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SK海力士:正积极争取为无锡存储工厂引进EUV光刻机

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发表于 2021-11-25 13:23 | 显示全部楼层 |阅读模式

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本月22日,韩国半导体工业协会成立30年纪念活动在首尔举办。0 X1 a1 W( F. Y" D
与会期间,SK海力士CEO Seok-hee Lee(李锡熙)和媒体交流时谈到了无锡海力士半导体工厂相关情况。) }1 e0 C! {$ a0 o
关于EUV光刻机进厂可能延期的问题,李锡熙表示,正与美方合作,进展良好。EUV光刻技术已经在韩国本土的DRAM产线上应用,中国工厂还有充足的时间供斡旋沟通。; K$ F: b: t! @( V& d9 o1 t+ m
据悉,SK海力士将基于EUV光刻机制造10nm DRAM芯片,也就是第四代内存。无锡工厂同样计划应用相关技术,目前正寻求多种途径克服困难,毕竟它是一家韩国企业。$ l) T3 y% W0 U
资料显示,无锡海力士工厂的DRAM产能大约占SK海力士全球产能的15%。! @+ p, A( C: C$ Y

$ ]* Z2 b$ I$ O. d1 }                       - THE END -) ~" i+ Z" A" |2 @; Q5 S
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