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发表于 2021-9-14 10:20 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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1、BGA(ball grid array)4 }8 {5 u# h' C$ q$ c4 T3 F
  球形触点陈列,表面贴装型封装之一。在印刷基板的背面按陈列方式制作出球形凸点用以代替引脚,在印刷基板的正面装配LSI 芯片,然后用模压树脂或灌封方法进行密封。也称为凸点陈列载体(PAC)。引脚可超过200,是多引脚LSI 用的一种封装。封装本体也可做得比QFP(四侧引脚扁平封装)小。例如,引脚中心距为1.5mm 的360 引脚 BGA 仅为31mm 见方;而引脚中心距为0.5mm 的304 引脚QFP 为40mm 见方。而且BGA 不 用担心QFP 那样的引脚变形问题。该封装是美国Motorola 公司开发的,首先在便携式电话等设备中被采用,今后在美国有可能在个人计算机中普及。最初,BGA 的引脚(凸点)中心距为1.5mm,引脚数为225。现在 也有 一些LSI 厂家正在开发500 引脚的BGA。 BGA 的问题是回流焊后的外观检查。现在尚不清楚是否有效的外观检查方法。有的认为,由于焊接的中心距较大,连接可以看作是稳定的,只能通过功能检查来处理。 美国Motorola 公司把用模压树脂密封的封装称为OMPAC,而把灌封方法密封的封装称为GPAC(见OMPAC 和GPAC)。" K) F. W' d! p% e1 M7 V
  2、BQFP(quad flat package with bumper)
% n+ Z( J0 c* ~  ^+ A( t2 l  带缓冲垫的四侧引脚扁平封装。QFP 封装之一,在封装本体的四个角设置突起(缓冲垫) 以防止在运送过程中引脚发生弯曲变形。美国半导体厂家主要在微处理器和ASIC 等电路中 采用此封装。引脚中心距0.635mm,引脚数从84 到196 左右(见QFP)。% B# A# T; o+ Z8 S$ u
  3、碰焊PGA(butt joint pin grid array)
8 S' @* x8 W: B5 s# i3 B. C  表面贴装型PGA 的别称(见表面贴装型PGA)。' S2 O* n5 g6 C9 @; W
  4、C-(ceramic)
8 S( z# r, B- i  表示陶瓷封装的记号。例如,CDIP 表示的是陶瓷DIP。是在实际中经常使用的记号。% O3 x* N$ y- {" R- s" z
  5、Cerdip/ F" s- V6 m, w) H0 H- Y
  用玻璃密封的陶瓷双列直插式封装,用于ECL RAM,DSP(数字信号处理器)等电路。带有 玻璃窗口的Cerdip 用于紫外线擦除型EPROM 以及内部带有EPROM 的微机电路等。引脚中 心 距2.54mm,引脚数从8 到42。在日本,此封装表示为DIP-G(G 即玻璃密封的意思)。% y0 T; V- R7 d( A) R6 `, C. B
  6、Cerquad' R+ N- a  r6 V- ]" ^
  表面贴装型封装之一,即用下密封的陶瓷QFP,用于封装DSP 等的逻辑LSI 电路。带有窗 口的Cerquad 用于封装EPROM 电路。散热性比塑料QFP 好,在自然空冷条件下可容许1. 5~ 2W 的功率。但封装成本比塑料QFP 高3~5 倍。引脚中心距有1.27mm、0.8mm、0.65mm、 0.5mm、 0.4mm 等多种规格。引脚数从32 到368。* Q) O& p, L" s7 O$ K7 {) `
  7、CLCC(ceramic leaded chip carrier)
4 R! C, C1 b- G. X   带引脚的陶瓷芯片载体,表面贴装型封装之一,引脚从封装的四个侧面引出,呈丁字形 。 带有窗口的用于封装紫外线擦除型EPROM 以及带有EPROM 的微机电路等。此封装也称为 QFJ、QFJ-G(见QFJ)。) y; z/ z+ Y" R2 }# t
  8、COB(chip on board)0 x( ?* ]- r% {: [) f3 {! _
  板上芯片封装,是裸芯片贴装技术之一,半导体芯片交接贴装在印刷线路板上,芯片与 基板的电气连接用引线缝合方法实现,芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现,并用 树脂覆 盖以确保可靠性。虽然COB 是最简单的裸芯片贴装技术,但它的封装密度远不如TAB 和 倒片 焊技术。
; B8 x: @7 x$ r: w  9、DFP(dual flat package)1 z  n+ R5 i3 F2 U0 j; M; U. m$ o
  双侧引脚扁平封装。是SOP 的别称(见SOP)。以前曾有此称法,现在已基本上不用。
+ W# n$ C1 p6 Y1 r) G  10、DIC(dual in-line ceramic package)
" x0 y( V3 ]4 x' X  陶瓷DIP(含玻璃密封)的别称(见DIP).
, S9 V1 `. \1 R- O$ L1 ~  11、DIL(dual in-line)
; ^2 H  D! t* Y# ~* I4 m& V9 p  DIP 的别称(见DIP)。欧洲半导体厂家多用此名称。
( i* p* l8 `# k; t  12、DIP(dual in-line package)
( ]6 t+ X6 u, Z' y% d  双列直插式封装。插装型封装之一,引脚从封装两侧引出,封装材料有塑料和陶瓷两种 。 DIP 是最普及的插装型封装,应用范围包括标准逻辑IC,存贮器LSI,微机电路等。 引脚中心距2.54mm,引脚数从6 到64。封装宽度通常为15.2mm。有的把宽度为7.52mm 和10.16mm 的封装分别称为skinny DIP 和slim DIP(窄体型DIP)。但多数情况下并不加 区分, 只简单地统称为DIP。另外,用低熔点玻璃密封的陶瓷DIP 也称为cerdip(见cerdip)。. q0 f0 [% L7 }' X2 m- b1 K
  13、DSO(dual small out-lint)2 O4 f' O0 L) w" M. D6 O9 ?) Z
   双侧引脚小外形封装。SOP 的别称(见SOP)。部分半导体厂家采用此名称。
  O2 W5 V7 F2 H9 M! }  14、DICP(dual tape carrier package)
$ x% ]: ^8 y$ p6 L6 [' t( G  双侧引脚带载封装。TCP(带载封装)之一。引脚制作在绝缘带上并从封装两侧引出。由于 利用的是TAB(自动带载焊接)技术,封装外形非常薄。常用于液晶显示驱动LSI,但多数为 定制品。 另外,0.5mm 厚的存储器LSI 簿形封装正处于开发阶段。在日本,按照EIAJ(日本电子机 械工 业)会标准规定,将DICP 命名为DTP。1 E$ @5 i8 N4 K/ W7 l
  15、DIP(dual tape carrier package)* {% i" t3 I! M- q: X9 s$ q# a
  同上。日本电子机械工业会标准对DTCP 的命名(见DTCP)。
! q* j# u/ ~( _" ?  16、FP(flat package)0 U" W4 s* B; u3 P3 i; [
   扁平封装。表面贴装型封装之一。QFP 或SOP(见QFP 和SOP)的别称。部分半导体厂家采 用此名称。1 R. I; [( Y6 W3 p. q
  17、flip-chip4 b# I% L4 {# C
   倒焊芯片。裸芯片封装技术之一,在LSI 芯片的电极区制作好金属凸点,然后把金属凸 点与印刷基板上的电极区进行压焊连接。封装的占有面积基本上与芯片尺寸相同。是所有 封装技 术中体积最小、最薄的一种。但如果基板的热膨胀系数与LSI 芯片不同,就会在接合处产生反应,从而影响连接的可 靠 性。因此必须用树脂来加固LSI 芯片,并使用热膨胀系数基本相同的基板材料。
: X7 m5 `  }3 u7 A, |& `# d  18、FQFP(fine pitch quad flat package)5 C% f" D2 t$ V% w1 j
  小引脚中心距QFP。通常指引脚中心距小于0.65mm 的QFP(见QFP)。部分导导体厂家采 用此名称。8 n7 T  o4 R: J- K! N
  19、CPAC(globe top pad array carrier)
6 E& ^7 b8 l& i! x  美国Motorola 公司对BGA 的别称(见BGA)。
7 E( L$ w1 m. \  20、CQFP(quad fiat package with guard ring)
" N( ?0 B: L1 }* @  带保护环的四侧引脚扁平封装。塑料QFP 之一,引脚用树脂保护环掩蔽,以防止弯曲变 形。 在把LSI 组装在印刷基板上之前,从保护环处切断引脚并使其成为海鸥翼状(L 形状)。 这种封装 在美国Motorola 公司已批量生产。引脚中心距0.5mm,引脚数最多为208 左右。
' e: {7 V1 a. E$ a  21、H-(with heat sink)
" m4 v0 C1 ?4 v; T. H$ T   表示带散热器的标记。例如,HSOP 表示带散热器的SOP。
  b- L9 ~* ?& s. u- f5 J) k  22、pin grid array(suRFace mount type)
7 G) s6 Z4 o4 B  表面贴装型PGA。通常PGA 为插装型封装,引脚长约3.4mm。表面贴装型PGA 在封装的 底面有陈列状的引脚,其长度从1.5mm 到2.0mm。贴装采用与印刷基板碰焊的方法,因而 也称 为碰焊PGA。因为引脚中心距只有1.27mm,比插装型PGA 小一半,所以封装本体可制作得 不 怎么大,而引脚数比插装型多(250~528),是大规模逻辑LSI 用的封装。封装的基材有 多层陶瓷基板和玻璃环氧树脂印刷基数。以多层陶瓷基材制作封装已经实用化。
7 @7 h! H: U0 s8 O8 P  23、JLCC(J-leaded chip carrier)
* t& h$ f( F; g" P) X  J 形引脚芯片载体。指带窗口CLCC 和带窗口的陶瓷QFJ 的别称(见CLCC 和QFJ)。部分半导体厂家采用的名称。7 h6 W# U& J% E% L% p* x+ X" `1 k
  24、LCC(Leadless chip carrier)
1 j% b7 o5 r! }& W5 o   无引脚芯片载体。指陶瓷基板的四个侧面只有电极接触而无引脚的表面贴装型封装。是 高 速和高频IC 用封装,也称为陶瓷QFN 或QFN-C(见QFN)。8 @9 z9 U. L; V/ q) Z
  25、LGA(land grid array)' [! N0 P' Z% c. r* b+ Z  p# I1 O0 a
  触点陈列封装。即在底面制作有阵列状态坦电极触点的封装。装配时插入插座即可。现 已 实用的有227 触点(1.27mm 中心距)和447 触点(2.54mm 中心距)的陶瓷LGA,应用于高速 逻辑 LSI 电路。 LGA 与QFP 相比,能够以比较小的封装容纳更多的输入输出引脚。另外,由于引线的阻 抗 小,对于高速LSI 是很适用的。但由于插座制作复杂,成本高,现在基本上不怎么使用 。预计 今后对其需求会有所增加。4 o5 P$ R; V3 Q+ h2 K' m& ?( l
  26、LOC(lead on chip)+ k% r$ p& K/ ?9 C; N# Y0 N' N
  芯片上引线封装。LSI 封装技术之一,引线框架的前端处于芯片上方的一种结构,芯片 的中心附近制作有凸焊点,用引线缝合进行电气连接。与原来把引线框架布置在芯片侧面 附近的 结构相比,在相同大小的封装中容纳的芯片达1mm 左右宽度。
' ^) r6 U* [2 ~% K7 r8 x9 R  27、LQFP(low profile quad flat package)7 `9 r% a7 l7 E( T; N1 I
  薄型QFP。指封装本体厚度为1.4mm 的QFP,是日本电子机械工业会根据制定的新QFP 外形规格所用的名称。3 W6 c( K/ x* F2 J; F
  28、L-QUAD0 P# Z% ~1 s" k+ l8 x" C( }' i
   陶瓷QFP 之一。封装基板用氮化铝,基导热率比氧化铝高7~8 倍,具有较好的散热性。封装的框架用氧化铝,芯片用灌封法密封,从而抑制了成本。是为逻辑LSI 开发的一种 封装,在自然空冷条件下可容许W3的功率。现已开发出了208 引脚(0.5mm 中心距)和160 引脚 (0.65mm 中心距)的LSI 逻辑用封装,并于1993 年10 月开始投入批量生产。
; M" q) W/ F8 I5 x  29、MCM(multi-chip module)/ W4 A, D9 ^& i/ X
  多芯片组件。将多块半导体裸芯片组装在一块布线基板上的一种封装。根据基板材料可 分 为MCM-L,MCM-C 和MCM-D 三大类。 MCM-L 是使用通常的玻璃环氧树脂多层印刷基板的组件。布线密度不怎么高,成本较低 。 MCM-C 是用厚膜技术形成多层布线,以陶瓷(氧化铝或玻璃陶瓷)作为基板的组件,与使 用多层陶瓷基板的厚膜混合IC 类似。两者无明显差别。布线密度高于MCM-L。
) G  d7 S; b9 P% @* x6 b* g) g% T  MCM-D 是用薄膜技术形成多层布线,以陶瓷(氧化铝或氮化铝)或Si、Al 作为基板的组 件。布线密谋在三种组件中是最高的,但成本也高。
% T1 \3 Q" K4 \6 e1 m' Z2 \  30、MFP(mini flat package)& j9 z/ c: n9 F, _2 H
   小形扁平封装。塑料SOP 或SSOP 的别称(见SOP 和SSOP)。部分半导体厂家采用的名称。% T! o2 ?: g8 A/ I0 R
  31、MQFP(metric quad flat package)% Q3 |8 }# ]2 u# W: f
  按照JEDEC(美国联合电子设备委员会)标准对QFP 进行的一种分类。指引脚中心距为 0.65mm、本体厚度为3.8mm~2.0mm 的标准QFP(见QFP)。
* p# D! h* D6 G  C( ?& T1 A% [! L  32、MQUAD(metal quad)3 l1 J8 [+ h+ H! @; Y
  美国Olin 公司开发的一种QFP 封装。基板与封盖均采用铝材,用粘合剂密封。在自然空 冷 条件下可容许2.5W~2.8W 的功率。日本新光电气工业公司于1993 年获得特许开始生产 。
& n9 ~/ u' m  [+ s, ?  33、MSP(mini square package)5 @5 _9 _3 ]; ^; O/ `- i
  QFI 的别称(见QFI),在开发初期多称为MSP。QFI 是日本电子机械工业会规定的名称。# B9 t) r, W: u- S) c
  34、OPMAC(over molded pad array carrier)
- [5 L) U( X! O2 u# g8 C; |  模压树脂密封凸点陈列载体。美国Motorola 公司对模压树脂密封BGA 采用的名称(见 BGA)。
2 @) p, r, j! O! z  35、P-(plastic)6 V' m& _5 j! B, P  k4 O1 }  d$ J' \
  表示塑料封装的记号。如PDIP 表示塑料DIP。
3 O# p* @/ I% [5 `- N  36、PAC(pad array carrier); ^; {. ?7 u+ O) V  K- W8 }
   凸点陈列载体,BGA 的别称(见BGA)。
* @+ J. T( R3 p$ j  37、PCLP(printed circuit board leadless package)
9 k6 k( Z' b% L2 R" O  印刷电路板无引线封装。日本富士通公司对塑料QFN(塑料LCC)采用的名称(见QFN)。引
( I2 _- A% f/ C* k# X9 `$ W# W8 C  脚中心距有0.55mm 和0.4mm 两种规格。目前正处于开发阶段。4 Z8 A6 |9 K, v( @5 X+ ^  |
  38、PFPF(plastic flat package)
) j( t4 y* ]' ~# o  z( z   塑料扁平封装。塑料QFP 的别称(见QFP)。部分LSI 厂家采用的名称。
3 q( W* x* v& V0 X! H/ d- O1 A  39、PGA(pin grid array)) P0 A/ A% A0 j+ I( D
  陈列引脚封装。插装型封装之一,其底面的垂直引脚呈陈列状排列。封装基材基本上都 采用多层陶瓷基板。在未专门表示出材料名称的情况下,多数为陶瓷PGA,用于高速大规模 逻辑 LSI 电路。成本较高。引脚中心距通常为2.54mm,引脚数从64 到447 左右。了为降低成本,封装基材可用玻璃环氧树脂印刷基板代替。也有64~256 引脚的塑料PG A。 另外,还有一种引脚中心距为1.27mm 的短引脚表面贴装型PGA(碰焊PGA)。(见表面贴装 型PGA)。" |8 B/ m2 m# `3 H2 p& }) V3 [
  40、piggy back" \7 ?3 {0 q7 ]: C5 D1 G& }
   驮载封装。指配有插座的陶瓷封装,形关与DIP、QFP、QFN 相似。在开发带有微机的设备时用于评价程序确认操作。例如,将EPROM 插入插座进行调试。这种封装基本上都是 定制 品,市场上不怎么流通。
8 y' O; ?7 D, t: U( p  j  41、PLCC(plastic leaded chip carrier)
6 n* [5 g( S* V; a  带引线的塑料芯片载体。表面贴装型封装之一。引脚从封装的四个侧面引出,呈丁字形 , 是塑料制品。美国德克萨斯仪器公司首先在64k 位DRAM 和256kDRAM 中采用,现在已经 普及用于逻辑LSI、DLD(或程逻辑器件)等电路。引脚中心距1.27mm,引脚数从18 到84。 J 形引脚不易变形,比QFP 容易操作,但焊接后的外观检查较为困难。 PLCC 与LCC(也称QFN)相似。以前,两者的区别仅在于前者用塑料,后者用陶瓷。但现在已经出现用陶瓷制作的J 形引脚封装和用塑料制作的无引脚封装(标记为塑料LCC、PC LP、P -LCC 等),已经无法分辨。为此,日本电子机械工业会于1988 年决定,把从四侧引出 J 形引脚的封装称为QFJ,把在四侧带有电极凸点的封装称为QFN(见QFJ 和QFN)。
. l* T( ]: z4 g5 c- R% W  42、P-LCC(plastic teadless chip carrier)(plastic leaded chip currier)% `6 i& w) b1 g6 _* w6 @6 `
   有时候是塑料QFJ 的别称,有时候是QFN(塑料LCC)的别称(见QFJ 和QFN)。部分
9 S  e" v) Y" I  LSI 厂家用PLCC 表示带引线封装,用P-LCC 表示无引线封装,以示区别。
: ~0 U8 R8 ^* {$ K% {  43、QFH(quad flat high package)5 W$ F8 G8 [( j, Z0 t7 E
   四侧引脚厚体扁平封装。塑料QFP 的一种,为了防止封装本体断裂,QFP 本体制作得较厚(见QFP)。部分半导体厂家采用的名称。
+ z) A7 h" O: i( }  W  44、QFI(quad flat I-leaded packgac): o* y7 h4 f. u( I
   四侧I 形引脚扁平封装。表面贴装型封装之一。引脚从封装四个侧面引出,向下呈I 字 。也称为MSP(见MSP)。贴装与印刷基板进行碰焊连接。由于引脚无突出部分,贴装占有面 积小 于QFP。 日立制作所为视频模拟IC 开发并使用了这种封装。此外,日本的Motorola 公司的PLL IC 也采用了此种封装。引脚中心距1.27mm,引脚数从18 于68。( }, _: F. J0 b; Q! j+ u
  45、QFJ(quad flat J-leaded package)
7 u- ?! O9 L9 a$ G; e6 Z8 D   四侧J 形引脚扁平封装。表面贴装封装之一。引脚从封装四个侧面引出,向下呈J 字形 。是日本电子机械工业会规定的名称。引脚中心距1.27mm。
( L" O8 A; t6 x  材料有塑料和陶瓷两种。塑料QFJ 多数情况称为PLCC(见PLCC),用于微机、门陈列、 DRAM、ASSP、OTP 等电路。引脚数从18 至84。
! d( B% S3 q, q9 J& |* R  陶瓷QFJ 也称为CLCC、JLCC(见CLCC)。带窗口的封装用于紫外线擦除型EPROM 以及 带有EPROM 的微机芯片电路。引脚数从32 至84。
* Y5 I5 i, i: h/ v; ?  46、QFN(quad flat non-leaded package)
2 f: W9 ^; M! C  四侧无引脚扁平封装。表面贴装型封装之一。现在多称为LCC。QFN 是日本电子机械工业会规定的名称。封装四侧配置有电极触点,由于无引脚,贴装占有面积比QFP 小,高度 比QFP 低。但是,当印刷基板与封装之间产生应力时,在电极接触处就不能得到缓解。因此电 极触点 难于作到QFP 的引脚那样多,一般从14 到100 左右。 材料有陶瓷和塑料两种。当有LCC 标记时基本上都是陶瓷QFN。电极触点中心距1.27mm。: D" ^, P$ m# j% K: Y! o
  塑料QFN 是以玻璃环氧树脂印刷基板基材的一种低成本封装。电极触点中心距除1.27mm 外, 还有0.65mm 和0.5mm 两种。这种封装也称为塑料LCC、PCLC、P-LCC 等。
8 q& c0 Y* `5 h3 C! }4 e8 P  47、QFP(quad flat package)
. H8 C% A. ~! \  m% h( v   四侧引脚扁平封装。表面贴装型封装之一,引脚从四个侧面引出呈海鸥翼(L)型。基材有 陶瓷、金属和塑料三种。从数量上看,塑料封装占绝大部分。当没有特别表示出材料时, 多数情 况为塑料QFP。塑料QFP 是最普及的多引脚LSI 封装。不仅用于微处理器,门陈列等数字 逻辑LSI 电路,而且也用于VTR 信号处理、音响信号处理等模拟LSI 电路。引脚中心距 有1.0mm、0.8mm、 0.65mm、0.5mm、0.4mm、0.3mm 等多种规格。0.65mm 中心距规格中最多引脚数为304。 日本将引脚中心距小于0.65mm 的QFP 称为QFP(FP)。但现在日本电子机械工业会对QFP 的外形规格进行了重新评价。在引脚中心距上不加区别,而是根据封装本体厚度分为 QFP(2.0mm~3.6mm 厚)、LQFP(1.4mm 厚)和TQFP(1.0mm 厚)三种。0 V+ Q, e* x8 _2 a3 P2 U6 z
  另外,有的LSI 厂家把引脚中心距为0.5mm 的QFP 专门称为收缩型QFP 或SQFP、VQFP。但有的厂家把引脚中心距为0.65mm 及0.4mm 的QFP 也称为SQFP,至使名称稍有一些混乱 。 QFP 的缺点是,当引脚中心距小于0.65mm 时,引脚容易弯曲。为了防止引脚变形,现已 出现了几种改进的QFP 品种。如封装的四个角带有树指缓冲垫的BQFP(见BQFP);带树脂 保护环覆盖引脚前端的GQFP(见GQFP);在封装本体里设置测试凸点、放在防止引脚变形的专 用夹具里就可进行测试的TPQFP(见TPQFP)。 在逻辑LSI 方面,不少开发品和高可靠品都封装在多层陶瓷QFP 里。引脚中心距最小为 0.4mm、引脚数最多为348 的产品也已问世。此外,也有用玻璃密封的陶瓷QFP(见Gerqa d)。
- K, x0 `: T$ n9 i0 ~/ g  48、QFP(FP)(QFP fine pitch)
& G% j5 |  E2 g6 `8 o1 |2 R   小中心距QFP。日本电子机械工业会标准所规定的名称。指引脚中心距为0.55mm、0.4mm 、 0.3mm 等小于0.65mm 的QFP(见QFP)。3 u% E& V& M- J7 e
  49、QIC(quad in-line ceramic package)3 W. N- j- h. M
   陶瓷QFP 的别称。部分半导体厂家采用的名称(见QFP、Cerquad)。! O) W$ p: D$ G) b+ X) v
  50、QIP(quad in-line plastic package)
& e3 [! \$ O3 n' r( ~* j  塑料QFP 的别称。部分半导体厂家采用的名称(见QFP)。
& Z9 d- i, B) ?" [  X, q, h  51、QTCP(quad tape carrier package)
; i5 W6 H/ l+ X+ B+ A0 q  四侧引脚带载封装。TCP 封装之一,在绝缘带上形成引脚并从封装四个侧面引出。是利 用 TAB 技术的薄型封装(见TAB、TCP)。
- p: m4 ~& H0 Q6 K" w. s2 u' x  52、QTP(quad tape carrier package)) s% {$ I- p9 S3 `+ V
   四侧引脚带载封装。日本电子机械工业会于1993 年4 月对QTCP 所制定的外形规格所用 的 名称(见TCP)。
6 @2 i( K- g: W5 S: I5 {! @% Q  53、QUIL(quad in-line)3 t. q6 Q/ p5 z0 f0 D9 ~: n
  QUIP 的别称(见QUIP)。
- |$ M* y' a4 d9 h- |  54、QUIP(quad in-line package)- D. ~6 d- ?  l# x9 e  H
  四列引脚直插式封装。引脚从封装两个侧面引出,每隔一根交错向下弯曲成四列。引脚 中心距1.27mm,当插入印刷基板时,插入中心距就变成2.5mm。因此可用于标准印刷线路板 。是 比标准DIP 更小的一种封装。日本电气公司在台式计算机和家电产品等的微机芯片中采 用了些 种封装。材料有陶瓷和塑料两种。引脚数64。
" ~, M- @/ p. P9 b  z  55、SDIP (shrink dual in-line package)6 P3 ~$ h4 l9 V9 h" ~
   收缩型DIP。插装型封装之一,形状与DIP 相同,但引脚中心距(1.778mm)小于DIP(2.54 mm),% ]/ L$ ^7 i. p' a$ H
  因而得此称呼。引脚数从14 到90。也有称为SH-DIP 的。材料有陶瓷和塑料两种。
& E, v* d7 T& B1 g2 \; l  56、SH-DIP(shrink dual in-line package)/ s# b) N2 r- u: K' F0 Z' a
   同SDIP。部分半导体厂家采用的名称。% k, Q2 e! F5 w+ e; T8 E: B, [
  57、SIL(single in-line)
  c* S. ^, L& V1 f  c   SIP 的别称(见SIP)。欧洲半导体厂家多采用SIL 这个名称。$ l% J' P3 R9 s2 K
  58、SIMM(single in-line memory module)! {0 B( ~% F; ?. C
  单列存贮器组件。只在印刷基板的一个侧面附近配有电极的存贮器组件。通常指插入插 座 的组件。标准SIMM 有中心距为2.54mm 的30 电极和中心距为1.27mm 的72 电极两种规格 。 在印刷基板的单面或双面装有用SOJ 封装的1 兆位及4 兆位DRAM 的SIMM 已经在个人 计算机、工作站等设备中获得广泛应用。至少有30~40%的DRAM 都装配在SIMM 里。8 E8 T' f# l* o4 a1 V5 Z* q+ D: [
  59、SIP(single in-line package)
! J6 d1 b% Y. s3 p* [4 d/ p   单列直插式封装。引脚从封装一个侧面引出,排列成一条直线。当装配到印刷基板上时 封装呈侧立状。引脚中心距通常为2.54mm,引脚数从2 至23,多数为定制产品。封装的形 状各 异。也有的把形状与ZIP 相同的封装称为SIP。
7 U/ H; d/ g- e3 J8 g2 ^- X  60、SK-DIP(skinny dual in-line package)! m% h$ [2 @6 M( t8 |! O2 t- H
   DIP 的一种。指宽度为7.62mm、引脚中心距为2.54mm 的窄体DIP。通常统称为DIP(见 DIP)。
, e9 o% H9 y1 \! M) F  61、SL-DIP(slim dual in-line package)
9 B5 m9 |$ g- o$ K4 N3 k9 l  DIP 的一种。指宽度为10.16mm,引脚中心距为2.54mm 的窄体DIP。通常统称为DIP。  ?6 O3 q/ T" S* X' D3 @9 I
  62、SMD(surface mount devices)/ Z9 M8 o2 u) F0 r+ O
  表面贴装器件。偶尔,有的半导体厂家把SOP 归为SMD(见SOP)。
: \, A" p7 Z: {/ x" |  63、SO(small out-line)$ m5 W  ]3 x/ Z2 g
   SOP 的别称(引脚间距1.27mm)(SSOP引脚间距小于1.27mm)。世界上很多半导体厂家都采用此别称。(见SOP)。
  O) O) ^' c* p2 w) _7 Z  64、SOI(small out-line I-leaded package)
* H' I, X) Z. k& K1 X  I 形引脚小外型封装。表面贴装型封装之一。引脚从封装双侧引出向下呈I 字形,中心 距 1.27mm。贴装占有面积小于SOP。日立公司在模拟IC(电机驱动用IC)中采用了此封装。引 脚数 26。2 a- S+ I$ c4 g; |, f3 b
  65、SOIC(small out-line integrated circuit)
. k. C3 c7 A$ @  SOP 的别称(见SOP)。国外有许多半导体厂家采用此名称。* n, K( N: O" K! [1 Q- A) n7 S3 [
  66、SOJ(Small Out-Line J-Leaded Package)) q- G4 d# R& m/ j6 F3 R- J
  J 形引脚小外型封装。表面贴装型封装之一。引脚从封装两侧引出向下呈J 字形,故此 得名。 通常为塑料制品,多数用于DRAM 和SRAM 等存储器LSI 电路,但绝大部分是DRAM。用SO J 封装的DRAM 器件很多都装配在SIMM 上。引脚中心距1.27mm,引脚数从20 至40(见SIMM )。
" c4 {( f7 [7 U! G* H6 Q4 s  67、SQL(Small Out-Line L-leaded package)8 ?1 c' T5 J) a2 t  p; x% \1 ]3 s
   按照JEDEC(美国联合电子设备工程委员会)标准对SOP 所采用的名称(见SOP)。
$ b& j8 T8 g8 l4 r& N- \  68、SONF(Small Out-Line Non-Fin)6 d* W' I: D1 \  O0 M9 u
   无散热片的SOP。与通常的SOP 相同。为了在功率IC 封装中表示无散热片的区别,有意增添了NF(non-fin)标记。部分半导体厂家采用的名称(见SOP)。
' v& r! K) x# m  69、SOF(small Out-Line package)
- G# X. r! d( R2 i1 e  小外形封装。表面贴装型封装之一,引脚从封装两侧引出呈海鸥翼状(L 字形)。材料有 塑料 和陶瓷两种。另外也叫SOL 和DFP。+ E) M# H+ X3 G3 H3 [* y6 M1 S
  SOP 除了用于存储器LSI 外,也广泛用于规模不太大的ASSP 等电路。在输入输出端子不 超过10~40 的领域,SOP 是普及最广的表面贴装封装。引脚中心距1.27mm,引脚数从8 ~44。
  _/ L0 H: H+ o; i  另外,引脚中心距小于1.27mm 的SOP 也称为SSOP;装配高度不到1.27mm 的SOP 也称为 TSOP(见SSOP、TSOP)。还有一种带有散热片的SOP。9 D% F, Y& Z! W4 t
  70、SOW (Small Outline Package(Wide-Jype))
) Q& W+ b, x& A. f; P  C   宽体SOP。部分半导体厂家采用的名称。
4 m0 X: z( }9 ]! l! A6 g  71、COB(Chip On Board)0 T3 g9 f4 t: i: H1 N
   通过bonding 将IC裸片固定于印刷线路板上。也就是是将芯片直接粘在PCB上用引线键合达到芯片与PCB的电气联结然后用黑胶包封。COB的关键技术在于Wire Bonding(俗称打线)及Molding(封胶成型),是指对裸露的机体电路晶片(IC Chip),进行封装,形成电子元件的制程,其中IC藉由焊线(Wire Bonding)、覆晶接合(Flip Chip)、或卷带接合(Tape Automatic Bonding;简称(TAB)等技术,将其I/O经封装体的线路延伸出来。0 o) ?. [# Y0 F+ D) H
  72、COG(Chip on Glass)  D# @6 \  o2 P! v/ D
      国际上正日趋实用的COG(Chip on Glass)封装技术。对液晶显示(LCD)技术发展大有影响的封装技术。+ }. u0 x1 y0 o+ I3 i, t

1 a# D0 V) K  E/ d5 \; A( A6 t+ R( r- n: _# ^# B8 K2 U% B1 N

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2#
发表于 2021-9-14 11:01 | 只看该作者
板上芯片封装,是裸芯片贴装技术之一
5 D/ m; \0 n* a

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3#
发表于 2021-9-14 11:19 | 只看该作者
MCM-D 是用薄膜技术形成多层布线,以陶瓷(氧化铝或氮化铝)或Si、Al 作为基板的组 件。布线密谋在三种组件中是最高的,但成本也高

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4#
发表于 2021-9-14 13:07 | 只看该作者
flip-chip是倒焊芯片。裸芯片封装技术之一,在LSI 芯片的电极区制作好金属凸点,然后把金属凸 点与印刷基板上的电极区进行压焊连接

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5#
发表于 2021-9-14 14:17 | 只看该作者
很全面  感谢分享
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