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第一种:雪崩破坏
2 {8 C6 e' G" D1 {如果在漏极-源极间外加超出器件额定VDSS的电涌电压,而且达到击穿电压V(BR)DSS (根据击穿电流其值不同),并超出一定的能量后就发生破坏的现象。) [5 D. t! }) u- _
在介质负载的开关运行断开时产生的回扫电压,或者由漏磁电感产生的尖峰电压超出功率MOSFET的漏极额定耐压并进入击穿区而导致破坏的模式会引起雪崩破坏。4 J% T+ d A! I! R- g
典型电路: ![]() $ D7 x$ z9 F7 B1 J
第二种:器件发热损坏, R0 l* x6 a& Y3 v- m+ \# z
由超出安全区域引起发热而导致的。发热的原因分为直流功率和瞬态功率两种。( L# l( b% ?- u" d& T+ b
直流功率原因:外加直流功率而导致损耗引起的发热。 - 通电阻RDS(on)损耗(高温时RDS(on)增大,导致一定电流下,功耗增加)
- 由漏电流IDSS引起的损耗(和其他损耗相比极小)4 O- e. ]; F2 i! |/ z
- Z1 n/ h6 b3 d1 U d4 |0 m2 d2 B
瞬态功率原因:外加单触发脉冲。 - 负载短路
- 开关损耗(接通、断开)(与温度和工作频率相关)
- 内置二极管的trr损耗(上下桥臂短路损耗)(与温度和工作频率相关)
& w- I6 X: B% g; {1 [
9 T# _7 ~. t# f# b# A3 n
器件正常运行时不会发生负载短路而引起过电流,造成瞬时局部发热而导致破坏。另外,由于热量不相配或开关频率太高使芯片不能正常散热时,持续的发热使温度超出沟道温度导致热击穿的破坏。 第三种:内置二极管破坏5 v; |3 d$ b# z
在DS端间构成的寄生二极管运行时,由于在flyback时功率MOSFET的寄生双极晶体管运行,* j. h: R: s) m
导致此二极管破坏的模式。 ![]()
, g3 \, ?$ L$ Y0 y第四种:由寄生振荡导致的破坏
9 l9 k( g- e6 r. g9 ~0 F此破坏方式在并联时尤其容易发生。! s s+ S3 X! E/ Z2 d
在并联功率MOSFET时未插入栅极电阻而直接连接时发生的栅极寄生振荡。高频率反复接通、断开漏极—源极电压时,在由栅极—漏极电容Cgd(Crss)和栅极引脚电感Lg形成的谐振电路上发生此寄生振荡。当谐振条件(ωL=1/ωC)成立时,在栅极—源极间外加远远大于驱动电压Vgs(Vin)的振动电压,由于超出栅极—源极间额定电压导致栅极破坏,或者接通、断开漏极—源极间电压时的振动电压通过栅极—漏极电容Cgd和Vgs波形重叠导致正向反馈,因此可能会由于误动作引起振荡破坏。 ![]()
2 E [ ~% E3 j( G) H& a( [1 j第五种:栅极电涌、静电破坏
( d5 l$ Z" K5 l主要是在栅极和源极之间存在电压浪涌和静电而引起的破坏,即栅极过电压破坏和由上电状态中静电在GS两端(包括安装和和测定设备的带电)而导致的栅极破坏。 ![]()
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