash内存技术，ReRAM内存是以字节进行寻址，能以小型页(page)进行建构，因此ReRAM能够独立抹除及再写入，能够大幅简化储存控制器的复杂性。

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ReRAM储存单元通常在两个金属电极之间部署一个切换材料，当施加电压时该材料能够显现出不同的阻力特性，该切换材料及内存储存单元如何进行组构，就成为决定ReRAM节电性的关键。该切换材料为灯丝奈米粒子(Filamentary nanoparticle)，以及不具导电性的非晶硅(a-Si)这类简易CMOS兼容性材料。